【課題】半導体チップに供給する電圧を、公称最大動作電圧を超えて増加可能にする電力供給方法の提供。
【解決手段】組立てパッケージ内に所定の最大動作電圧を超えない電源電圧で動作するようにされた少なくとも一つの電力入力を有する複数の論理回路１６を有するチップ４を有する集積回路２への電力供給方法は、論理回路の選択された１つの論理回路の電力入力において、論理回路の１つにおける電力入力においてチップ内に位置する計測点６１で第２の電源電圧を直接測定すること、および計測点と選択された１つの論理回路の電源入力間の電圧降下に基づいて第１の電源電圧を決定するステップと、第１の電源電圧を、論理回路の選択された１つにおける所定の最大動作電圧に調節されるような値を有する基準電圧に調節するステップ、を備える。 （もっと読む）

【課題】寿命が長い半導体装置を提供する。
【解決手段】このＬＳＩは、２つのＣＰＵ１，２と、ＣＰＵ１，２のうちのいずれか１つのＣＰＵを示す論理レベルのデータ信号が書き込まれた記憶回路４と、リセット信号ＲＥが非活性化レベルにされてＬＳＩのリセットが解除された場合、記憶回路４の記憶データの論理レベルに対応するＣＰＵのみに電源電圧を供給するとともに、記憶回路４の記憶データを現在の論理レベルと異なる論理レベルのデータ信号に書き換える制御回路３，５とを備える。したがって、故障の検知や、厳密なタイミング制御を必要とせずに、ＣＰＵの長寿命化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】残渣による配線間のショートの発生を防ぐ。
【解決手段】本発明の半導体装置は、高誘電率材料を含む第１のゲート絶縁膜４と第１のゲート絶縁膜４上に形成された第１のメタルゲート電極５とを備える第１のトランジスタが形成される半導体基板上の第１の領域と、高誘電率材料を含む第２のゲート絶縁膜４と第２のゲート絶縁膜上に形成された第２のメタルゲート電極１２とを備え、第１のトランジスタとは閾値電圧の異なる第２のトランジスタが形成される半導体基板上の第１の領域に並ぶ第２の領域と、電位の異なる第１および第２の配線と、を有し、第１の領域と第２の領域との境界が、第１および第２の配線の少なくとも一方としか重ならない。 （もっと読む）

【課題】過電流に対して内部回路を保護する半導体集積回路装置を提供することを目的としている。
【解決手段】多層配線構造を有する半導体集積回路装置であって、半導体集積回路装置の内部にある内部回路と半導体集積回路装置の外部にある外部回路とを接続するために半導体集積回路装置の内部に設けられたパッドパターンにおいて、第１の配線層と、第１の配線層が形成されている層とは別の層に形成されている第２の配線層と、第１の配線層と第２の配線層を接続するビアと、を備え、第２の配線層にヒューズパターンが形成されており、ヒューズパターンを経由して内部回路と外部回路とを電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】安定したチャージポンプ動作を行う。
【解決手段】ノードＡ，Ｂを有するコンデンサＣ１と、ＶＤＤレベルからＶＳＳレベルの間で振幅するポンピング信号ＰＵＭＰ１をコンデンサＣ１のノードＡに供給するポンピング回路１１０と、コンデンサＣ１のノードＢをＶＰＰｅｘｔレベルにプリチャージし、ポンピング信号ＰＵＭＰ１がＶＳＳレベルからＶＤＤレベルに変わった時に、コンデンサＣ１のノードＢをＶＰＰｅｘｔレベルよりも高いレベルに駆動する出力回路１２０とを備える。本発明によれば、コンデンサＣ１のノードＡをポンピングするための電圧と、コンデンサＣ１のノードＢをプリチャージするための電圧が異なっていることから、昇圧電圧を効率よく生成することできる。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の耐圧の低下を抑制する。
【解決手段】 半導体装置５４は、半導体基板５０と、半導体基板の表面上に配置される絶縁膜２０と、絶縁膜の表面上に配置される電極１６，２８と、電極１６，１８に電圧を印加する電圧印加回路４４を有している。半導体基板５０は、セル領域１００と、そのセル領域に隣接する非セル領域２００とを備える。セル領域１００には半導体素子が形成されており、非セル領域２００には耐圧構造が形成されている。絶縁膜２０は、非セル領域の表面に形成されている。電極１６，１８は、半導体基板から電気的に分離されている。電圧印加回路４４は、半導体素子に電圧が印加されていない期間の少なくとも一部において電極１６，１８に電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】変換精度が高いアナログ／デジタル変換器を提供する。
【解決手段】アナログ／デジタル変換器は、電圧生成部と複数の比較器とを備える。電圧生成部は、基準電圧を、複数の抵抗器で分圧して複数の比較用電圧を生成する。各比較器は、複数の比較用電圧のうちの何れかの比較用電圧とアナログの入力電圧との比較結果に応じたデジタル信号を出力する。各比較器は、２つの入力の電位差を検出する差動対回路を含む。差動対回路は、第１回路部５０と第２回路部６０とを有する。第１回路部は、第１入力トランジスタ５１と、第１入力トランジスタと直列に接続される抵抗器Ｒｒｅｆとを含む。第２回路部は、第１入力トランジスタと差動対を形成する第２入力トランジスタ６１と、第２入力トランジスタと直列に接続される可変抵抗器Ｒｖとを含む。可変抵抗器は、直列に接続されるとともに、制御信号に応じて各々の抵抗値が可変に設定される複数の可変抵抗素子を含む。 （もっと読む）

【課題】ＥＳＤ保護素子を有する半導体回路の回路シミュレーションを高速かつ精度よく行うことができるシミュレーション装置を提供する。
【解決手段】ＥＳＤ保護素子を有する半導体回路の動作検証を行うシミュレーション装置は、ＥＳＤ保護素子の等価回路のパラメータファイルを作成する第１のパラメータファイル作成部と、半導体回路内のＥＳＤ保護素子以外の内部回路のパラメータファイルを作成する第２のパラメータファイル作成部と、作成したパラメータファイルを記憶するパラメータファイル記憶部と、記憶したパラメータファイルを選択するパラメータファイル選択部と、選択したパラメータファイルを利用して半導体回路のネットリストを作成するネットリスト作成部と、ネットリストに基づいて半導体回路の動作検証を行うシミュレーション実行部とを備える。 （もっと読む）

【課題】耐圧を向上させ、オン抵抗を下げることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】一態様に係る半導体装置は、ＭＯＳＦＥＴとして機能する第１領域、及び第１領域に隣接する第２領域を有する。第２領域は、第１半導体層、複数の第２トレンチ、第２絶縁層、及びフローティング電極層を有する。複数の第２トレンチは、第１半導体層の上面側から第１半導体層内に延びる。第２絶縁層は、第２トレンチの内壁に沿って形成される。フローティング電極層は、第２絶縁層を介して第２トレンチを埋めるように形成され且つフローティングとされる。 （もっと読む）

【課題】外部端子数の増加を抑えつつ、半導体集積回路のテスト時間を短縮する。
【解決手段】テスト回路は、入力されるリファレンスクロック１０９を逓倍して、テスト対象回路１０６をテスト動作させるための実動作クロック１１２及びサンプリングクロック１０５を生成するＰＬＬ１０８と、入力されるテストコマンドに従い、テスタ同期クロック１０３に同期してテスト対象回路１０６のテスト結果を出力するテスト結果出力回路１０７と、を備えるテスト回路であって、テストコマンドを含むテスト入力信号１０４とサンプリングクロック１０５とに基づきテスタ同期クロック１０３を生成するテスタ同期クロック生成回路１００を備えるものである。 （もっと読む）