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国際特許分類[H01L23/02]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体または他の固体装置の細部 (40,832) | 容器,封止 (4,129)

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【課題】 電子部品の発した熱をパッケージの外部や大気中に良好に放散させ、パッケージの固定が容易で内部の気密信頼性を低下させることがない電子部品収納用パッケージおよび電子装置を提供すること。
【解決手段】 電子部品収納用パッケージの放熱部材1は、中央部に上面から下面にかけて貫通孔10を有する枠状の基体1aと、基体1aよりも熱膨張係数および熱伝導率が大きくかつ縦弾性係数が小さい材料から成る、基体1aの貫通孔10の上端から下端にかけて埋設されている貫通金属体11、貫通金属体11の上面から基体1aの側面にかけて形成された上部金属層1cおよび基体1aの下面に接合された下部金属板1bとから成り、下部金属板1bは、基体1aの下面の端よりも外側に延出した延出部を有しているとともに延出部にネジ止め用の切欠き部1dが形成されており、上部金属層1cは、外周端が下部金属板1bに接している。 (もっと読む)


マイクロデバイスは、デバイスマイクロ構造体(22)と、基板(24)と、そしてシリコンキャップ(30,130)とを備える。デバイスマイクロ構造体(22)は基板(24)に取り付けられる。シリコンキャップ(30,130)は、ベース部分(32,132)及びキャップ(30,130)内に中空部(36,136)を画定する側壁(34,134)を有する。シリコンキャップ(30,130)は、キャップ(30,130)内の中空部(36,136)がデバイスマイクロ構造体(22)を収容し、かつ、デバイスマイクロ構造体(22)に隣接して気密封止キャビティ(38)を形成するように基板(24)に取り付けられる。シリコンキャップ(30,130)はさらに、その中空部(36,136)に沿って埋め込まれ、キャビティ(38)内の真空を維持する単結晶シリコンゲッター層(40,140)を有する。単結晶シリコンゲッター層(40,140)を含むマイクロデバイスの形成方法も提供する。
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【課題】散熱効率がよくて使用寿命が長い発光デバイスを提供しようとする。
【解決手段】台座11と前記台座11の下面112から下へ延出してなった第1の端子12とからなっており、かつ前記台座11に、その上下2面111,112を貫通している縦穴14が形成してある導電性のある第1のリードフレーム10と、その上端部21が前記縦穴14内に挿入され、下端部22が第2の端子22とされて前記第1の端子12と接触せずに下へ延出している導電性のある第2のリードフレーム20と、前記縦穴14内の、前記上端部21と前記第1のリードフレーム10との間に充填されている電気絶縁材50と、前記第1のリードフレーム10の台座面と前記第2のリードフレーム20の上端面211との一方に搭載され且つ他方と導線60を介して電気的に接続しているLEDチップ30とを具備することを特徴とする発光デバイス。 (もっと読む)


【課題】 本発明は貫通電極に空洞が発生しないように形成することを課題とする。
【解決手段】 貫通電極24は、蓋体14の基板14aを貫通する貫通孔28に充填された柱状電極30と、柱状電極30の下端側に形成され貫通孔28の内部寸法より幅広な下側電極パッド32と、柱状電極30の上端側に形成され貫通孔28の内部寸法より幅広な上側電極パッド34とを一体的に結合させたものである。貫通電極24は、下端電極パッド32が基板14aの貫通孔28の下端開口を閉塞するように設けられ、さらに、下端電極パッド32に積層されて貫通孔28の内部に充填された柱状電極30を有するため、柱状電極30の中心部分に空洞(ボイド)が発生せず、貫通孔28が高アスペクト比(厚さ/孔径)でも貫通孔28の内部に柱状電極30を安定的に形成することが可能になる。 (もっと読む)


【課題】 絶縁基体と透光性蓋体とを接合する接合材の紫外線の照射が適切に行われたものか否かを適切に識別することができ、所定の品質を確保、維持することのできる光半導体装置を提供すること。
【解決手段】 上面に光半導体素子3を収容し搭載するための凹部1aを有する絶縁基体1と、絶縁基体1の凹部1aの内側から外側に導出された配線導体2と、絶縁基体1の凹部1aの底面に接合されて搭載されるとともに電極4が配線導体2に電気的に接続された光半導体素子3と、絶縁基体1の上面に凹部1aを塞ぐようにして接合材7を介して取着された透光性蓋体5とを具備し、接合材7は紫外線によって変色する色素を含有している。 (もっと読む)


【課題】 真空雰囲気中で2次封止するものにおいて、容器内に封止材の溶融ガスを滞留させず、製品特性にばらつきが生じことがない圧電振動デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】 真空雰囲気中で容器1の開口部周縁部とこの開口部を覆う蓋2とを封止材2bを介して溶接してなり、上記溶接の工程は、上記開口部周縁部の一部に開口残部を残して溶接する1次封止工程と、真空引きすることで排気する工程と、その後溶接されていない上記開口残部と上記蓋とを溶接してなる2次封止工程とを具備してなる圧電振動デバイスを製造する方法であって、上記開口部の平面積をaとし、開口残部の寸法をbとした場合、7.33≦a/b≦10.4にて定義化された封止条件で1次封止を行うことにより、当該圧電素子を封止してなる。 (もっと読む)


【課題】 結露による絶縁破壊や性能劣化を防止し、耐環境性を向上させたチップデバイスを提供する。
【解決手段】 内部空間を有するパッケージに収容され、基板40上に例えば電気回路を構成する構造体を具備してなるチップデバイスにおいて、電気回路が設けられていない部位の表面に、金属薄膜よりなる結露発生部57を設ける。結露が生成されるような状況となった場合に、選択的・優先的に結露発生部57に結露を生成させることができ、よって危険箇所での結露を防止することができる。 (もっと読む)


【課題】OEデバイスのパッケージングを改善する方法を提供する。
【解決手段】上記課題は、ウエハスケール・パッケージ用のリッドを形成する為の方法であって、基板中に空洞を形成するステップと、前記ウエハ上の前記空洞上及び前記空洞周囲のボンディング領域上に酸化物層を形成するステップと、前記酸化物層の上に反射層を形成するステップと、前記反射層の上に障壁層を形成するステップと、前記ボンディング領域の上にある前記障壁層の一部をエッチングして前記反射層の一部分を露出するステップと、前記反射層の一部分の上にはんだ層を形成するステップとを有することを特徴とする方法により解決される。 (もっと読む)


【課題】パッケージの伝送特性の劣化を防止する安価な高周波用パッケージを提供する。
【解決手段】半導体素子載置部を有する金属製の基体13と、これに載置部を囲繞するように接合される枠体11からなり、この一側壁に穿設された取付部15にアダプター16を接合すると共に、これに枠体外側で大きい開口径となる段差部20を有する挿通孔21に同軸コネクター19がコネクター芯線支持部22の一方の端面を段差部20に当接して接合される高周波用パッケージ10において、コネクター芯線支持部22の一方の端面から突出するコネクター芯線24の一方の端部を接続するための導体配線パターンからなる信号線26を、コネクター芯線24と並行する方向に相対向する端面の稜線まで備えた伝送基板25が、一方の端面と枠体内側に露出するアダプター16の側壁部17の壁面との間に隙間27を有してアダプター16に備えられた台座部18上に設けられている。 (もっと読む)


【課題】終端回路から半導体素子に高周波信号の反射波が逆流して半導体素子が誤動作するのを防ぐことができる半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置を提供すること。
【解決手段】 終端用回路基板8は、その上面に一端が半導体素子5に電気的に接続され他端が終端抵抗8dを介して接地される高周波信号を伝送する線路導体8aと、一端が線路導体8aの途中に接続され他端が直流電源に接続される直流バイアス供給用のバイアス線路8cとを具備しており、バイアス線路8cは、その途中に線路導体8aの特性インピーダンスの2倍以上のインピーダンスを有する抵抗体8eが挿入されている。 (もっと読む)


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