【課題】 簡便な方法で電極部付近の電流集中を防いで、逆回復耐量を向上させ
ること。
【解決手段】 ライフタイムの短い調整領域１０を、ソース電極４を半導体基板１内へ投影させた場合の電極端部を跨いだ領域で、かつ、基板深さ方向に位置する高濃度のｐ型ウェル領域２０と低濃度の半導体層との境界部６を含む領域に形成する。 （もっと読む）

【課題】ターンオフ時間を短くできるサイリスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】基板に第１導電型の第１半導体領域２０が形成され、第１半導体領域の表層部に第２導電型の第２半導体領域２２とアノードとなる第２導電型の第３半導体領域２３とアノードゲートとなる第１導電型の第４半導体領域２４が形成され、また、第２半導体領域の表層部にカソードとなる第１導電型の第５半導体領域２６とカソードゲートとなる第２導電型の第６半導体領域２５が形成され、第１半導体領域と第２半導体領域の境界から第２半導体領域と第５半導体領域の境界までの領域における第２半導体領域の上層にゲート絶縁膜３０及びゲート電極３１が形成され、第３半導体領域、第４半導体領域、第６半導体領域及び第５半導体領域に入出力用の導電層が形成されており、第３半導体領域、第１半導体領域、第２半導体領域及び第５半導体領域からサイリスタが構成されている。 （もっと読む）

【課題】ワイドギャップバイポーラ半導体素子を高信頼性かつ低損失で駆動でき、可制御電流を大きくできる電力変換装置を提供する。
【解決手段】この電力変換装置では、ＳｉＣ−ＧＴＯサイリスタ１の稼動に先立ち、温度上昇用ｎ型ＭＯＳＦＥＴ１１のゲート１３に信号を印可してオンさせ、電源１４ → アノード端子２ → ゲート端子４ → 抵抗１２ → 温度上昇用ｎ型ＭＯＳＦＥＴ１１ → 電源１４の経路で温度上昇用電流(加熱電流)として約４０Ａの電流を流す。上記温度上昇用電流により、ＳｉＣ−ＧＴＯサイリスタ１の温度を上昇させる。これにより、サイリスタ１の稼動により積層欠陥が増大したとしても、オン電圧の増大や最小ゲート点弧電流の増大、ターンオン時間の増大およびオフ時の電流の不均衡の増大などの劣化現象を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、カソード電極とゲート電極の間に生じるリーク電流を低減することにより、高信頼性のスイッチング動作を実現する半導体素子およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の１つの態様による半導体素子は、所定の積層領域と非積層領域を含む第１の導電型の第１の半導体層と、前記第１の半導体層の前記積層領域上に積層された第２の導電型の第２の半導体層と、前記第１の半導体層の前記非積層領域上に形成された第１の電極層と、前記第２の半導体層上に形成された第２の電極層と、前記第１および第２の半導体層のそれぞれの表面を連続的に接続する傾斜面上に、前記第１および第２の電極層から離間して形成された絶縁層とを備え、前記絶縁層と前記第１の電極層の間および該絶縁層と前記第２の電極層の間の少なくとも一方に、凹部が形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、圧接型半導体装置に組み込む際に付着していた異物を発見しやすくし、より容易に取り除くことができる半導体素子およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体素子は、第１の導電型の第１の半導体層と、前記第１の半導体層の所定の領域上に積層された第２の導電型の第２の半導体層と、前記第１の半導体層上に形成された第１の電極層と、前記第２の半導体層上に形成された第２の電極層と、前記第１の電極層上に形成された絶縁層と、前記絶縁層および前記第２の電極層の上に貼り合わされた導電性シートとを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 炭化珪素バイポーラ型半導体装置において、通電を続けることにより生じる積層欠陥の発生および積層欠陥の面積拡大を抑制すること。
【解決手段】 化学気相蒸着法によって第１導電型の炭化珪素単結晶基板１の表面から成長させた第１導電型の炭化珪素エピタキシャル膜２における少なくとも種欠陥密度が高い表層４を除去した後、表層４を除去した炭化珪素エピタキシャル膜２の表面から第２導電型の炭化珪素エピタキシャル膜３を成長させる。また、第２導電型の炭化珪素エピタキシャル膜３を成長させた後、この第２導電型の炭化珪素エピタキシャル膜３における少なくとも種欠陥密度が高い表層６を除去する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング速度、とくにオン状態からオフ状態への高速でのスイッチングが可能なサイリスタ構成の半導体装置、さらにはこのような半導体装置の駆動方法および製造方法を提供する。
【解決手段】第１のｐ型領域ｐ１、第１のｎ型領域ｎ１、第２のｐ型領域ｐ２、および第２のｎ型領域ｎ２がこの順に接して設けられた半導体層１０１、第１のｐ型領域ｐ１に接続されたアノード電極Ａと、第２のｎ型領域ｎ２に接続されたカソード電極Ｋと、第１のｎ型領域ｎ１と第２のｐ型領域ｐ２とに、それぞれ独立して制御可能に接続されたゲート電極Ｇn1，Ｇp2とを備えたことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】耐圧の低下を可及的に防止することを可能にする。
【解決手段】ＳｉＣからなるドレイン領域２と、ドレイン領域上に設けられたｎ型のＳｉＣからなるドリフト層４と、ドリフト層の表面に設けられたｎ型のＳｉＣからなるソース領域１８と、ソース領域の側部のドリフト層の表面に設けられたＳｉＣからなるチャネル領域１２ａと、チャネル領域上に設けられた絶縁ゲート２２と、ソース領域の底部とドリフト領域との間に設けられ２種類のｐ型不純物を含むｐ型のベース領域１５と、を備えている。 （もっと読む）

たとえばサイリスタのような高電圧炭化珪素（ＳｉＣ）デバイスが提供される。第１の導電型を有する第１のＳｉＣ層が第２の導電型を有する電圧遮断用ＳｉＣ基板の第１の表面上に備えられる。ＳｉＣの第１の領域が第１のＳｉＣ層上に備えられ、この領域は第２の導電型を有する。ＳｉＣの第２の領域が第１のＳｉＣ層内に備えられる。ＳｉＣの第２の領域は第１の導電型を有し、ＳｉＣの第１の領域に隣接している。第１の導電型を有する第２のＳｉＣ層が電圧遮断用ＳｉＣ基板の、第１の表面とは反対側の第２の表面上に備えられる。第１、第２、および第３の電極がそれぞれＳｉＣの第１の領域、ＳｉＣの第２の領域、および第２のＳｉＣ層上に備えられる。高電圧ＳｉＣデバイスの作製に関する方法も提供される。
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【課題】炭化珪素単結晶基板の表面から成長させた炭化珪素エピタキシャル膜の内部で通電時に電子と正孔が再結合するバイポーラ型半導体装置において、電流通電により拡大した積層欠陥面積を縮小し、増加した炭化珪素バイポーラ型半導体装置の順方向電圧を回復させる方法を提供する。
【解決手段】電流通電により積層欠陥面積が拡大し、順方向電圧が増加した炭化珪素バイポーラ型半導体装置を３５０℃以上の温度で加熱し、積層欠陥回復させる。 （もっと読む）