説明

国際特許分類[H01L23/02]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体または他の固体装置の細部 (40,832) | 容器,封止 (4,129)

国際特許分類[H01L23/02]の下位に属する分類

国際特許分類[H01L23/02]に分類される特許

2,151 - 2,160 / 2,255


【課題】 半導体素子と水晶振動子とを同時に搭載した圧電装置としても、圧電振動子の発振周波数特性に悪影響を与えることのない、小型の圧電装置を提供すること。
【解決手段】 上側主面の中央部に半導体素子9の搭載部11を有し、上側主面の搭載部11から上側主面の外周部および下側主面にかけて第1の配線導体5−1が形成された第1の絶縁基体2と、下面の中央部に圧電振動子3を収容するための凹部12を有し、凹部12の内側から下面の外周部にかけて第2の配線導体5−2が形成された第2の絶縁基体1と、凹部12の内側に取着され、凹部12に収容される圧電振動子3を封止する蓋体4とを具備しており、第1の絶縁基体2の上側主面の外周部および第2の絶縁基体1の下面の外周部が接合されるとともに第1および第2の配線導体5−1,5−2が電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】接着剤層を介した封止体とガラス面等の蓋体との優れた高密着性を達成した光半導体装置を提供する。
【解決手段】光半導体素子を収納したエポキシ樹脂組成物からなる封止材と、封止材と接着剤を介して接合される透明蓋体からなる光半導体装置において、接着剤がエポキシ系接着剤であり、封止材はエポキシ樹脂組成物の硬化物からなり、前記樹脂組成物は少なくともビフェニル骨格を有するエポキシ樹脂を含有し、この硬化物の50℃における線膨張係数が8〜13ppm、50℃における弾性率が16〜28GPaであることを特徴とする光半導体装置は、封止体と蓋体との間に優れた高密着性を有する。 (もっと読む)


【課題】 透光性蓋体の平行度を高精度化し、また透光性蓋体と絶縁基体とが強固に接合されて光半導体素子を収納する密閉空間の気密性に優れ、光半導体素子に外光を長期にわたって歪を生じることなく正常に受光させることができ、正常な電気信号を外部の機器や素子等に送ることが可能な小型化及び薄型化された光半導体装置を提供すること。
【解決手段】 光半導体装置9は、上面に光半導体素子3を収容し搭載するための凹部1aを有する絶縁基体1と、絶縁基体1の凹部1aの内側から外側に導出された配線導体2と、凹部1aの底面に接合されて搭載されるとともに電極が配線導体2に電気的に接続された光半導体素子3と、絶縁基体1の上面に凹部1aを塞ぐように接合材7を介して取着された透光性蓋体5とを具備し、絶縁基体1は、その上面の外周部に溝1bに充填された接合材7を介して透光性蓋体5が接合される。 (もっと読む)


【課題】 回路基板の上面に線路導体より幅広のコンデンサが途中に実装された線路導体において、基体との間に生じる容量成分を少なくし、線路導体の特性インピーダンス値が変動しない半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置を提供すること。
【解決手段】 半導体素子収納用パッケージは、上側主面に、半導体素子5およびコンデンサ10が実装されている回路基板4を載置するための載置部1aを有する基体1を具備しており、基体1は、上側主面のコンデンサ10の直下の部位に平面視でコンデンサ10およびその実装部を含む大きさの凹部12が形成されている。凹部12により、幅広のコンデンサ10が実装されても第2の線路導体4bの特性インピーダンス値が大きく変動しない。 (もっと読む)


【課題】 長方形状の光半導体素子が搭載された場合に、光半導体素子の短辺側における接合強度を向上させることにより、画像の精細化および光検知の高精度化の要求に応じた信頼性の高い光半導体装置を提供すること。
【解決手段】 光半導体素子101の搭載部が形成された絶縁基体102と、配線導体104と、搭載部に第1の接合材103を介して接合されて搭載されるとともに電極106が配線導体104に電気的に接続された長方形状の光半導体素子101と、搭載部の光半導体素子101の短辺側の側面の外側の部位に、短辺側の側面に沿って突条に設けられた第2の接合材109と、絶縁基体102の上面に凹部を塞ぐようにして取着された透光性蓋体105とを具備しており、第1の接合材103は、光半導体素子101の短辺側の側面を被覆するとともに第2の接合材109の光半導体素子101側の側面から上面にかけて覆うように外側に延出している。 (もっと読む)


【課題】 圧電振動子を半導体素子等の他の電子部品とともに収容しても小型化が可能であり、かつ圧電振動子の発振周波数特性等の特性に優れるとともに、外部の電気回路等に対する電気的な接続の信頼性に優れた圧電振動子収納用パッケージおよび圧電装置を提供すること。
【解決手段】 上面に複数の凹部5が形成された絶縁基体1と、絶縁基体1の上面の複数の凹部5の周囲に全周にわたって形成された枠部10と、枠部10の内側から絶縁基体1の外表面にかけて形成された配線導体6と、絶縁基体1の上面に複数の凹部5を塞ぐように取着される蓋体7とを具備しており、複数の凹部5のうちの1つに圧電振動子2,3が収容されるとともに他の一つに電子部品4が収容され、蓋体7の上面に半導体素子8が搭載されている。 (もっと読む)


【課題】 接着剤を特に限定することなく、デバイスと保護部材とを確実に接着し信頼性の高い封止性をもつ封止型電子部品を提供する
【解決手段】 基板5と、基板5上に形成もしくは搭載されたデバイス1と、デバイス1を覆いそれを保護する透明な保護部材2とを有し、デバイス1と保護部材2との間をその周辺部において光硬化型材料3を用いて密封して、保護部材2上から光(紫外線)をあて光硬化型材料3を光硬化させ、さらにこの硬化した光硬化型材料3を覆うとともに保護部材2を基板5に固着するように熱硬化型材料4を塗布し、これを熱硬化させて封止型電子部品型を形成したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 小型で具現できる製造数率も向上させることのできるキャップウェハーおよびそれを用いたパッケージングされた半導体パッケージが開示される。
【解決手段】 本キャップウェハーは、下部表面上の所定領域に空洞部が製造されたウェハーと、ウェハーの上部および下部を貫通して空洞部内に連結される少なくとも1つの貫通電極とを含む。一方、本半導体パッケージは、上部表面上の所定領域に所定の回路素子が製造されたベースウェハーと、下部表面上の所定領域に所定大きさの空洞部が製造され、空洞部内に回路素子が位置するようにベースウェハーと結合して回路素子をパッケージングするキャップウェハーと、キャップウェハーの上部および下部を貫通して空洞部内に連結され、回路素子と電気的に接続される少なくとも1つの貫通電極とを含む。 (もっと読む)


【課題】 金属筐体内に実装した際に、導波管モードで伝搬する不要電波を吸収し、周波数特性の安定した動作を行う高周波用パッケージを提供する。
【解決手段】 高周波用デバイスを搭載し、外部への接続回路が形成されたベース部と、ベース部をカバーするキャップ部とを備えた高周波用パッケージにおいて、キャップ部に、高周波用パッケージを金属筐体内に実装した際、金属筐体内に発生する導波管モードの不要電波を吸収する電波吸収体を備えている。電波吸収体は、誘電損失の大きい誘電体、または誘電損失、磁気損失の大きい鉄、カーボン、フェライトを混合した誘電体、あるいは抵抗皮膜で形成される。 (もっと読む)


【課題】 1次実装の信頼性をより効果的に向上させ得る多数個取り電子部品封止用基板、電子装置および電子装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 絶縁母基板1の一方主面に多数個縦横に形成された絶縁基板領域2と、各絶縁基板領域2の中央部に形成された接続パッド3と、各絶縁基板領域2に形成され、接続パッド3に接続された配線導体4と、絶縁母基板1の一方主面の各絶縁基板領域2の中央部以外の部位全面に形成された封止材5と、接続パッド3上に封止材5と同じ高さで形成された接続端子6とを具備し、半導体母基板7主面に微小電子機械機構8及びこれに電気的に接続された電極9が形成された電子部品10の電極9が接続パッド3に接続端子6を介して接続され、半導体母基板7主面が封止材5で絶縁母基板1の一方主面に接合されることにより、各絶縁基板領域2の封止材5の内側に微小電子機械機構8が気密封止される。 (もっと読む)


2,151 - 2,160 / 2,255