【課題】 電子部品のフリップチップ実装後の温度変化による応力を緩和し、接続信頼
性を高める。
【解決手段】 電子部品を基板にフェイスダウン状態で押圧し、電子部品の電極と基板
の電極とをバンプを介して接続するする超音波フリップチップ実装の実装構造であって、
基板１の少なくとも電子部品を超音波フリップチップ実装する面に液晶ポリマ層４を配設
し、この液晶ポリマ層４の上に配線層５を形成し、少なくともこの配線層の一部を最外面
が金からなる電極５Ａに形成し、この電極５Ａと電子部品８の電極とを金からなるバンプ
７を介して接続することを特徴とする超音波フリップチップ実装構造。 （もっと読む）

集積回路（１００）を搭載する基板材料（１３０）が熱伝導性材料の非導電性メッシュ（１３５）を含む。このメッシュは非導電性なので、基板近傍のありとあらゆる回路トレース（１５５）を接触させ、これら回路トレース（１５５）を熱結合ヒートシンクとして用いことができる。好ましい実施形態では、基板において従来用いられている構造物ファイバーグラスメッシュの代わりに熱伝導性メッシュ（１３５）を用いるので、メッシュ（１３５）が二重構造的に且つ熱的に機能する。
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スルー・バイア接続を有する両面ＳＯＩウエハ・スケール・パッケージを作製するためのデバイスおよび方法を提供する。半導体パッケージは、集積回路システムを含む第一の面と、第一の面とは反対側にあり、少なくとも一つの空洞を形成する第二の面とを有するＳＯＩウエハを含む。空洞の中に少なくとも一つのチップまたは構成部品が配置される。導電性スルー・バイアがチップ（単数または複数）を集積回路システムに接続する。
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【課題】本発明は、一般に、スピネル結晶充填剤に有用な、ポリイミドベースマトリックス中に分散されているポリイミド複合体であって、０．０５と０．６０ミクロン^-1の間およびこれらの値を含む可視−赤外線吸光係数を有する複合体を提供すること。
【解決手段】そこから形成された複合体ポリイミドは、典型的な場合、ポリイミド基板に隣接した微細な導電性経路を有する回路を作製するのに使用される。これらの微細な導電性経路は、典型的な場合、無電解金属メッキステップを使用して、基板上に形成される。まず、ポリイミド複合体の表面を、典型的な場合にはレーザ光線を使用して光活性化し、次いで光活性化した部分をメッキして、細いラインまたは経路を被膜表面に形成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、上記回路基板の樹脂層を形成した場合に、誘電特性および密着性に優れる樹脂組成物を提供すること。また、本発明の目的は、誘電特性および密着性に優れる樹脂層を提供すること。また、本発明の目的は、誘電特性および密着性に優れる樹脂層付きキャリア材料を提供すること。また、本発明の目的は、誘電特性、実装信頼性および層間接続信頼性に優れた回路基板を提供すること。
【解決手段】 本発明の樹脂組成物は、回路基板の樹脂層を形成する樹脂組成物であって、特定のエポキシ基を側鎖に有する環状オレフィン系樹脂と、重合開始剤とを含む。また、本発明の樹脂層は、上述の樹脂組成物で構成されている。また、本発明の樹脂層付きキャリア材料は、上述の樹脂層が、キャリア材料の少なくとも片面に形成されている。また、本発明の回路基板は、上述の樹脂層を有する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、半導体チップを樹脂基材に内蔵するチップ内蔵基板及びその製造方法に関し、薄型化することができ、他のチップ内蔵基板を搭載すると共に、基板（例えば、マザーボード）に接続することのできるチップ内蔵基板及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 樹脂に球状のフィラーを樹脂基材３１全体に対して６０〜９０ｗｔ％含有させた樹脂基材３１により半導体チップ３３を内蔵すると共に、樹脂基材３１を貫通する貫通ビア４４と、樹脂基材３１の上面３１ａに形成され、貫通ビア４４と電気的に接続された第１の外部接続端子５３と、樹脂基材３１の下面３１ｂに形成され、貫通ビア４４と電気的に接続された第２の外部接続端子５４とを設けた構成とした。 （もっと読む）

カーボンナノチューブ材料を、集積回路基板に用いる。実施例によれば、集積回路配置（１００）は、そこにカーボンナノチューブ構造（１２０）を有する基板（１１０）を含む。カーボンナノチューブ構造を、一つ以上の種々の方向に構造的支持および／または熱伝導性を与えるように配置する。いくつかの場合で、カーボンナノチューブ構造を、集積回路配置にほぼ全体の構造的支持を与えるように配置する。他の例において、カーボンナノチューブ構造を、基板の全体にわたって熱を分散するように配置する。さらに他の実施例において、カーボンナノチューブ構造を、カーボンナノチューブ基板の選択された部分から熱を取り除くように配置する。
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シート材（１）において、接着層（２）を設け、この接着層（２）に高強度層（３）を積層する。接着層（２）は、熱硬化性材料であるエポキシ樹脂により形成する。また、高強度層（３）は、エポキシ樹脂の熱硬化温度において軟化せず、引張破断強度が硬化後の前記熱硬化性材料の引張破断強度よりも高く、温度が２３℃のときの引張破断強度が１００ＭＰａ以上であり、温度が２３℃のときの破断伸率が１０％以上であり、温度が−６５℃のときの引張破断強度をａとし温度が１５０℃のときの引張破断強度をｂとするとき比（ａ／ｂ）の値が２．５以下であるポリイミドにより形成する。
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集積回路配置の電気的に接続を、カーボンナノチューブにより容易にする。様々な実施例により、カーボンナノチューブ材料（１２０、１３５）は、金属のような他の材料（１３０、１２５）と関連する。カーボンナノチューブ材料は、異なる回路素子間の電気的に接続を容易にする。
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接着テープ型材料は、一方向導電性を有する。本発明の実施形態によれば、カーボンナノチューブ（２１２、２１４、２１６、２１８）は、テープベース型材料（２１０）の中でほぼ平行配列で構成される。カーボンナノチューブは、それらのほぼ平行方向に、（例えば、電気的および／または熱的に）導通し、テープベース型材料が、ほぼ横方向に導通するのを妨げる。いくつかの実施態様では、テープベース材料が、集積回路部品（２２０、２３０）の間に導電接続を形成するカーボンナノチューブとともに、前記集積回路部品（２２０、２３０）の間に配置される。このアプローチは、パッケージ基板、相互に、および／またはリードフレームに対する集積回路ダイ（フリップチップおよび従来のダイ）のように種々の部品をともに連結するのに適用することができる。
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