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国際特許分類[H01L25/16]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体 (14,678) | 装置が27/00〜51/00の2つ以上の異なるメイングループに分類される型からなるもの,例.ハイブリッド回路の形成 (138)

国際特許分類[H01L25/16]に分類される特許

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【課題】 電力用半導体装置において、主回路の電流容量を向上させ回路抵抗を低下し、また、素子上で熱分散させ電力用スイッチング半導体素子のエミッタセル分割起因のゲート発振を抑制する。
【解決手段】第1の基板の表主面に配置された第1の回路パターン上に電力用半導体素子の裏面電極を接続し電力用半導体素子を搭載すると共に、電力用半導体素子の表面電極と対向するように配設された第2の基板の対向主面に形成された第2の回路パターンの電極を、電力用半導体素子の表面電極と第1の回路パターンの少なくともいずれかに接続する電力用半導体装置において、電力用半導体素子の表面電極のメタライズ部と、第2の基板の電極のメタライズ部が、直接に半田により接合して接続部を形成し、電力用半導体素子表面上のメタライズ部以外の部分は、耐熱性樹脂で覆われている。 (もっと読む)


【課題】貫通孔不良を解消して、信頼性の高い異種デバイスが搭載可能な集積半導体装置及び集積3次元半導体装置を提供する。
【解決手段】内側領域に並置された複数の集積回路チップと、前記複数の集積回路チップのそれぞれの周囲に充填され前記複数の集積回路チップを保持し、石英フィラを含有する第1絶縁部と、前記内側領域の表面に配置され、前記複数の集積回路チップの少なくともいずれかに接続された配線層と、前記内側領域に配置され、前記複数の集積回路チップの少なくともいずれかと外部回路とを接続するための入出力部と、前記内側領域の周囲の外側領域の少なくとも一部に配置され、前記第1絶縁部よりも低い石英フィラ含有比率を有する第2絶縁部と、前記第2絶縁部を貫通し表面と裏面とを接続する貫通電極と、を備えたことを特徴とする集積半導体装置が提供される。 (もっと読む)


【課題】加速度センサパッケージの薄型化を図ると共に、加速度センサチップの可撓部の破損を防止する手段を提供する。
【解決手段】加速度センサパッケージが、縁部に複数のパッドが形成されたパッド形成面を有する加速度センサチップと、接続端子が形成された端子形成面を有する制御チップと、加速度センサチップおよび制御チップを収容する収容凹部と、収容凹部の底面のパッドに対応する位置に配置された底面端子とを有するケース体と、を備え、加速度センサチップのパッドを、ケース体の底面端子に電気的に接続すると共に、加速度センサチップのパッド形成面と反対側の裏面に、制御チップの端子形成面と反対側の裏面を接合する。 (もっと読む)


【課題】実装の歩留まりを向上させた圧電デバイスを提供する。
【解決手段】一面に外部電極12を有しその反対面にリッド14を有する圧電振動子16と、前記圧電振動子16を駆動させる回路を有するICチップ18と、前記圧電振動子16と前記ICチップ18とを接続するリードフレーム20と、を備える圧電デバイス10であって、前記ICチップ18は前記リードフレーム20の一方の面に接続され、前記外部電極12は前記リードフレーム20の他方の面に接続されている。前記リードフレーム20には、前記リードフレーム20の前記ICチップ18との接続面と、前記リードフレーム20の前記外部電極12との接続面とが対向する方向に段差が設けられている。 (もっと読む)


【課題】小型化され、かつ、安定的に動作する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、複数のチップを1つのパッケージ内に封止した半導体装置であって、ダイパッド500と、ダイパッド500に搭載され、アナログ信号のデジタル信号への変換処理を行なうための回路が形成されたA/Dコンバータ100と、ダイパッド500に搭載され、少なくともデジタル信号の処理を行なう回路が形成された画像プロセッサ200と、A/Dコンバータ100と画像プロセッサ200とを接続し、A/Dコンバータ100とMCU200との間でデジタル信号を伝達するワイヤ700Bと、ダイパッド500に搭載されたA/Dコンバータ100およびMCU200を封止する封止樹脂900とを備える。 (もっと読む)


【課題】電極パッド間を接合する際の接合不良を低減する。
【解決手段】パッケージ基体12上に第1半導体チップ13と第2半導体チップとが並設されている。第1半導体チップ13上には、Al膜32が露呈した電極パッド18が形成されている。第2半導体チップ14上には、Al膜42が露呈した電極パッド19が形成されており、Al膜42の表面上にAuバンプ44が形成されている。電極パッド18と電極パッド19との間を金線のワイヤ20を用い、ワイヤボンディング法で接続する際、第1ターゲットとしての電極パッド18上にボールボンディングを行い、第2ターゲットとしての電極パッド19のAuバンプ44上にステッチボンディングを行う。電極パッド18,19は、それぞれ複数形成されており、互いに接続される電極パッド18と電極パッド19とは、一対一に等しい距離で等間隔に配置されている。 (もっと読む)


【課題】トランスポーザ等の中継部材が介在した場合でも、信号伝送の高速化が図られ、回路設計の自由度が高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、送受光素子3aを有するCPUチップ4と、送受光素子3bを有するメモリチップ5と、送受光素子3a,3bの間で光を伝送するための導波路2を有し、CPUチップ4およびメモリチップ5と接合されたトランスポーザ1とを備える。 (もっと読む)


【課題】光連結手段を備えたマルチチップを提供する。
【解決手段】平行に積層された複数のシリコンチップ210、230と、各シリコンチップの側面に互いに対応するようにそれぞれ接着され、それぞれ発光素子及び/または受光素子を備える複数の光素子アレイ220、240と、シリコンチップとシリコンチップの側面に設置された光素子アレイとを連結する配線228、238とを備え、光素子アレイは、複層で形成されて相異なる層の対応する光素子間の光信号を送受信するマルチチップである。 (もっと読む)


【課題】湾曲した状態においても、封止樹脂が剥離するのを抑制することが可能なプリント配線基板を提供する。
【解決手段】このプリント配線基板10は、可撓性を有する基材11と、基材11の主表面側に形成され、複数のLED素子20、21および22が搭載される配線層12と、LED素子20、21および22を封止する封止樹脂30が配置される樹脂封止領域10dの裏面側を覆うように、基材11の裏面側に形成された配線層14とを備えている。可撓部10bにおける配線層14のB方向の配線幅(=W7)は、硬質部10aにおける配線層14のB方向の配線幅(=W5)よりも小さい。 (もっと読む)


【課題】歩留まり低下を防ぐと共に、信頼性の高いデバイス及び電子機器を提供すること。
【解決手段】第1端子が設けられる第1領域を有する第1機能素子と、前記第1端子に接続される第2端子が設けられる第2領域を有する第2機能素子とを備えるデバイスであって、前記第1機能素子よりも前記第2機能素子の方が平面視で面積が大きく、前記第1領域よりも前記第2領域の方が平面視で面積が大きい。 (もっと読む)


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