【課題】周波数変動を防止することができる圧電発振器及び生産性を向上させることができる圧電発振器の製造方法を提供する。
【解決手段】基板部１１０ａと枠部１１０ｂによって基板部１１０ａの一方の主面に凹部空間１１１が設けられた容器体１１０と、凹部空間内に露出した基板部１１０ａの一方の主面に設けられた２個一対の圧電振動素子搭載パッド１１３に搭載され、励振用電極１２２が設けられている圧電振動素子１２０と、基板部１１０ａの他方の主面に設けられた集積回路素子搭載パッドに搭載されている集積回路素子１４０と、凹部空間１１１を気密封止する蓋体１３０と、基板部１１０ａの他方の主面の４隅に設けられ、搭載された集積回路素子１４０よりも大きい厚さを有する直方体形状の端子部Ｔと、隣り合う端子部間に設けられ、端子部Ｔの厚さよりも薄い絶縁性壁部ＺＨと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】ビーム並行度が良好で集光性の高いレーザビームが一体化された発光素子を提供する。
【解決手段】凸面からレーザ光を出射させ、レーザ光の光軸が通過する第1レンズ１１４を備えた水平共振器面発光構造を備えたレーザ素子と、前記第1レンズ１１４を通過したレーザ光が通過する第２レンズ１１９とを備え、前記第２レンズ１１９を設けた面に対向する面と該第１のレンズ１１４を設けた面がレーザ光に対し透明な第１接着部材１２０により接着されていることを特徴とする光モジュール。 （もっと読む）

【課題】ＩＣチップを保護して亀裂等を防止し、発振周波数の変化を抑制して発振を確実に維持した表面実装発振器を提供する。
【解決手段】中央台座１ａの一主面と他主面とに枠壁で囲われた凹部を有する容器本体１と、前記一主面の凹部に水晶片２を収容して開口端面に金属カバー７を接合して密閉封入し、他主面の凹部にＩＣチップ３を収容して開口端面の４角部に実装端子４を有する表面実装水晶発振器において、前記他方の凹部は開口端面を絶縁カバー１０で覆って前記ＩＣチップ３を収容する空間部とし、前記絶縁カバー１０における４角部の一主面及び他主面には電気的に接続した補助端子１１を有し、前記一主面の補助端子１１は前記実装端子４に電気的・機械的に接続した構成とする。 （もっと読む）

【課題】ＴＣＸＯとＯＣＸＯの中間程度の良好な周波数温度特性を備え、安価で小型の発振装置を提供する。
【解決手段】凹部を備えた箱型の形状で、温度補償型水晶発振器と同程度の平面積に形成されたセラミックベース１上にＴＣＸＯを搭載する発振装置で、ＴＣＸＯが搭載される面と対向する面に凹部の開口部が設けられ、当該凹部に、温度制御回路と温度センサと発熱素子とを内蔵した半導体チップ３が搭載され、開口部がカバー２によって封止されている発振装置であり、ＴＣＸＯの温度を一定に保つことができ、ＴＣＸＯ単体に比べて周波数温度特性が優れた発振装置を小型且つ安価に実現できるものである。 （もっと読む）

【課題】ガラスリッドを採用し、パッケージベースとリッドとの接合に用いる接合材に脆性材料を用いたパッケージを搭載する場合であっても、樹脂部の挟持により接合材に割れや剥離を生じさせることの無い電子デバイスを提供する。
【解決手段】パッケージ１２の周囲を被覆する樹脂部５２を有し、パッケージ１２を構成するリッド１６とパッケージベース１４との接合に脆性材料を採用した圧電発振器１０であって、樹脂部５２には、リッド１６の外周にリッド１６上面の外縁部から樹脂部５２の側面へ向けて樹脂部５２の高さを低くしたダレ部５４を設け、ダレ部５４の下端部を、リッド１６下面の水平位置よりも下側に設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光素子の輝度を高く保持しつつ、発光素子のダイボンド強度を安定化させることが可能な光結合型半導体装置を提供する。
【解決手段】発光素子１１の４つの側面１４は、底面１２の縁に隣接する下側の各滑面化領域１４aと、これらの滑面化領域１４aの上側の各粗面化領域１４bとを有している。各側面１４の下側の滑面化領域１４aは、平滑化処理を施されて、平滑面にされた領域である。また、各側面１４の上側の粗面化領域１４bは、発光素子の輝度を高くするために、粗面化処理を施されて、粗面にされた領域である。底面１２の縁に隣接する下側の各滑面化領域１４aが滑面であることから、各滑面化領域１４aでは毛細管現象が発生せず、発光素子１１の底面１２の銀ペーストの硬化用溶剤が各滑面化領域１４aを通じて吸い上げられることはない。このため、銀ペーストの硬化が十分に促進され、ダイボンド強度が安定する。 （もっと読む）

【課題】機能素子の可動部分を配置した凹部を封止する封止膜の変形を抑制できる半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】表面１０ａに凹部１５が形成され、その凹部１５の底面に下端を接する支柱部１１、及び支柱部１１を囲むように凹部１５内に配置された可動部分を有する機能素子１００を備える半導体チップ１０と、支柱部１１の上端上に配置された柱状部２０２、及び半導体チップ１０の表面１０ａ上で凹部１５を囲んで環状に配置された環状部２０１を有するスペーサ２０と、スペーサ２０の柱状部２０２の上面２０２ａ及び環状部２０１の上面２０１ａに接し、空洞を形成するように凹部１５の上方を覆って配置された封止膜３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】予め中空構造を有するように封止されたＭＥＭＳ素子と半導体素子とを組み合わせた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳ素子４０は、ＭＥＭＳ素子を構成する貫通電極４３の一部が、アイランド部２１とリード部２２とが形成する空間に配置されるように固着され、貫通電極の一部と半導体素子３０、及び、半導体素子とリード部は、一方の側において、導電体５０により電気的に接続されている半導体装置１０。 （もっと読む）

【課題】電子回路基板の外部環境との接触を抑制することができる電気電子モジュールを提供する。
【解決手段】電子回路基板５と、この電子回路基板５を取り付ける金属ベース１とを備え、電子回路基板５を封止樹脂８で封止する電気電子モジュールにおいて、金属ベース１に、封止樹脂８との接着界面の外周部に対向する立ち上がり面２１を有する段差部２０を備える。封止樹脂８と立ち上がり面２１の間に形成される凹部９に樹脂組成物１２を充填する。 （もっと読む）

【課題】 演算LSIとメモリ間に転送が年々増加しており、その間の通信量の向上と通信にかかる電力の削減が求められている。これらのLSIを積層し通信距離を削減する方法が考えられる。
しかし、演算LSIとメモリLSIの単純な積層では、増加する熱密度に対する放熱特性の確保、積層パッケージ外部への高速通信のための伝送路特性の確保などが困難となる。LSIの汎用性を確保しつつ積層されたLSI間の通信性能を向上させる接続トポロジーも必要となる。
【解決手段】 半導体パッケージ内に積層LSI外へ外部通信LSI、メモリLSI、演算LSIをこの順序で積層し、各LSI間を貫通電極で接続する。また、積層されたメモリLSIの貫通電極入力端子に対して複数の積層されたLSIの出力端子を接続し、積層されたメモリLSIの貫通電極出力端子に積層された複数のLSIの入力端子を接続することで、メモリLSIの配線に外部通信LSIと演算LSIの両方を直接接続する。 （もっと読む）