マイクロデバイスは、デバイスマイクロ構造体（２２）と、基板（２４）と、そしてシリコンキャップ（３０，１３０）とを備える。デバイスマイクロ構造体（２２）は基板（２４）に取り付けられる。シリコンキャップ（３０，１３０）は、ベース部分（３２，１３２）及びキャップ（３０，１３０）内に中空部（３６，１３６）を画定する側壁（３４，１３４）を有する。シリコンキャップ（３０，１３０）は、キャップ（３０，１３０）内の中空部（３６，１３６）がデバイスマイクロ構造体（２２）を収容し、かつ、デバイスマイクロ構造体（２２）に隣接して気密封止キャビティ（３８）を形成するように基板（２４）に取り付けられる。シリコンキャップ（３０，１３０）はさらに、その中空部（３６，１３６）に沿って埋め込まれ、キャビティ（３８）内の真空を維持する単結晶シリコンゲッター層（４０，１４０）を有する。単結晶シリコンゲッター層（４０，１４０）を含むマイクロデバイスの形成方法も提供する。
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【課題】 本発明は貫通電極に空洞が発生しないように形成することを課題とする。
【解決手段】 貫通電極２４は、蓋体１４の基板１４ａを貫通する貫通孔２８に充填された柱状電極３０と、柱状電極３０の下端側に形成され貫通孔２８の内部寸法より幅広な下側電極パッド３２と、柱状電極３０の上端側に形成され貫通孔２８の内部寸法より幅広な上側電極パッド３４とを一体的に結合させたものである。貫通電極２４は、下端電極パッド３２が基板１４ａの貫通孔２８の下端開口を閉塞するように設けられ、さらに、下端電極パッド３２に積層されて貫通孔２８の内部に充填された柱状電極３０を有するため、柱状電極３０の中心部分に空洞（ボイド）が発生せず、貫通孔２８が高アスペクト比（厚さ／孔径）でも貫通孔２８の内部に柱状電極３０を安定的に形成することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】 絶縁基体と透光性蓋体とを接合する接合材の紫外線の照射が適切に行われたものか否かを適切に識別することができ、所定の品質を確保、維持することのできる光半導体装置を提供すること。
【解決手段】 上面に光半導体素子３を収容し搭載するための凹部１aを有する絶縁基体１と、絶縁基体１の凹部１aの内側から外側に導出された配線導体２と、絶縁基体１の凹部１ａの底面に接合されて搭載されるとともに電極４が配線導体２に電気的に接続された光半導体素子３と、絶縁基体１の上面に凹部１aを塞ぐようにして接合材７を介して取着された透光性蓋体５とを具備し、接合材７は紫外線によって変色する色素を含有している。 （もっと読む）

【課題】 真空雰囲気中で２次封止するものにおいて、容器内に封止材の溶融ガスを滞留させず、製品特性にばらつきが生じことがない圧電振動デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】 真空雰囲気中で容器１の開口部周縁部とこの開口部を覆う蓋２とを封止材２bを介して溶接してなり、上記溶接の工程は、上記開口部周縁部の一部に開口残部を残して溶接する１次封止工程と、真空引きすることで排気する工程と、その後溶接されていない上記開口残部と上記蓋とを溶接してなる２次封止工程とを具備してなる圧電振動デバイスを製造する方法であって、上記開口部の平面積をａとし、開口残部の寸法をｂとした場合、７．３３≦ａ／ｂ≦１０．４にて定義化された封止条件で１次封止を行うことにより、当該圧電素子を封止してなる。 （もっと読む）

【課題】 結露による絶縁破壊や性能劣化を防止し、耐環境性を向上させたチップデバイスを提供する。
【解決手段】 内部空間を有するパッケージに収容され、基板４０上に例えば電気回路を構成する構造体を具備してなるチップデバイスにおいて、電気回路が設けられていない部位の表面に、金属薄膜よりなる結露発生部５７を設ける。結露が生成されるような状況となった場合に、選択的・優先的に結露発生部５７に結露を生成させることができ、よって危険箇所での結露を防止することができる。 （もっと読む）

【解決課題】 パッケージ封止時にボイド等の欠陥発生を抑制することができるハーメチックシールカバー及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明は、シールカバー本体と、該シールカバー本体表面に施されたＮｉメッキ層と、該Ｎｉメッキ層表面に融着されたＡｕ−Ｓｎろう材層とを備えるハーメチックシールカバーにおいて、前記ニッケルメッキ層とＡｕ−Ｓｎろう材層との間にＮｉ−Ｓｎ合金層を有することを特徴とするハーメチックシールカバーである。このＮｉ−Ｓｎ合金層の厚さは、０．３〜５μｍとすることが好ましい。また、Ａｕ−Ｓｎろう材層のＳｎ濃度は２０．６５〜２３．５重量％であるものが好ましい。
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【課題】 半導体装置の小型化を図り、製造の高効率化及び高歩留化を図ることができる蓋部を備えた半導体ウェハの製造方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、複数の半導体素子が形成された半導体ウェハに光硬化性接着剤及び熱硬化性接着剤を含む接着層を形成する接着層形成工程（Ｓ１）と、接着層を選択的に露光して、各半導体素子の周縁部上の接着層に含まれる光硬化性接着剤を硬化させて、接着層及び各半導体素子を接着する露光工程（Ｓ２）と、光硬化性接着剤を現像して、未露光領域の接着層を除去する現像工程（Ｓ４）と、接着層のパターニング形状の良否を半導体素子毎に判定する検査工程（Ｓ５）と、各半導体素子に係る接着層に蓋部を配置し、接着層を加熱して該接着層に含まれる熱硬化性接着剤に接着性を発現させて、接着層及び蓋部を接着する蓋部接着工程（Ｓ６）とを含む。 （もっと読む）

【課題】 低コストでありながら、封止材を精密に形成することで、精度良く封止することができるようにした電子部品用パッケージの製造方法を提供すること。
【解決手段】 メッキ工程において、端子部を利用して、部品配線用パターンと封止用パターンとに対して、同時に下地用メッキを含む第１のメッキ作業を行い、次いで、前記作業用接続部を断線した後で、前記端子部を利用して前記封止用パターンを完成させる第２のメッキ作業を行う。 （もっと読む）

【課題】
半導体素子とプリント基板側の入出力端子を電気的に接続するために半導体素子の複数ある入出力端子に対し一端子毎にボンディング作業を行う必要があり、時間とコストがかかる。また、エポキシ樹脂等によるチップコートを用いるため、チップコートの量、硬化温度、硬化時間を管理する必要があり、この作業にも時間とコストがかかる。
【解決手段】
半導体素子を搭載し、上記半導体素子の入力電極および出力電極を具えたプリント基板と、半導体素子配線部材からなり、上記半導体素子配線部材は、上記入力電極および出力電極とをそれぞれ接続する入出力配線が一体に構成される配線構成体と、上記配線構成体を覆う絶縁部材とからなり、上記半導体素子配線部材が上記プリント基板に装着されるように構成される。 （もっと読む）

【課題】 電子部品を実装したパッケージに気密に封止する電子デバイスにおいて、十分な気密封止を確保しつつ、リッドを接合するベースの平面寸法を小さくしてパッケージを小型化する。
【解決手段】 一方の面に開放されたキャビティ７と電極及び配線パターン５とをそれぞれ有する複数のベース１からなるベース板２を形成し、各ベースのキャビティ内に圧電振動片６を固定する。複数のリッド９からなるリッド板１０を形成し、その一方の面１１に低融点ガラス１２を付着する。ベース板とリッド板とを重ね合わせ、ハロゲンランプ１５で加熱して低融点ガラスを溶融させ、各ベースにリッドを気密に接合封止する。一体に接合されたベース板及びリッド板を各ベース及びリッドの外形１６に沿ってダイシングにより切断し、圧電振動子を個片化する。 （もっと読む）