【課題】低コストで製造できて、高精細な表示が可能な表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、絶縁性フレキシブル基板１と、絶縁性フレキシブル基板１上に形成され、絶縁性フレキシブル基板１の横方向に沿って延びる複数の行配線２，２，…と、絶縁性フレキシブル基板１上に形成され、絶縁性フレキシブル基板１の縦方向に沿って延びる複数の列配線３，３，…と、絶縁性フレキシブル基板１上にマトリクス状に配置された棒状赤色ＬＥＤ素子６Ａ、棒状緑色ＬＥＤ素子６Ｂおよび棒状青色ＬＥＤ素子６Ｃとを備えている。棒状赤色ＬＥＤ素子６Ａ、棒状緑色ＬＥＤ素子６Ｂおよび棒状青色ＬＥＤ素子６Ｃは、それぞれ、幅に対する長さの比が５以上かつ４００以下であり、かつ、その長さが０．５μｍ以上２００μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】発光時の温度上昇を抑制しつつ発光を分散させることにより、明るさのばらつきが少なくかつ長寿命で高効率な発光装置を提供する。
【解決手段】１個当たりの発光面積が２,５００πμｍ^２以下の複数の棒状構造発光素子２１０を同一の絶縁性基板２００の実装面上に１００個以上配置する。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオードを改良し、特に、高エネルギー、高周波数、可視スペクトルの短い波長の部分を発し、かつ、蛍光体と共に使用され、白色光を生成する発光ダイオードの改良をすること。
【解決手段】発光ダイオードであって、透明な炭化珪素基板と、該炭化珪素基板上にＩＩＩ族の窒化物材料系から形成される活性構造と、該ダイオードの上側のそれぞれのオーム接触とを備えており、該炭化珪素基板は、該炭化珪素と該ＩＩＩ族の窒化物との間のインタフェースに対して斜角を付けられている、発光ダイオード。 （もっと読む）

【課題】本発明は、再結合及びリーク漏れ電流を抑制できる化合物半導体膜を用いた球状の化合物半導体セルを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の球状化合物半導体セルは、少なくとも表面が導電体である球状電極と、球状電極の表面に形成されたカルコパイライト構造の化合物半導体層と、前記化合物半導体層の表面に形成された緩衝層と、前記緩衝層の表面に形成された透明電極層を具備することを特徴とする。緩衝層を具備したセル構造とすることで、再結合またはリーク漏れ電流を抑制し光電変換効率が増加する球状化合物半導体セルとすることができる。 （もっと読む）

【課題】新しい構造を有し、信頼性が向上し、光損失の少ない発光素子及び発光素子パッケージを提供する。
【解決手段】支持部材１６０と、上記支持部材の上に位置し、第１導電型半導体層１３０、第２導電型半導体層１５０、下に及び上記第１導電型半導体層と上記第２導電型半導体層との間に活性層１４０を含む発光構造物１４５と、上記支持部材の上面の周りに沿って形成された保護部材１５５と、上記第１導電型半導体層の上に配置され、上記発光構造物の側面に沿って延長されて少なくとも一部分が上記保護部材の上に配置される電極１２８と、上記発光構造物の側面と上記電極との間に絶縁層１２５と、を含む。 （もっと読む）

【課題】新たな構造を有し、光抽出効率が向上した発光素子、発光素子パッケージ、発光素子の製造方法、及び照明システムを提供する。
【解決手段】発光素子１００は、透光性基板１１０と、上記透光性基板の上にオーミック層１５７と、上記オーミック層の上に形成され、第１導電型半導体層１３０、第２導電型半導体層１５０、及び前記第１導電型半導体層と前記第２導電型半導体層との間に活性層１４０を含んで光を生成する発光構造物１４５と、上記透光性基板の下面に電極層１３２と、上記透光性基板を貫通して上記発光構造物及び上記電極層を電気的に連結する導電ビア１３１と、を含む。 （もっと読む）

【課題】光量ばらつきに起因する画層品質低下を抑制する発光装置、プリントヘッド及び画像形成装置を提供する。
【解決手段】複数の発光素子（発光サイリスタ）Ｌを複数の組（ブロック）＃Ｉ、＃II・・に分割し、組毎に一括して点灯制御する。組を構成する全ての素子を同時点灯すると、電流密度の高低により光量ばらつきが生じる。１個ずつ点灯する場合の光量ばらつきの変動幅と、全て同時点灯する場合の光量ばらつきの変動幅が許容範囲内で等しくなるように、組の中央の素子の発光光量を端部の素子の発光光量よりも相対的に大きくなるように設定する。 （もっと読む）

【課題】小型で且つ大きな出力を得ることが可能な低コヒーレンス光を放射する半導体発光素子を実現できるようにする。
【解決手段】半導体発光素子は、基板１０１の上に形成され、発光層１２４とストライプ状の光導波路１３１とを含み、前端面１０２Ａ側から光を放射する半導体層積層体１０２を備えている。光導波路１３１は、２つの光出射端面を有し且つ互いに間隔をおいて第１の方向に延びる第１の部分１３１Ａ及び第２の方向に延びる第２の部分１３１Ｂと、第１の部分１３１Ａと第２の部分１３１Ｂとを接続する第３の部分１３１Ｃとを含む。光導波路１３１の２つの光出射端は基板１０１の前端面１０２Ａ側に位置し、光導波路１３１の２つの光出射端の法線方向はそれぞれ第１の方向又は第２の方向とずれている。 （もっと読む）

本発明は、放射放出半導体部品に関し、動作時に第１の波長λ_１の電磁放射を主放射方向（１３）に放出する活性層（３）を備えた半導体ボディ（１）と、放出される放射の少なくとも一部分を、第１の波長λ_１よりも長い第２の波長λ_２の放射に変換するルミネセンス変換層（５）と、を備えている。主放射方向（１３）において活性層（３）の後ろに機能層（６）が存在しており、この機能層（６）は、放射の取り出し、色の混合、放出される放射の角度依存性、の少なくとも１つを改善し、ガラス、セラミック、ガラスセラミック、またはサファイアを含んでいる。
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【課題】発光ムラの少ない発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明の発光素子２０の製造方法は、第１半導体層２ａ上に、第１半導体層２ａの一部を露出する貫通孔４を有する絶縁層３を形成する工程と、貫通孔４内に露出した第１半導体層２ａ上に、貫通孔４の内壁面と接する発光層２ｂを形成する工程と、発光層２ｂ上に第１半導体層２ａとは逆の導電型を有する第２半導体層２ｃを形成する工程と、発光層２ｂおよび第２半導体層２ｃを加熱することにより第２半導体層２ｃの電気抵抗値を加熱前より小さくする工程と、を有する。 （もっと読む）