【課題】再現性よく光取り出し効率を向上させることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の実施態様によれば、第１半導体層と、発光層と、第２半導体層と、低屈折率層と、透明電極と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記第１半導体層は、光取り出し面を形成する。前記発光層は、前記第１半導体層の上に設けられ活性層を有する。前記第２半導体層は、前記発光層の上に設けられている。前記低屈折率層は、前記第１半導体層の屈折率よりも低い屈折率を有し、前記光取り出し面を部分的に覆い、一部または全部が前記第１半導体層に埋め込まれている。前記透明電極は、前記光取り出し面および前記低屈折率層を覆い前記発光層から放出される光に対して透光性を有する。 （もっと読む）

【課題】高い発光効率を有する発光ダイオード(LED)基板を提供する。
【解決手段】サファイア基板を含む発光ダイオード(LED)基板を提供する。サファイア基板は、複数の上部三角・下部六角テーパー部からなる表面を有する。上部三角・下部六角テーパー部の各々は、六角テーパー部と、該六角テーパー部上の三角テーパー部とからなる。上部三角・下部六角テーパー部どうしの間隔幅は、10μｍ未満である。このLED基板は、高い発光効率を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光ダイオードの製造方法に関する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードの製造方法は、結晶成長のための前記結晶面を有する前記基板を提供する第一ステップと、前記基板の前記結晶面にカーボンナノチューブ層を設置する第二ステップと、前記基板の前記結晶面に第一半導体層、活性層及び第二半導体層を順に成長させる第三ステップと、前記第二半導体層の表面に第二電極を設置する第四ステップと、前記基板を除去する第五ステップと、前記第一半導体層の表面に第一電極を設置する第六ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】製造コストを大幅に減少させることができる、新規な半導体製造方法を提供する。
【解決手段】半導体製造方法は、成長基板を提供する工程Ｓ１１と、前記成長基板に半導体基板を形成する工程Ｓ１２と、前記成長基板と前記半導体基板との間に複数の溝を有する第一構造を形成する工程Ｓ１３と、後続の素子の製造を進め、半導体素子を半導体基板に形成する工程Ｓ１４と、前記成長基板の温度と前記半導体基板を変更する工程Ｓ１５とを含んでいる。工程Ｓ１５において、成長基板と半導体基板とは膨張係数が異なるので、応力が集中し、互いに剥離する。このように、レーザ剥離技術によって成長基板を除去する工程を必要としないため、コストを効果的に減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】複数の光出射部の間隔を大きくすることができ、発光装置がライトバルブの直下に配置された方式のプロジェクターに適用できる発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００は、第１領域１５０と第２領域１６０とは、第１層の側面１３２に設けられる第１反射部１８１，１８３にて接続され、第１領域１５０と第３領域１７０とは、第１層の側面１３３に設けられる第２反射部１８２，１８５にて接続され、第２領域１６０と第３領域１７０とは、出射面となる第１層の側面１３１に接続され、第１領域１５０は、第１領域１５０の長手方向が出射面１３１に対して平行になるように設けられ、出射面１３１において第２領域１６０から出射される第１の光２０と、出射面１３１において第３領域１７０から出射される第２の光２２とは、同じ方向に出射される。 （もっと読む）

【課題】成膜用の成長基板を剥離した発光素子面から機械的に安定した配線電極を確実に形成できる窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】成長基板１１上にデバイス構造層１２を形成する工程と、発光素子に対応した位置に第１電極層１３を形成する工程と、第１電極層の周辺に構造保護犠牲層１４を形成する工程と、デバイス構造層に素子分離溝１７を形成する素子分離工程と、デバイス構造層側に支持基板２０を貼り付ける接合工程と、成長基板の剥離を行う工程と、デバイス構造層を第１電極層を有する発光素子と構造保護犠牲層上の逆テーパ部２６とに分離する順テーパ溝２４形成工程と、構造保護犠牲層をエッチングして逆テーパ部をリフトオフするリフトオフ工程と、デバイス構造層の露出面に第２電極層２８を形成する工程と、発光素子の側壁に絶縁層を形成して第２電極層と電気的に接続した配線電極層２９を形成する配線電極層形成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】低い温度で発光ダイオードチップに横向きエッチングを行い、発光ダイオードチップを逆円錐状に形成させる発光ダイオードチップの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１０上にＳｉＯ_２パターン層を形成するステップと、基板１１０に半導体発光構造１４０を成長させ、エピタキシャル成長の条件を調整することにより、隣接する半導体発光構造１４０の間にギャップを形成するステップと、第一エッチング液でＳｉＯ_２パターン層を除去し、半導体発光構造と基板との間にスペースを形成させるステップと、第二エッチング液で半導体発光構造１４０をエッチングし、第二エッチング液が、ギャップに注ぎ込まれた後、スペースに流れ込み、半導体発光構造１４０を逆円錐状に形成させるステップと、半導体発光構造１４０に電極を設置するステップと、ギャップに沿って基板を切断し、複数の発光ダイオードチップを形成するステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】導電性を有する支持基板Ｓ上に、反射金属膜２６を介して、円錐台形状を有し発光領域となる活性層２３２を有する化合物半導体からなる化合物半導体発光ユニットＵを複数個並設した構造を有している。 （もっと読む）

【課題】サファイアウェーハの分割によって形成される発光デバイスの輝度を向上できる分割方法を提供すること。
【解決手段】本発明の分割方法は、表面に発光層４１２が積層されたサファイアウェーハＷの内部に分割予定ラインに沿う改質層４０２を形成する改質層形成工程と、サファイアウェーハＷの裏面Ｗｂに分割予定ラインに沿う切削溝４０１を形成して、改質層４０２を起点としてサファイアウェーハＷを個々の発光デバイス４１１に分割する面取り分割工程とを含み、面取り分割工程において形成された切削溝４０１によって各発光デバイス４１１の裏面側の角部を面取りされた状態とする構成とした。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の光取り出し効率を向上させる。
【解決手段】非極性面又は半極性面を結晶成長面とする基板上に半導体層が形成された半導体発光素子であって、半導体層は、第１の側面と第２の側面とを有し、第２の側面の平均勾配は、第１の側面の平均勾配よりも大きい。 （もっと読む）