それぞれ一つの半導体層列を複数の半導体本体（２）が設けられる、光電構成素子（１）の製造方法が提供される。さらに複数の接続面（３５）を備える構成素子担体結合体（３０）が作製される。半導体本体（２）は、構成素子担体結合体（３０）に対して位置決めされる。接続面（３５）と所属の半導体本体（２）との間には導電接続が形成され、この半導体本体は構成素子担体結合体（３０）に取付け固定される。光電構成素子（１）が完成される。このとき各光電構成素子（１）に対して、構成素子担体（３）が、半導体本体（２）が取付け固定されている構成素子担体結合体（３０）から形成される。さらに光電構成素子が記載されている。
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【課題】耐ノイズ性を向上させるとともに回路基板の小型化を図ったチップ間端子接続方法及びそれを用いて作製した回路基板を具備する火災感知器を提供する。
【解決手段】プリント基板よりなる回路基板２には、フォトダイオードＰＤと、フォトダイオードＰＤの出力を信号処理する光素子用集積回路チップＩＣ１とが実装される。回路基板２には、光素子用集積回路チップＩＣ１の実装位置の周辺に中継用の配線パターン２ａを設けるとともに、光素子用集積回路チップＩＣ１における実装面と反対側の表面に電極を設け、光素子用集積回路チップＩＣ１の表面の所定位置に、受光面を光素子用集積回路チップＩＣ１と反対側に向けた状態でフォトダイオードＰＤを載置固定した後、フォトダイオードＰＤ及び光素子用集積回路チップＩＣ１の電極をそれぞれ配線パターン２ａにワイヤボンディング法により接続する。 （もっと読む）

【課題】面型光素子の結合損失の低減が可能な光電子回路基板を提供する。
【解決手段】光電子回路基板１は、光信号を送信する第１の光モジュール１２Ａ、および光信号を受信する第２の光モジュール１２Ｂを実装した第１および第２の基板１０、１１と、第１および第２の基板１０、１１間に設けられた光導波路１３とを有する。第１の光モジュール１２Ａは、第１の中継基板１２２Ａ上に駆動回路チップ１２３Ａを実装し、駆動回路チップ１２３Ａ上に発光素子アレイ１２０を実装し、第１の中継基板１２２Ａを半田ボール１２５を介して第１の基板１０に電気的に接続したものである。第２の光モジュール１２Ｂは、第２の中継基板１２２Ｂ上に処理回路チップ１２３Ｂを実装し、処理回路チップ１２３Ｂ上に受光素子アレイ１２１を実装し、第２の中継基板１２２Ｂを半田ボール１２５を介して第１の基板１０に電気的に接続したものである。 （もっと読む）

【課題】チップを接着して積層した構造において、接着力を確保しながらチップに作用する外部応力を低減することができるセンサ装置を提供する。
【解決手段】センサチップ２と回路チップ３とは第１のフィルム状接着剤７により接着され、回路チップ３とセラミックパッケージ４とは第２のフィルム状接着剤８により接着されている。各フィルム状接着剤７，８はひし形形状をなしており、各チップ２，３の中心線上に対角線が位置するように配置されている。これにより、フィルム状接着剤７，８の接着面積を小さくして外部応力の影響を防止しながら、接着強度を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】光素子アレイと光導波路アレイとが直接的に光接続可能な光電変換モジュールとその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップをパッケージ基板に実装したＩＣ実装基板、受光素子アレイ、発光素子アレイ、受光導波路アレイと、発光導波路アレイとを含み、ＩＣ実装基板の一方側の側面に接合した光素子アレイをＩＣ実装基板と電気的に接続し、光素子アレイを光導波路アレイと光接続し、ＩＣ実装基板が備える半導体チップが、受光素子アレイから受けた信号を演算して発光素子アレイを駆動するようにして、光素子アレイと光導波路アレイとを直接的に光接続可能とした光電変換モジュールとする。 （もっと読む）

【課題】小型化に対応する圧電発振器とその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックパッケージ１が備える上部凹陥部４の内底面に水晶振動素子２の
一方端部で片持ち支持すると共に電気的な接続をした上で上部凹陥部４を蓋体６により気
密封止すると共に、下部凹陥部５の内底面にＩＣチップ３をフリップチップボンディング
し該ＩＣチップ３を収容した下部凹陥部５を充填樹脂７により封止する構造となっている
。前記下部凹陥部５の内底面に配設する配線パターン１２、１３夫々と該配線パターン１
２、１３夫々に導通するボンディングパッド夫々の厚みを、その他の配線パターン１５及
び配線パターン１２、１３とは不通のボンディングパッドより厚く（高く）なっており、
配線パターン１２、１３は互いに同じ厚みとした。 （もっと読む）

【課題】センサ特性の温度依存性を小さくでき且つ耐電気ノイズ性の低下を抑制できるセンサエレメントを提供する。
【解決手段】枠状のフレーム部１０の内側に配置される可動部にセンシング部の一部が設けられたセンサ本体１と、センサ本体１に重なる形でセンサ本体１に接合された第１のパッケージ用基板２および第２のパッケージ用基板３とを備え、センサ本体１、第１のパッケージ用基板２および第２のパッケージ用基板３が、それぞれ半導体基板であるシリコン基板を用いて形成され、センサ本体１とベース基板である第２のパッケージ用基板３とが第２のパッケージ用基板３におけるセンサ本体１との対向面に形成され表面のＲＭＳあらさが０．３ｎｍ以下のシリコン酸化膜からなる絶縁膜４１を介して接合されている。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子と配線基板での対応する導電路とが良好に接続される半導体装置を用いた放射線検出器を提供する。
【解決手段】 入力面２０ａ側で開口面積が大きくなるテーパ部２０ｄを有する貫通孔２０ｃが設けられたガラス基板、及び貫通孔２０ｃの内壁に形成された導電性部材２１からなる配線基板２０を用いる。この配線基板２０の入力面２０ａ上に形成された導電性部材２１の入力部２１ａに対し、ＰＤアレイ１５の出力面１５ｂ上に導電性部材２１に対応して設けられたバンプ電極１７を接続して、半導体装置５とする。そして、ＰＤアレイ１５の光入射面１５ａに光学接着剤１１を介してシンチレータ１０を接続し、配線基板２０の出力面２０ｂにバンプ電極３１を介して信号処理素子３０を接続して、半導体検出器を構成する。 （もっと読む）

電子機器（１，１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ）は、
・少なくとも１個の通口（５）を設けた基板（２）と、
・第１および第２の表面（９，１０）を有する差分センサの機能を持つＭＥＭＳデバイス（７）であって、互いに背反する第１および第２の反応面（１１ａ，１１ｂ）に対応する位置に存在する流体の化学的および／または物理的な変動を感知する少なくとも１個の感知部分（１１）を備えるタイプのＭＥＭＳデバイスとし、第１表面（９）は第１反応面（１１ａ）を露出した状態のままにし、第２表面（１０）には反対側の第２反応面を露出させる他の開口（１２）を設け、電子機器（１，１ｄ，１ｅ）は、ＭＥＭＳデバイス（７）の第１表面（９）が前記基板（２）に対して所定距離だけ離れて対面し、感知部分（１１）が、基板（２）の通口（５）に整列する特徴を有するものとした、該ＭＥＭＳデバイスと、および
・ＭＥＭＳデバイス（７）および基板（２）を少なくとも部分的に合体させる保護パッケージ（１４，１４ａ，１４ｅ）であって、この場合、第１および第２の反応面（１１ａ，１１ｂ）を、基板（２）の通口（５）を通して、また前記第２表面（１０）の他の開口（１２）を通してそれぞれ露出させるように合体させる、該保護パッケージ（１４，１４ａ，１４ｅ）と、
を備える。
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【課題】 搭載される電子部品の実装熱履歴による残留応力、及びそれらの電子部品から発生する熱により微小電子機械機構に歪や応力が加わることを防止することができるとともに、薄型化を実現することができる微小電子機械部品封止用基板を提供する。
【解決手段】 半導体基板と該半導体基板の主面に形成される微小電子機械機構と該微小電子機械機構に電気的に接続される第１電極とを有する微小電子機械部品の微小電子機械機構を気密封止するとともに、第１電極に電気的に接続される第２電極を有する電子部品を搭載する微小電子機械部品封止用基板であって、絶縁基板の第１主面は、半導体基板の主面に接合される第１領域と電子部品が搭載される第２領域とを有し、絶縁基板の内部に形成された配線導体は、第１主面における第１領域に導出され第１電極に電気的に接続される一端と、第１主面における第２領域に導出され第２電極に電気的に接続される他端とを備える。
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