【課題】所望のブレークダウン電圧が確保でき、大きな放電電流を流すことが可能なＥＳＤ保護特性のすぐれたＥＳＤ保護素子を実現する。
【解決手段】適切な不純物濃度のＮ＋型埋め込み層２とＰ＋型埋め込み層３でＰＮ接合ダイオード３５を形成する。Ｐ＋型埋め込み層３はＰ＋型引き出し層５と一体となりＮ−型エピタキシャル層４を貫通させアノード電極１０と接続される。Ｐ＋型埋め込み層３等で囲まれたＮ−型エピタキシャル層４にＮ＋型拡散層７と該Ｎ＋型拡散層７と接続され、これを取り囲むＰ＋型拡散層６を形成する。Ｎ＋型拡散層７、Ｐ＋型拡散層６はカソード電極９に接続される。Ｐ＋型拡散層６をエミッタ、Ｎ−型エピタキシャル層４をベース、Ｐ＋型引き出し層５等をコレクタとする寄生ＰＮＰバイポーラトランジスタ３８とＰＮ接合ダイオード３５でＥＳＤ保護素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】プリント配線基板上の実装面積削減やコスト削減を実現することのできるチャージポンプを提供する。
【解決手段】チャージポンプ１００は、フライングキャパシタ１２０の充放電用スイッチとして、半導体装置１１０に集積化されたフローティングＮＭＯＳＦＥＴ１１１及び１１２のボディダイオード１１１ｄ及び１１２ｄを用いる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置で発生する異常発熱をより確実に検出し得る構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置２は、半導体素子１０と、一対の信号パッド１２、１４と、温度検出ダイオードＤ１〜Ｄ５と、を備える。温度検出ダイオードＤ１〜Ｄ５は、それぞれ、一対の信号パッド１２、１４間に並列に接続されている。そのため、一対の信号パッド１２、１４間に一定の電圧を印加すると、温度検出ダイオードＤ１〜Ｄ５のそれぞれにおいて、温度検出ダイオードＤ１〜Ｄ５の近傍の温度に応じた電流Ｉ１〜Ｉ５が流れる。従って、一対の信号パッド１２、１４間を流れる電流Ｉは、各温度検出ダイオードＤ１〜Ｄ５を流れた電流Ｉ１〜Ｉ５の和となる。 （もっと読む）

【課題】高耐圧の能動素子を含む回路と低電圧で動作するロジック回路とが同一基板上に混載された半導体装置を低コストで実現する。
【解決手段】半導体装置が、ロジック回路５０と、能動素子回路とを具備している。ロジック回路５０は、半導体基板１に形成された半導体素子２を備えている。該能動素子回路は、半導体基板１の上方に形成された拡散絶縁膜７−１の上に形成された半導体層８−１、８−２を用いて形成されたトランジスタ２１−１、２１−２を備えている。この能動素子回路がロジック回路５０により制御される。 （もっと読む）

【課題】フリップフロップ追加による利益と、スキャンＦＦの段数増加による不利益と、を考慮に入れ、スキャンテスト回路の設計を行う半導体設計方法が、望まれる。
【解決手段】複数のスキャンＦＦから構成されるスキャンテスト回路の設計方法は、複数のスキャンＦＦ間の遅延値を抽出することで、スキャンテスト回路の動作レート候補値を複数算出する第１の工程と、中継用フリップフロップの追加を仮定し、複数の動作レート候補値をそれぞれ使用して、スキャンテストの実施に必要な時間をスキャンシフト時間として算出し、スキャンシフト時間に基づき、中継用フリップフロップを追加することの効果が最も高い動作レート候補値を、中継用フリップフロップの追加後のスキャンテスト回路に適用する動作レートとして選択する第２の工程と、動作レートを満たすように、複数のスキャンＦＦ間に中継用フリップフロップを追加する第３の工程と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】配線間の影響を抑制することができる多層配線を有する半導体装置を実現する。
【解決手段】本発明の実施形態における半導体装置は、下層の配線層に第１の方向に沿って形成された信号配線１１と、下層の配線層と絶縁膜を介して配置される上層の配線層に第１の方向と交差する第２の方向に沿って形成された基準電位配線１３と、 上層の配線層に基準電位配線１３に沿って近接して形成されたシールド線１４ａ、１４ｂと、を有し、信号配線１１と基準電位配線１３の交差部１５ｃにおいて基準電位配線１３とシールド線１４ａ、１４ｂとの距離が他の部分に比べてより狭くなっていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スキャンチェーンを構成する回路でバーンイン試験を行う際に、シフトモードとキャプチャモードを切り替えるスキャンモードコントロール信号が接続された回路に対してもストレス印加を可能にする半導体テスト回路を提供する。
【解決手段】半導体テスト回路は、シフトモードとキャプチャモードを交互に切り替える内部スキャンモードコントロール信号と、スキャンチェーンのスキャンフリップフロップ回路に供給する内部クロック信号を生成するスキャンチェーン制御信号生成部を備える。スキャンチェーン制御信号生成部は、スキャンフリップフロップ回路の出力を遷移させる内部クロック信号のエッジのタイミングにおいて、内部スキャンモードコントロール信号がシフトモードになるように、内部スキャンモードコントロール信号と内部クロック信号の相互のタイミングを制御する。 （もっと読む）

【課題】所望のブレークダウン電圧を確保し、大きな放電電流を流せるＥＳＤ保護特性の良好なＥＳＤ保護素子を実現する。
【解決手段】適切な不純物濃度のＮ＋型埋め込み層２とＰ＋型埋め込み層３で形成するＰＮ接合ダイオード３５と、Ｐ型拡散層６と接続するＰ＋型埋め込み層３ａをエミッタ、Ｎ−型エピタキシャル層４をベース、Ｐ＋型埋め込み層３をコレクタとする寄生ＰＮＰバイポーラトランジスタ３８とでＥＳＤ保護素子を構築する。Ｐ＋型埋め込み層３はアノード電極１０に接続され、Ｐ＋型拡散層６と、それを取り囲むＮ＋型拡散層７はカソード電極９に接続される。カソード電極９に正の大きな静電気が印加されるとＰＮ接合ダイオード３５がブレークダウンし、その放電電流Ｉ１によりＰ＋型埋め込み層３よりＮ−型エピタキシャル層４の電位が下がり寄生ＰＮＰバイポーラトランジスタ３８がオンし大きな放電電流Ｉ２が流れる。 （もっと読む）

【課題】安定したチャージポンプ動作を行う。
【解決手段】ノードＡ，Ｂを有するコンデンサＣ１と、ＶＤＤレベルからＶＳＳレベルの間で振幅するポンピング信号ＰＵＭＰ１をコンデンサＣ１のノードＡに供給するポンピング回路１１０と、コンデンサＣ１のノードＢをＶＰＰｅｘｔレベルにプリチャージし、ポンピング信号ＰＵＭＰ１がＶＳＳレベルからＶＤＤレベルに変わった時に、コンデンサＣ１のノードＢをＶＰＰｅｘｔレベルよりも高いレベルに駆動する出力回路１２０とを備える。本発明によれば、コンデンサＣ１のノードＡをポンピングするための電圧と、コンデンサＣ１のノードＢをプリチャージするための電圧が異なっていることから、昇圧電圧を効率よく生成することできる。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の耐圧の低下を抑制する。
【解決手段】 半導体装置５４は、半導体基板５０と、半導体基板の表面上に配置される絶縁膜２０と、絶縁膜の表面上に配置される電極１６，２８と、電極１６，１８に電圧を印加する電圧印加回路４４を有している。半導体基板５０は、セル領域１００と、そのセル領域に隣接する非セル領域２００とを備える。セル領域１００には半導体素子が形成されており、非セル領域２００には耐圧構造が形成されている。絶縁膜２０は、非セル領域の表面に形成されている。電極１６，１８は、半導体基板から電気的に分離されている。電圧印加回路４４は、半導体素子に電圧が印加されていない期間の少なくとも一部において電極１６，１８に電圧を印加する。 （もっと読む）