【課題】
白色発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
白色発光素子（ＬＥＤ）及び、有機蛍光体が溶解され、無機蛍光体が分散されたポリマー樹脂にてＬＥＤを被膜してなる製造方法は白色ＬＥＤを作り出し、それによって、ポリマー樹脂との相溶性の問題を生み出すことなく優れた輝度と色座標を実現する。
本発明は、有機及び無機蛍光体、有機及び無機混合蛍光体、及び、有機シリケートを含有するポリマー組成物を用いて高輝度で長い耐用年数を有する白色ＬＥＤを作り出し、既存素子の製造プロセスにさらなるプロセスを追加することなしに輝度及び信頼性に関して画期的な進歩を生み出し、それによって、コスト削減による価格競争力の達成を可能とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子を封止する封止体の量を常に一定にした発光装置を提供すること。
【解決手段】 半導体素子と、半導体素子を載置するステムと、半導体素子を覆う封止体と、を有し、ステムは半導体素子が載置される底面と側面を持つ第１の凹部が形成されており、さらに第１の凹部の外側に第２の凹部が形成されており、第１の凹部と第２の凹部は、第１の凹部の側壁により互いに分離されている半導体装置に関する。ステムの第１の凹部内に樹脂を注入すると余分な樹脂が溢れ出て、第２の凹部内に溜まり、第１の凹部内には常に一定量の封止体が配置されることとなる。 （もっと読む）

【課題】 発光層の材料をＩｎＧａＮとした紫外線発光素子の構造を最適化することによって、より高出力で長寿命の紫外線発光素子を提供すること。
【解決手段】 結晶基板Ｓの表面に凹凸１Ｓを加工し、該凹凸に、ＧａＮ系半導体低温バッファ層１を介してまたは直接的に、ＧａＮ系結晶層２を気相成長させる。該ＧａＮ系結晶層は、前記凹凸の凹部内を実質的に充填しかつ該凹凸を埋め込んで平坦化するまで成長させ、その上に、紫外線を発生し得る組成のＩｎＧａＮ結晶層を発光層として成長させて、紫外線発光素子とする。 （もっと読む）

【課題】 長波長紫外線発光ダイオード及び自己発光型液晶ディスプレイなどに適用され色純度の改善を可能とし発光効率を高める。
【解決手段】 Ｓｒ₂−ＳｉＯ₄：Ｅｕ²⁺_x（０．００１≦ｘ≦１）と表示されるストロンチウムシリケート系蛍光体及びその製造方法。
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部品用アッセンブリシステムは、長手方向に細長いテープキャリアと、長手方向に細長いサブマウントキャリアと、アッセンブリマシンとを含んで設けられている。複数の部品は、テープキャリアに取り付けられる。そのアッセンブリマシンは、部品が取り付けられた状態でそのテープキャリアを収容し、そのサブマウントキャリアを収容するようにしたものである。さらに、そのアッセンブリマシンは、そのサブマウントキャリアにごく接近してテープキャリアを動かし、そのサブマウントキャリアにおけるサブマウントに部品を取り付けるようにしたものである。
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フリップチップ（２１０）をプリント配線板（２３０）に装着する方法を提供する。バンプが形成された光電子、又は電気機械フリップチップ（２１０）を提供する。フリップチップ（２１０）の第一の部分（２５０）にアンダーフィル材（２４０）を塗布し、フリップチップ（２１０）の第二の部分（２６０）はアンダーフィル材（２４０）を有さない。このフリップチップ（２１０）をプリント配線板（２３０）上に配置して、同フリップチップ（２１０）のバンプ形成部分を加熱することによってフリップチップ（２１０）をプリント配線板（２３０）に電気接続する。フリップチップ（２１０）がプリント配線板（２３０）に電気接続される際に、フリップチップ（２１０）の第二の部分（２６０）は、アンダーフィル材（２４０）を有さない状態に維持される。
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成長用基板（例えばＩｎＰ基板）を基板支持具により保持し、有機金属気相成長法により前記成長用基板上に３元素または４元素からなる化合物半導体層（例えばＩｎＧａＡｓ層、ＡｌＧａＡｓ層、ＡｌＩｎＡｓ層、ＡｌＩｎＧａＡｓ層等のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層）を成長させるエピタキシャル成長方法において、基板の有効利用領域全体にわたって、（１００）方向からの傾斜角度が０．００°〜０．０３°、または０．０４°〜０．２４°となるように研磨し、該成長用基板を用いて基板上に前記化合物半導体層を０．５μｍ以上の厚さで形成するようにした。
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発光半導体基板２のＡｌＧａＩｎＰから成るｎ型半導体層１１の表面に遷移金属層を介してＡｕ層を設ける。ＧａとＡｕとの共晶点よりも低い温度の熱処理によってＡｕを遷移金属層１７を介してｎ型半導体層１１に拡散させ、２０〜１０００オングストロームの厚みを有し且つ光吸収率の小さいオーミックコンタクト領域４を形成する。遷移金属層及びＡｕ層を除去し、ｎ型半導体層１１及びオーミックコンタクト領域４の表面にＡｌから成る導電性を有する光反射層５を形成する。光反射層５に第１及び第２の接合金属層６，７を介して不純物がドープされたＳｉから成る導電性支持基板８を貼り合せる。
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半導体発光デバイスは、発光面を有する半導体発光素子と、発光面の少なくとも一部の上に設けられた、透過性シリコーン及び蛍光体を含むパターニング可能な皮膜とを備える。パターニング可能な皮膜は、透過性シリコーン及び蛍光体を含む光パターニング可能な皮膜でもよいし、かつ／又は印刷可能な皮膜でもよい。パターニング可能な皮膜は、その内部に発光面の一部を露出させる開口を備え、開口内の発光面上にボンドパッドが設けてある。ボンドパッド上にワイヤボンドを設けることができる。これに関連する、半導体発光デバイスを作製する方法も提供する。
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効率の高いIII族窒化物発光ダイオードを開示する。このダイオードは、半導体及び導体材料からなる群から選択した基板と、基板の上又は上方にあるIII族窒化物発光領域と、発光領域の上又は上方にあり炭化珪素を含有するレンズ状表面とを含む。 （もっと読む）