【課題】低周波ノイズ除去に伴う消費電力の増加を最小限に抑えることができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】画素部100は、入射した光の大きさに応じた画素信号を出力する画素101と、補正用基準電圧に応じた補正用画素信号を出力する補正用画素102とを有する。AD変換回路105は、複数の遅延素子が接続された遅延回路を有し、画素信号または補正用画素信号のレベルに対応する数の遅延素子をパルス信号が通過すると、パルス信号が通過した遅延素子の数に応じたデジタル信号を出力する。制御部111は、1フレーム内でｍ（mは2以上の自然数）行の画素信号のAD変換に対応して1行の補正用画素信号のAD変換を行うように垂直走査部103およびAD変換部105を制御する。ノイズ除去部109は、補正用画素信号のAD変換結果を用いて画素信号のAD変換結果からノイズを除去する。 （もっと読む）

【課題】撮像画像の高画質化を実現することが可能な撮像装置、およびそのような撮像装置を備えた撮像表示システムを提供する。
【解決手段】撮像装置は、各々が光電変換素子を含む複数の画素を有する撮像部と、画素内に蓄積された信号電荷の読み出し駆動を行うと共に、画素内に蓄積された信号電荷のリセット駆動を行う駆動部（システム制御部，列走査部，行走査部）と、撮像部から出力される画像において残像が低減されるように、リセット駆動を行うタイミングを補正する補正部（リセットタイミング補正部）とを備える。撮像部の各画素において入射光に基づく光電変換がなされ、信号電荷の読み出し動作およびリセット動作がなされ、入射光に基づく撮像画像が得られる。補正部によりリセットタイミングが補正され、この補正されたリセットタイミングを用いてリセット駆動が行われることにより、残留電荷に起因する残像の発生が抑制される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、シリコンウエーハ中の酸素等不純物の悪影響がエピタキシャル層の撮像素子形成部分まで及ばないエピタキシャルウエーハ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 撮像素子製造用のエピタキシャルウエーハを製造する方法であって、前記エピタキシャル層の成長前に、前記撮像素子の製造後において前記エピタキシャル層中の酸素濃度が４×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上となる領域の厚さＸを計算し、前記エピタキシャル層の成長において、前記エピタキシャル層を、前記厚さＸに加えて、更に前記撮像素子の製造後におけるエピタキシャル層中の酸素濃度が４×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満となる領域の厚さが６μｍ以上となる厚さで成長することを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】オーバーサンプリング数を増やすことなく、低照度における低ノイズ化を図れる高画質化を実現することが可能な固体撮像素子およびカメラシステムを提供する。
【解決手段】光信号を電気信号に変換するフォトダイオードを含む画素が配列された画素アレイ部と、画素からのアナログ画像信号を信号線に読み出し、読み出したアナログ画素信号をカラム単位で処理する読み出し部と、を有し、読み出し部は、アナログ画素信号をデジタル信号に変換する機能を有するΔΣ変調器と、ΔΣ変調器の入力側に配置され、信号線に読み出されたアナログ画素信号を設定されるゲインをもって増幅して上記ΔΣ変調器に入力する増幅器と、を含む。 （もっと読む）

【課題】撮像素子に入射する光の偏光状態及び入射角に依存して撮像素子から出力される信号の強度の変化が生じ、また、肉眼によって検知される明るさよりも撮像装置によって検知される明るさが低いといった問題を解決し得る撮像装置を提供する。
【解決手段】撮像装置１０は、複数の撮像素子４１，４２，４３が２次元マトリクス状に配列されて成る撮像部３０を有し、撮像部３０は、周辺領域３２、及び、周辺領域３２に囲まれた中央領域３１に区画され、周辺領域３２における撮像素子４２，４３には偏光手段が備えられており、中央領域３１における撮像素子４１には偏光手段が備えられていない。 （もっと読む）

【課題】ランダムノイズを低減する。
【解決手段】固体撮像装置は、基板上に形成され、光電変換部（PD）と複数の画素内トランジスタとからなる画素が２次元配列された画素アレイを備え、複数の画素内トランジスタのうちの所定の画素内トランジスタの電極、具体的には、増幅トランジスタのゲート電極のみに接続されるコンタクトの基板に平行な面の形状は、略長方形または略楕円形に形成される。本技術は、CMOSイメージセンサに適用することができる。 （もっと読む）

【課題】撮像画像の高画質化を実現することが可能な撮像装置、およびそのような撮像装置を備えた撮像表示システムを提供する。
【解決手段】撮像装置は、各々が光電変換素子を含む複数の画素を有する撮像部と、画素内に蓄積された信号電荷の読み出し駆動およびリセット駆動を行う駆動部とを備える。駆動部は、読み出された信号電荷を電圧に変換するチャージアンプ回路を有し、リセット駆動を１フレーム期間内で間欠的に複数回行い、かつ１フレーム期間内の各リセット駆動を、チャージアンプ回路におけるチャージアンプの帰還または仮想短絡現象を利用して行う。各画素において光電変換がなされ、信号電荷の読み出し駆動およびリセット駆動がなされ、入射光に基づく撮像画像が得られる。読み出し後の信号電荷の残留に起因するノイズを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】裏面照射型の固体撮像素子の表面側のフォトダイオードと裏面側のマイクロレンズおよびカラーフィルタとのアライメント精度を向上させる。
【解決手段】裏面照射型の固体撮像素子１において、半導体基板としてのシリコン基板２の表面側に、被写体からの画像光を光電変換して撮像する複数の受光部（複数のフォトダイオード３）と、この受光部の形成時に用いた第１アライメントマークを基準にして所定位置に、シリコン基板２上の一または複数の層間膜（層間絶縁膜）を貫通してシリコン基板２に形成されたトレンチ構造の第２アライメントマーク１８とを有し、シリコン基板２の裏面側に、第２アライメントマーク１８を基準にして、複数の受光部のそれぞれに対応するように所定色配列のカラーフィルタ２１およびその上のマイクロレンズ２２がそれぞれ形成されている。 （もっと読む）

【課題】 各画素が複数の光電変換部を有し、各画素からの信号を複数の読み出し系を介して読み出す撮像素子において、画素単位の加算読み出し及び光電変換部毎の独立読み出しを適切に行うこと。
【解決手段】 複数の光電変換部（２０１）と、複数の変換手段（２０２）とをそれぞれ含む単位画素が、行列状に配列された画素領域（２０）と、各列に配列された複数の単位画素それぞれに含まれる複数の変換手段の１つに共通に接続される信号線（ＶＬ、ＶＲ）を複数含み、複数の変換手段から出力された電圧信号を、複数の信号線を介してそれぞれ独立に第１の方向に転送する第１の読み出し手段と、当該電圧信号を、第２の方向に転送する複数の第２の読み出し手段とを有し、複数の信号線を、各列毎に、複数の第２の読み出し手段のいずれか１つに接続したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数位相の同時復調を行うことができ、かつ、素子構造が単純であって、比較的小さな撮像素子を構成する際にも高解像度を得ることができるほどの密度に実装することが可能であり、しかも安価に製造できる汎用の半導体製造プロセスでの製造する。
【解決手段】少なくとも４個以上のＰＮ接合ダイオードのなかで少なくとも２個以上のＰＮ接合ダイオードに電圧を印加して、エピタキシャル層内の静電ポテンシャルを変調する変調電位印加ダイオードとし、少なくとも４個以上のＰＮ接合ダイオードのなかで変調電位印加ダイオードと重複しない少なくとも２個以上のＰＮ接合ダイオードは、エピタキシャル層で生成された光電子を回収する光電子回収ダイオードとし、少なくとも２個以上の変調電位印加ダイオードへそれぞれ印加する電圧の位相を変化させて静電ポテンシャルの勾配を制御し、光電子の少なくとも２個以上の光電子回収ダイオードへの移動を制御する。 （もっと読む）