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国際特許分類[H01L25/16]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体 (14,678) | 装置が27/00〜51/00の2つ以上の異なるメイングループに分類される型からなるもの,例.ハイブリッド回路の形成 (138)

国際特許分類[H01L25/16]に分類される特許

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【課題】通信信号を安定して出力することができる通信モジュールを提供することを課題とする。
【解決手段】本発明の通信モジュールは、圧電発振器搭載パッドと第1の封止用導体パターンと窪み部とが設けられているモジュール搭載部材と、第1の集積回路素子と、圧電発振器であって、モジュール搭載部材用接続端子と第2の封止用導体パターンとが設けられている素子搭載部材と圧電振動素子と第2の集積回路素子と蓋部材とを備えている圧電発振器と、圧電発振器と第1の集積回路素子とを被覆するように設けられている樹脂層とを備え、モジュール搭載部材の第1の封止用導体パターンと、素子搭載部材の第2の封止用導体パターンとが接合され、第1の封止用導体パターンを囲むように設けられている圧電発振器搭載パッドと第2の封止用導体パターンを囲むように設けられているモジュール搭載部材用接続端子とが接合されていることを特徴とするものである。 (もっと読む)


【課題】半導体装置を製造する際に行う封止工程を各半導体装置に対して同時に行えるようにする。
【解決手段】信号処理回路部23が複数形成された回路チップ用ウェハ50を用意し、物理量センサ10を用意する。次に、物理量センサ10と信号処理回路部23とが電気的に接続されるように回路チップ用ウェハ50の表面51に物理量センサ10を複数実装する(図4(a))。この後、回路チップ用ウェハ50の表面51にモールド樹脂30を形成することにより、ウェハレベルで物理量センサ10それぞれをモールド樹脂30により封止する(図4(c))。さらに、回路チップ用ウェハ50およびモールド樹脂30を回路チップ20ごとにダイシングカットする(図4(d))。これにより、複数の物理量センサ10に対してモールド樹脂30の形成を同時に行うことができる。 (もっと読む)


【課題】 衝撃による圧電振動素子の剥がれを防ぐ。
【解決手段】 音叉形状又はH形状の圧電振動素子と、この圧電振動素子が搭載される圧電振動素子搭載パッドと第一の外部端子とを有する素子搭載部材と、圧電振動素子の周囲を気密の環境に維持するための第一の蓋部材と、素子搭載部材と第一の蓋部材との表面に設けられるポリイミド又はシリコンからなる樹脂部とから構成される慣性センサと、慣性センサと電気的に接続する慣性センサ接続パッドと第二の外部端子とを有し、慣性センサを搭載するモジュール部材と、慣性センサの周囲を気密の環境に維持するための第二の蓋部材と、を備えて構成される。 (もっと読む)


【課題】過負荷保護を有する交流発光ダイオード構造を提供する。
【解決手段】
本発明の過負荷保護を有する交流発光ダイオード構造は、交流発光ダイオードと、ヒートシンクユニットと、過負荷保護ユニットと、を含む。そのうち、交流発光ダイオードは、ヒートシンクユニットと導熱結合し、過負荷保護ユニットは、交流発光ダイオード及び電源の間に直列する。従って、過負荷電流が交流発光ダイオード構造に入力される時、過負荷保護ユニットの温度は、過負荷電流により上昇し、オフ状態を形成し、これにより適時に交流発光ダイオード構造にオフ状態を形成し、電源が交流発光ダイオードに入力されるのを遮断することに用い、過負荷保護の効果を達成する。
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【課題】簡易な製造プロセスで、光学素子の高密度実装と高性能化を実現する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第1のチップモジュールと第2のチップモジュールとが接着層を介して上下に貼り合わされた半導体装置であって、第1のチップモジュールは、第1の樹脂層を介して略同一平面上に接着された、光学素子を備える光学チップを複数個有し、第2のチップモジュールは、第2の樹脂層を介して略同一平面上に接着された、光学チップを制御する制御用半導体チップと、チップ内部を貫通する導電材を備える接続用チップとをそれぞれ複数個有し、光学チップと制御用半導体チップとが、接続用チップを介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置およびその製造方法。 (もっと読む)


【課題】基板等に実装した際に、低背化を図りつつ、接続部の視認を容易にすることができるとともに、信頼性の高い接続が可能な圧電デバイス、かかる圧電デバイスを備える電子機器、および前記圧電デバイスを製造する圧電デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】圧電発振器1は、実装用基板4と、実装用基板4上に載置され、圧電振動片2を収納するパッケージ3と、実装用基板4とパッケージ3との間に設けられ、圧電振動片2を駆動する電子部品6とを有している。また、実装用基板4の一部は上方に折り曲げられており、この折り曲げ部401の下面に実装端子43が設けられている。このような圧電発振器1を回路基板8に実装する場合、回路基板8と圧電発振器1との接続を半田付けすると、折り曲げ部401の下方に生じた隙間9に半田溜まり(接続部91)が形成され、これにより圧電発振器1が回路基板8に固定される。 (もっと読む)


【課題】樹脂の硬化時に発生する反りを抑制することを可能にするとともに薄化を可能にする半導体装置の提供。
【解決手段】第1チップ20と、第2チップ10と、第1樹脂34に第1材料定数調整剤36aが添加された第1接着膜32aと、第2樹脂34に第2材料定数調整剤36aが添加された第2接着膜32bとが積層された積層構造を有し、少なくとも前記第1チップの側面と前記第2チップの側面とを接着する接着部30と、を備え、第1樹脂と第2樹脂は同じ材料であり、第1材料定数調整剤と、第2材料定数調整剤は平均粒径が実質的に同一であり、第1接着膜に添加された第1材料定数調整剤の添加量と、第2接着膜に添加された第2材料定数調整剤の添加量が異なる。 (もっと読む)


【課題】アンダーフィル材を用いずに高い接続信頼性を有し、リペア可能な構成を備え、低コスト化及び環境への負荷の軽減が図れる半導体センサデバイスを提供する。
【解決手段】本発明の半導体センサデバイス1は、第一基板21に形成されたセンサ回路、該センサ回路と電気的に接続された第一導電部23、該第一導電部と電気的に接続された第一再配線層25、を少なくとも備える半導体センサチップ11と、第二基板31に形成され、前記センサ回路からの電気信号を処理する処理回路、該処理回路と電気的に接続された第二導電部33、該第二導電部と電気的に接続された第二再配線層35、を少なくとも備える半導体チップ12と、を備え、前記第一再配線層と前記第二再配線層とが導電性の接続部材13を介して電気的に接続されてなる半導体センサデバイスであって、前記第一再配線層および/または前記第二再配線層の厚さが8μm以上20μm以下である。 (もっと読む)


【課題】生産コストを削減し、比較的小さな実装体積を有することができるクワッドフラットノンリードチップパッケージ構造を提供する。
【解決手段】リードフレーム110は、上表面112と下表面とを有し、複数のリード116a〜116cを有する。コントロールチップ120及び光センサチップ130をリードフレーム110の上表面112上に配設する。光センサチップ130を第1ボンディングワイヤ140を介してコントロールチップ120に電気的に接続する。コントロールチップ120を第2ボンディングワイヤ150を介して複数のリード116a〜116cに電気的に接続する。モールドコンパウンド160は、リードフレーム110の一部、コントロールチップ120、光センサチップ130、第1及び第2ボンディングワイヤ140,150を封入する。加えて、モールドコンパウンド160が複数のリード116a〜116c間を満たす。 (もっと読む)


【課題】プリモールドタイプのパッケージにあってパッケージ本体の反り等の変形を防止する。
【解決手段】MEMSチップ2がモールド樹脂体6に形成された凹部9内に収容されるとともに、凹部9が蓋体8により閉塞され、MEMSチップ2以外の他の半導体チップ3がモールド樹脂体6内に埋設され、端子部は、他の半導体チップ3に接続されモールド樹脂体から一部が露出する外部接続用端子部と、MEMSチップ2及び他の半導体チップ3の両方に接続された中継端子部24とを有し、中継端子部24は、MEMSチップ2に接続された部分が凹部9内に露出され、他の半導体チップ3に接続された部分がモールド樹脂体6内に埋設されている。 (もっと読む)


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