説明

国際特許分類[H01L25/16]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体 (14,678) | 装置が27/00〜51/00の2つ以上の異なるメイングループに分類される型からなるもの,例.ハイブリッド回路の形成 (138)

国際特許分類[H01L25/16]に分類される特許

81 - 90 / 138


【課題】インジケータの位置に変更があっても効率よく製造可能であるインジケータ付きモジュールおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】電子素子2と、基板1と、端子3と、電子素子2の動作状態に応じて点灯するLEDチップ4と、を備えた半導体リレーモジュールA1であって、LEDチップ4からの光を入射させる光入射部5a、およびこの光を出射させる光出射部5bを有する導光部材5と、電子素子2および導光部材5のうち光出射部5b以外の部分を覆う樹脂コーティング6とを備えており、光出射部5bは、端子3が延びる方向とは異なる方向において基板1および電子素子2よりも突出しており、光出射部5bと樹脂コーティング6のうち光出射部5bを囲う部分とは、面一とされている。 (もっと読む)


【課題】半導体装置に流れる電流の変動に起因するチップ内部の電源ノイズを低減することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】高電位電源電圧(VDD)と低電位電源電圧(VSS)との供給を受けて動作する半導体集積回路チップ30を有する半導体装置において、半導体集積回路チップ30が、定常動作状態において、高電位電源電圧(VDD)と低電位電源電圧(VSS)との少なくとも一方の供給を、ダイオードを介して受けることを特長とする。
ここで、前記ダイオードは、前記半導体集積回路チップが形成された半導体基板上に形成してもよく、前記半導体集積回路チップ30を格納したパッケージ50内の、前記半導体集積回路チップ30外に設けてもよい。 (もっと読む)


音響アセンブリは、集積回路パッケージの活性部分から集積回路パッケージの底部を貫く導電性ビアを有する集積回路パッケージを有する。その底部は、集積回路パッケージの基板の底部側である。音響要素は、基板の前記底部側に位置付けられ、ビアは、音響要素に集積回路パッケージの活性部分を電気的に結合するように備えられている。一実施形態においては、音響要素は音響積層構造であり、集積回路パッケージはASICである。アセンブリは、マイクロビームフォーマトランスジューサとして用いられるように形成されることが可能である。
(もっと読む)


【課題】最終的な半導体装置としてのサイズの縮小化、及び薄型化が可能で、且つ、製造工程の容易化等を図る。
【解決手段】半導体装置は、平坦な被搭載面を有する回路チップ40と、この回路チップ40よりもサイズの小さな回路チップ20と、シート状の支持体22とを備えている。回路チップ20は、基板上に形成され、この基板に固定された平坦な裏面と、この裏面の反対側に位置する平坦な表面とを有している。支持体22は、回路チップ20の表面に貼着され、この回路チップ20を支持するものである。そして、支持体22により支持された回路チップ20の裏面を前記基板から剥離して前記被搭載面に圧接し、回路チップ20の裏面と前記被搭載面とを分子間結合力(例えば、水素結合)により固定している。 (もっと読む)


【課題】本発明は半導体装置の小型化及び省スペース化することを課題とする。
【解決手段】半導体装置100は、半導体基板102の上面に発光素子120が実装されている。半導体基板102の不純物拡散領域には、導電型のP層104と、P層104に導電型のN型不純物が注入されて拡散されたN層106からなるツェナーダイオード(半導体素子)108が形成されている。半導体基板102は、シリコン(Si)により形成されており、その表面には、絶縁層としての酸化膜112が形成されている。半導体基板102の上面側には、上面側配線層114A,114Bが形成されている。発光素子120の電極122,124は、上面側配線層114A,114Bを介して貫通電極110A,110Bに接続されており、且つP層104とN層106は上面側配線層114A,114Bを介して発光素子120に対して並列となるように接続されている。 (もっと読む)


【課題】微細化に対応可能でかつ材料利用効率が高く、電気接続端子間にフローティングの金属が存在せず高周波特性に優れているインターフェイスモジュール付きLSIパッケージを提供する。
【解決手段】信号処理LSI11が搭載され、裏面側に実装ボード接続用電気端子14を有し、表面側に第1の電気接続端子17を有するインターポーザ10と、外部機器と配線するための高速信号用の伝送線路21が設けられ、裏面側に第2の電気接続端子26を有し、インターポーザ10が実装基板上に実装された状態で、第1及び第2の電気接続端子17,26の機械的接触によりインターポーザ10と電気的に接続されるインターフェイスモジュール20と、を具備した、インターフェイスモジュール付きLSIパッケージであって、第1及び第2の電気接続端子17,26の少なくとも一方は、導電性ゴムバンプからなる。 (もっと読む)


【課題】他のモジュールに対して、誤動作やノイズなどの影響を排除しつつ、単純な構造で小型化された無線通信モジュールを有する電子部品を提供する。
【解決手段】電子部品100は、多層構造を有する基板101と、前記基板101の第1の面に実装された無線通信モジュールM1と、前記基板101の前記第1の面の反対側の第2の面に実装された、前記無線通信モジュールM1と接続して用いられる別のモジュールM2と、を有している。 (もっと読む)


【課題】可撓性が乏しい無機半導体装置と、可撓性がある有機半導体装置とを組み合わせ、曲面や形状の変化する用途、製品に用いることの出来る半導体装置を提供する。
【解決手段】有機半導体装置11と、小型の無機半導体装置12を組み合わせて用い、相互を電気的に接続し、かつ可撓性のある有機材料体13に包含させる構成とした。この結果、有機半導体装置11と無機半導体装置12の長所を併せ持ち、かつ可撓性があって、曲面や形状の変化する用途、製品に用いことのできる半導体装置が具現化した。 (もっと読む)


【課題】小型、薄型、かつ低価格を実現することが可能な、圧電発振器の新規な構造と、その製造方法を提供すること。
【解決手段】電気回路が形成された半導体チップ(11)の主面上に、圧電振動子(10)を直接に搭載し、また、半導体チップ(11)の主面上に、圧電振動子(10)の厚みよりも背の高い、外部電極としての電極ポスト(15)を形成する。半導体チップ(10)上の配線層(12)を多層配線構造とすることによって、半導体チップ(11)や電極ポスト(15)の配置の自由度が向上し、また、圧電振動子(10)を樹脂層により被覆することによって、信頼性がさらに向上する。 (もっと読む)


【課題】ICチップと光学部品とが一体化された光通信用部品であって、ICチップと光学部品との距離が短く、電気信号伝送の信頼性に優れるICチップ実装用基板を提供する。
【解決手段】基板の両面に導体回路と層間樹脂絶縁層とが積層形成されたICチップ実装用基板であって、
前記ICチップ実装用基板の一の面側には、受光部および発光部がそれぞれ露出するように、受光素子および発光素子が内蔵または収納され、
前記ICチップ実装用基板の他の面側には、ICチップが取り付けられる部位を備えていることを特徴とするICチップ実装用基板。 (もっと読む)


81 - 90 / 138