【課題】ランダムノイズを低減する。
【解決手段】固体撮像装置は、基板上に形成され、光電変換部（PD）と複数の画素内トランジスタとからなる画素が２次元配列された画素アレイを備え、複数の画素内トランジスタのうちの所定の画素内トランジスタの電極、具体的には、増幅トランジスタのゲート電極のみに接続されるコンタクトの基板に平行な面の形状は、略長方形または略楕円形に形成される。本技術は、CMOSイメージセンサに適用することができる。 （もっと読む）

【課題】裏面照射型の固体撮像素子の表面側のフォトダイオードと裏面側のマイクロレンズおよびカラーフィルタとのアライメント精度を向上させる。
【解決手段】裏面照射型の固体撮像素子１において、半導体基板としてのシリコン基板２の表面側に、被写体からの画像光を光電変換して撮像する複数の受光部（複数のフォトダイオード３）と、この受光部の形成時に用いた第１アライメントマークを基準にして所定位置に、シリコン基板２上の一または複数の層間膜（層間絶縁膜）を貫通してシリコン基板２に形成されたトレンチ構造の第２アライメントマーク１８とを有し、シリコン基板２の裏面側に、第２アライメントマーク１８を基準にして、複数の受光部のそれぞれに対応するように所定色配列のカラーフィルタ２１およびその上のマイクロレンズ２２がそれぞれ形成されている。 （もっと読む）

【課題】裏面照射型の固体撮像装置において、受光面と遮光膜との距離を小さくすることにより、光電変換部での受光特性の向上を図る。
【解決手段】光電変換部が配列形成された画素領域を有するセンサ基板と、センサ基板において光電変換部に対する受光面とは逆の表面側に設けられた駆動回路と、画素領域における受光面上に設けられた遮光膜と、遮光膜を覆って設けられた保護絶縁膜と、画素領域の外側の周辺領域において、保護絶縁膜からセンサ基板にかけて埋め込まれ駆動回路に接続された複数の貫通ビアを備えた固体撮像装置。 （もっと読む）

【課題】集光効率を高めて、光の減衰や混色を抑制させることができるようにする。
【解決手段】イメージセンサには、入射面に入射された光を光電変換するフォトダイオードを有する半導体基板が設けられている。フォトダイオードの入射面がレンズ形状に形成されている。本技術は、撮像素子に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。半導体装置を歩留まりよく作製し、高生産化を達成する。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、インジウムを含む酸化物半導体膜、ゲート電極層と重畳する酸化物半導体膜上に接する絶縁層が順に積層され、酸化物半導体膜及び絶縁層に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、絶縁層表面における塩素濃度を１×１０^１９／ｃｍ^３以下とし、かつインジウム濃度を２×１０^１９／ｃｍ^３以下とする。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の複数の異なる領域に異なる条件でイオンを注入するために必要な工程を低減する技術を提供する。
【解決手段】形成工程で形成されるレジストパターンＲＰは、半導体基板１０１を第１方向から見た場合に、隣接する蓄積領域の間に位置する分離領域を開口から露出し、半導体基板を第１方向とは異なる方向から見た場合に、１つ以上のＭＯＳトランジスタのチャネル領域を開口から露出するとともに、分離領域を遮蔽部ＳＤにより遮る。注入工程では、第１方向に沿って照射されたイオンが分離領域に注入され、異なる方向に沿って照射されたイオンが１つ以上のＭＯＳトランジスタのチャネル領域に注入される。 （もっと読む）

【課題】撮影状況や製造課題に対応した積層型の固体撮像装置を提供する。
【解決手段】第１のリセットトランジスタを備えた第１の画素と、第２のリセットトランジスタを備えた第２の画素とが形成された半導体基板と、前記半導体基板の上に形成された配線層と、前記配線層の上に形成され、前記第１のリセットトランジスタのソースに電気的に接続された第１の下部電極と、前記配線層の上に形成され、前記第２のリセットトランジスタのソースに電気的に接続された第２の下部電極と、前記第１の下部電極および前記第２の下部電極の上に形成された光電変換膜と、前記光電変換膜の上に形成され、上部電極電位が印加される透明な上部電極とを備え、前記第１のリセットトランジスタのドレインにかける第１のリセット電位と前記第２のリセットトランジスタのドレインにかける第２のリセット電位とが異なることを特徴とする固体撮像装置。 （もっと読む）

【課題】色再現性に優れる多層型撮像素子を提供する。
【解決手段】第１透明電極に積層される第１層間絶縁膜と、第１層間絶縁膜の上に配設される第２の信号読み出し部と、第２の信号読み出し部の上に配設され、光の３原色のうち第２の波長の光に感度を有する第２光電変換膜と、第２光電変換膜に積層される第２透明電極と、第２透明電極に積層される第２層間絶縁膜と、第２層間絶縁膜の上に配設される第３の信号読み出し部と、第３の信号読み出し部の上に配設され、光の３原色のうち第３の波長の光に感度を有する第３光電変換膜と、第３光電変換膜に積層される第３透明電極と、第１光電変換膜、第２光電変換膜、及び第３光電変換膜を画素毎に隔離する第１隔壁とを備え、前記第１の信号読み出し部、前記第２の信号読み出し部、及び前記第３の信号読み出し部は、それぞれ複数の画素が２次元方向に配置された画素アレイの各画素の信号読み出し部を形成している。 （もっと読む）

【課題】 より一層、製品の歩留まりを向上させることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本開示の半導体装置の製造方法では、まず、第１半導体部及び第２半導体部を貼り合わせた半導体部材の一方の面上に形成された絶縁膜３０上に、所定の薬液で処理された際に該所定の薬液が絶縁膜に浸透しないような耐性を有するストッパー膜３１を形成する。次いで、半導体部材のストッパー膜３１側に、第１半導体部及び第２半導体部を電気的に接続するためのＣｕ配線接合部３４を形成する。次いで、Ｃｕ配線接合部３４上にＣｕ拡散防止膜３４を形成する。次いで、Ｃｕ配線接合部３４の形成領域以外の領域のＣｕ拡散防止膜３３を除去して該領域に存在する不要なＣｕ部２１０，２１１を露出させる。そして、所定の薬液を用いて、不要なＣｕ部２１０，２１１を除去する。 （もっと読む）

【課題】受光部への光入射効率を悪化させることなく、金属コンタミネーション起因による白傷を低減する。
【解決手段】複数の受光部３の上方で、パターニングされた３層の導電層（ここでは金属層の第３配線７ｃ）上の第４絶縁膜６ｄ上に、装置側で設定するプラズマ発生エネルギーを示すＲＦパワーを、金属コンタミネーション起因による白傷を抑制するように７００Ｗ〜１５００Ｗに設定するプラズマＣＶＤ法によりパッシベーション膜８を成膜するパッシベーション膜成膜工程と、熱処理によりパッシベーション膜８から水素を脱離させるシンター処理を行うシンター処理工程とを有している。このパッシベーション膜８は、その膜厚が５０〜１００ｎｍである。 （もっと読む）