説明

国際特許分類[H01L25/16]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体 (14,678) | 装置が27/00〜51/00の2つ以上の異なるメイングループに分類される型からなるもの,例.ハイブリッド回路の形成 (138)

国際特許分類[H01L25/16]に分類される特許

131 - 138 / 138


【課題】 圧電振動子を半導体素子等の他の電子部品とともに収容しても小型化が可能であり、かつ圧電振動子の発振周波数特性等の特性に優れるとともに、外部の電気回路等に対する電気的な接続の信頼性に優れた圧電振動子収納用パッケージおよび圧電装置を提供すること。
【解決手段】 上面に複数の凹部5が形成された絶縁基体1と、絶縁基体1の上面の複数の凹部5の周囲に全周にわたって形成された枠部10と、枠部10の内側から絶縁基体1の外表面にかけて形成された配線導体6と、絶縁基体1の上面に複数の凹部5を塞ぐように取着される蓋体7とを具備しており、複数の凹部5のうちの1つに圧電振動子2,3が収容されるとともに他の一つに電子部品4が収容され、蓋体7の上面に半導体素子8が搭載されている。 (もっと読む)


本明細書では、マイクロ電子イメージャ、マイクロ電子イメージャをパッケージ化するための方法、マイクロ電子イメージャに導電性のウエハ貫通型相互接続部を形成するための方法が開示されている。1つの実施形態において、マイクロ電子イメージングダイは、マイクロ電子基板と、集積回路と、集積回路に対して電気的に結合されたイメージセンサとを含むことができる。ボンドパッドは、基板によって支持されるとともに、集積回路に対して電気的に結合されている。導電性のウエハ貫通型相互接続部は、基板を貫通して延びてボンドパッドと接触している。相互接続部は、基板およびボンドパッドを完全に貫通して延びる通路と、通路内に堆積されて基板と接触する誘電体ライナと、誘電体ライナの少なくとも一部の上に堆積される第1および第2の導電層と、第2の導電層の少なくとも一部を覆って通路内に堆積され且つボンドパッドに対して電気的に結合された導電性の充填材料とを含むことができる。
(もっと読む)


【課題】 光素子1と光素子の周辺回路を形成したIC7とを搭載した光素子モジュールで発生する入出力端子不足を解消し、小型の光素子モジュールを得る。
【解決手段】 IC7を搭載するセラミック基板3の配線層を2層とし、外部との接続パッド2の配置は、内層配線からビアを経由した第1列と、表層配線16による第2列と第3列との、少なくとも3列で構成する。 (もっと読む)


【課題】送受信切替えのスイッチ回路を小型化するとともに消費電流を低減し、アンテナ端子とスイッチの間の整合を調整する手段を与え、かつ、スイッチの高電圧サージに対する耐性を向上し、モジュール全体として小型化、低ロス化、高アイソレーション化を実現する。
【解決手段】誘電体層と導体層が交互に積層されてなる多層基板の表面および/または内部に、アンテナ端子に接続され通過帯域の異なる複数の送受信系を各送受信系に分ける分波回路と、該分波回路に接続され前記各送受信系を送信系と受信系に切り替えるスイッチ回路と、該スイッチ回路に接続され各送信系の通過帯域での送信信号を増幅する電力増幅回路と、該電力増幅回路の整合回路と、を備えた高周波モジュールであって、前記電力増幅回路および前記スイッチ回路を、いずれも高周波半導体集積回路素子として、それぞれ前記多層基板の表面に実装してなることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】発熱性半導体素子の放熱特性と抵折強度の確保と小型化を行った半導体装置を提供する。
【解決手段】第1のキャビティ内にある前記高熱伝導性セラミック基板上の回路パターンに第1の能動素子(1)が載置され、第2のキャビティ内にある高熱伝導性セラミック基板上の回路パターンに第2の能動素子(13)が載置され、第2の回路基板の表面に外部電極(4)が一体化され、第1の回路基板面をキャップ装着(8)又は樹脂封止した半導体装置であって、第2の回路基板(11)には放熱性ビア(26)が形成され、高熱伝導性セラミック基板(9)と第2の回路基板表面の外部電極(4)とが熱的に接続されており、第1及び第2の能動素子(1,13)から選ばれる少なくとも一つの能動素子からの発熱を、高熱伝導性セラミック基板(9)及び放熱性ビア(26)から第2の回路基板表面の外部電極(4)を介して外部に放熱する。 (もっと読む)


【課題】超音波素子と発熱の大きい半導体素子とを同一基板に高密度に実装することが可能な小型、高性能な高周波モジュールを提供すること。
【解決手段】半導体素子と超音波素子にそれぞれ導電体(ビアホール)を用いた放熱構造を設けて、超音波素子と熱接地面との間の熱抵抗を半導体素子と超音波素子の間の熱抵抗よりも小さくし、半導体素子と超音波素子の間の最短距離を1mm〜5mmにする。半導体素子と超音波素子の間の基板部分に空洞を設けて、熱抵抗を半導体素子と超音波素子の間の熱抵抗を大きくする。 (もっと読む)


【課題】 従来例の半導体装置では、モールド部の外側に電極端子を形成しなければならなかったため、端子部の大きさが余分に必要であり、外形形状を小さくすることが出来なかった。また、パターン面がモールド部端面を横切るため、モールド工程において、金型がパターンを押さえ、パターンを断線させてしまうというという問題があった。
【解決手段】 基板上に発光チップ、受光チップ、IC等電子部品を実装し、樹脂モールドする半導体装置において、該基板に多層積層基板を使用し、該多層積層基板の端面にまで及ぶ樹脂モールド部を有することを特徴とするものである。 (もっと読む)


【課題】ドライバから出力される送信デジタル信号を信号配線を介してレシーバに伝送する伝送回路を有する電子装置に関し、信号伝送の高速化を図る。
【解決手段】配線基板20に形成する電源配線27及び接地配線28をカップリング係数を大とする等長平行配線からなるペア配線構造とし、CMOS差動ドライバ30に供給すべき相補信号エネルギーに対して電源・接地配線ペア26を電磁界がほぼ閉じた伝送線路として機能させる。 (もっと読む)


131 - 138 / 138