微細電気機械装置、半導体デバイス、発光素子、光変調装置、および、光検出装置を含む電子デバイス（例えば、電気信号を受信または送信する任意のデバイス）をパッケージする新規な方法が、ここに提供される。電子デバイスは、２つの基板の間に取り付けられ、それらの基板のうちの少なくとも１つの基板は、電子デバイスを保持するためのキャビティを有する。２つの基板は、シーリング媒体を用いて、接合されて密封される。基板に対するシーリング媒体の接着は、特に、２つの基板のうちの１つの基板がセラミックである場合に、メタライゼーション層を基板の表面に塗布することによって改善することができる。

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本発明は、多層高剛性キャップを有するシール空洞内に微細機械構造を製造するための方法を含む。キャップに用いられる高剛性材料は、パッケージングプロセスに内在する破壊的環境的影響力、及び環境的損傷から下にある微細構造体を保護する。
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【課題】光学機能素子の発熱による悪影響及び温度ムラによる悪影響を防止できる半導体装置を得る。
【解決手段】ライン型ＣＣＤチップ１が導電性放熱板に固定され、ライン型ＣＣＤチップ１と配電手段３とが電気的に接続された半導体装置に関する。ライン型ＣＣＤチップ１が固定される導電性放熱板２の固定面２ａに対して反対側に位置する反対面２ｂの全面が外部に露出している。 （もっと読む）

【課題】電磁遮断性能を有し、機密性に優れた高信頼性の半導体装置を実現する。
【解決手段】フェライトを含むアルミナからなる絶縁性基板が積層された多層基板１の表面（第１主面）上に、半導体素子２１と、チップ抵抗体２２、チップコンデンサ２３およびインダクタ２４等からなる複数の受動素子が合金材２５により電気的及び機械的に固着され、多層基板１の表面（第１主面）の両端部とフェライトを含むアルミナからなる絶縁性キャップ３２は、接着剤３１で固着され、これら搭載部品２１、２２、２３、２４、合金材５やボンデイングワイヤ２７は、多層基板１と絶縁性キャップ３２で気密封止されている。 （もっと読む）

【課題】高周波特性を改善し、外部の高周波ノイズから保護し、外部への漏洩電力削減し、高出力素子の放熱を可能とした高周波パッケージを提供する。
【解決手段】誘電体材料からなる誘電体多層基板（２５１，２９６，３０１，３０６）と、蓋体（２８１）と、前記誘電体基板と前記蓋体により形成され高周波素子（３８１）を収納するためのキャビティ（２７１）と、前記誘電体基板内に設けられた接地導体（２１１，３２１）と、前記接地導体に導通し、前記誘電体基板を貫通するスル−ホール内に充填されたビア導体（２２１，２３１）とを具備した高周波パッケージとする。これにより、漏洩電力及び高周波ノイズの発生を防止でき、実装補助ガードエリヤが不要となり、パッケージの周辺にシールド板が不要となり、実装エリアが広がる。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低減すると共に製造の歩留りを向上させることが可能な電気デバイスを提供する。
【解決手段】電気デバイス(100,502,602,702)は、複数の集積回路(106)を有しており、それらの集積回路の各々は、第２の基板(104)に結合された第１の基板(102)に製作される。ここで、第１の基板(102)は、ある変形条件を超える条件下では変形するが、その変形条件を下回る条件下では変形しない結合部(111)によって第２の基板(104)に結合されている。この変形条件は、第１の基板(102)と第２の基板(104)の対向する面からの所定の圧力とするか、または、温度と、第１の基板(102)と第２の基板(104)の対向する面からの圧力との所定の組み合わせとすることができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の小型化を図る。
【解決手段】 信号用表層配線４ｃとＧＮＤ層４ｆとからなるマイクロストリップ線路４ｇを有するパッケージ基板４と、パッケージ基板４の主面４ａにフリップチップ接続によって搭載された高周波の半導体チップ２と、信号用表層配線４ｃに芯線７ａが電気的に接続された同軸ケーブル７と、半導体チップ２のフリップチップ接続部を保護するアンダーフィル樹脂６と、パッケージ基板４の裏面４ｂ内に配置された複数のボール電極３と、パッケージ基板４に取り付けられたフレーム部材８に設けられた同軸コネクタ１１とからなり、同軸ケーブル７からの高周波信号をパッケージ基板４の表層の全てマイクロストリップラインのみで伝達可能な構造を備えたものであり、複数のボール電極３がパッケージ基板４の裏面４ｂにアレイ状に配置されたことにより、パッケージの小型化を図れる。 （もっと読む）

【課題】 パッケージ内に搭載される部品の実装性や他の基板への実装性が良く、しかも高密度実装が可能で放熱性に優れる高周波パッケージを得る。
【解決手段】 一方の面に入出力端子２を設け、他方の面に半導体チップ３を搭載したセラミック平板１と、前記他方の面に対向した一方の面に少なくとも１つのキャビティ部５を設けたセラミック多層キャップ４とで構成されるとともに、前記セラミック多層キャップ４のキャビティ部５の周縁部と、この周縁部に対向する前記セラミック平板１の他方の面とを電気的に接続する接続端子６を設けることで、キャビティ部５を設けた多層セラミックキャップ４をセラミック平板１に被装した。 （もっと読む）

【課題】準ミリ波帯及びミリ波帯の信号であっても隣接する信号線路系間のクロストークを低減する。
【解決手段】上部誘電体層１の上面に信号線路Ｌａ１、Ｌａ２、Ｌｂ１、Ｌｂ２が形成され、下部誘電体層２の上面に信号線路Ｌａ３、Ｌｂ３が形成されている。信号線路Ｌａ３は、上部誘電体層１を貫通する導電性ビアＶＨａ１及びＶＨａ２を介して信号線路Ｌａ１とＬａ２とを電気的に接続し、信号線路Ｌｂ３は、上部誘電体層１を貫通する導電性ビアＶＨｂ１及びＶＨｂ２を介して信号線路Ｌｂ１とＬｂ２とを電気的に接続する。上部及び下部誘電体層の上面、並びに下部誘電体層の下面には、グランド電極Ｇ１、Ｇ２、Ｇが形成され、各信号線路系はコプレーナ線路で形成される。入力端側及び出力端側の信号線路が、隣接する信号線路系で相互に異なる長さに形成されているので、電磁放射等による相互干渉を受けにくく、クロストークが低減される。 （もっと読む）

【課題】従来の同一面上への部品搭載に代え、単機能モジュールを三次元的に実装して高周波機能モジュールの実装小型化、標準化、自動実装化、歩留まり向上、コスト低減をはかる。
【解決手段】単機能モジュールは、パッケージ１内に形成した有底のキャビティ２にＭＭＩＣ（モノリシック・マイクロ波集積回路）３等の機能素子部品が搭載され、ボンディングワイヤ４により部品とパッケージ１間が電気的に接続される。パッケージ１上下面に設けた同軸構造のＲＦインターフェース５，６及び上下貫通したＤＣインターフェース７を通じ、パッケージ１内の接続回路８を介しＭＭＩＣ３の信号が外部に出力する。キャップ９により気密封止構造を形成する。この単機能モジュールを縦方向に複数積層し、リフローによる半田溶融で各インターフェース間を接続し、多層の高周波機能モジュール構造とする。 （もっと読む）