【課題】本発明は光電素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による光電素子であって、表面及び表面と垂直する法線方向を有する基板と、基板の表面に位置して表面と接触する第一半導体層と、第一半導体層と基板の表面の間に位置する少なくとも一つの空洞構造とを有し、少なくとも一つの空洞構造は幅と高さを有し、幅は空洞構造における表面に平行する方向の最大寸法であり、高さは空洞構造における法線方向に平行する方向の最大寸法であり、高さは幅より小さい。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオードのサイズが小さい場合や発光ダイオードの接続個数が多い場合にも製造が容易になり製造コストが抑えられる発光装置を提供する。
【解決手段】この発光装置では、第１の電極１にアノードが接続され、第２の電極２にカソードが接続された発光ダイオード５,７と、第１の電極１にカソードが接続され、第２の電極２にアノードが接続された発光ダイオード３,４,６とが混在して配置され、交流電源１０によって第１の電極１と第２の電極２との間に交流電圧を印加して複数の発光ダイオード３〜７を駆動する。第１,第２の電極１,２間に接続する複数の発光ダイオード３〜７を極性を揃えて配列する必要がないので、製造時に複数の発光ダイオードの極性(向き)を揃える工程が不要となり製造工程を簡略化できる。 （もっと読む）

【課題】発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の発光素子の製造方法は、基板上にｎ型半導体層、活性層、及びｐ型半導体層を順次に形成し、水平面に対して勾配を有し且つｐ型半導体層から活性層まで連続して形成された少なくとも一つの斜面を有するようにｐ型半導体層及び活性層の一部を除去してｎ型半導体層の一部を露出させ、ｐ型半導体層の上部にｐ型金属バンプを形成し、露出されたｎ型半導体層上にｎ型金属バンプを形成し、サブマウント基板上にｐ型ボンディングパッド及びｎ型ボンディングパッドを形成し、ｐ型金属バンプ及びｎ型金属バンプと、ｐ型ボンディングパッド及びｎ型ボンディングパッドとがそれぞれ接続されるように、基板とサブマウント基板とをフリップチップボンディングし、フリップチップボンディングされた基板とサブマウント基板を発光素子ごとに切り出すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光抽出効率が向上した半導体発光素子及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明は、第１の導電型半導体層と、当該第１の導電型半導体層の一面上に形成される活性層と、当該活性層の上に形成され複数のホールを含む第２の導電型半導体層と、当該第２の導電型半導体層の上に形成される透明電極と、を含む半導体発光素子；成長用基板上に第２の導電型半導体層、活性層及び第１の導電型半導体層を形成する段階と、当該第１の導電型半導体層の上に導電性基板を形成する段階と、上記成長用基板を上記第２の導電型半導体層から分離し当該第２の導電型半導体層に複数のホールを形成する段階と、上記第２の導電型半導体層の上に透明電極を形成する段階と、を含む半導体発光素子の製造方法；を提供する。 （もっと読む）

【課題】ウェハから切り出した発光素子を識別する。
【解決手段】複数の発光デバイスを製造する製造方法であって、発光素子基板に複数の発光素子を形成する素子形成段階と、それぞれの発光素子に、発光素子を他の発光素子から識別する識別部を形成する識別部形成段階と、それぞれの発光素子を分離して、複数の発光デバイスを形成するデバイス形成段階とを備える発光デバイスの製造方法を提供する。識別部は、発光素子を他の発光素子から識別する外観を有してよい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光素子、発光素子の製造方法、及び発光素子パッケージを提供するためのものである。
【解決手段】本発明に係る発光素子は、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、及び上記第１導電型半導体層と上記第２導電型半導体層との間に活性層を含む発光構造物と、上記発光構造物の上の蛍光体層と、上記蛍光体層の上に形成される光抽出構造と、を含み、上記光抽出構造は、上記発光構造物の内部で生成されて上記蛍光体層と上記光抽出構造の界面に入射する光を上記発光構造物の外部に抽出することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光素子、発光素子の製造方法、及び発光素子パッケージを提供するためのものである。
【解決手段】本発明に係る発光素子は、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、及び上記第１導電型半導体層と上記第２導電型半導体層との間に活性層を含む発光構造物と、上記発光構造物の上の蛍光体層と、上記蛍光体層の上に形成される光抽出構造と、を含み、上記光抽出構造は、上記発光構造物の内部で生成されて上記蛍光体層と上記光抽出構造の界面に入射する光を上記発光構造物の外部に抽出することができる。 （もっと読む）

【課題】発光領域の占有面積を制限しながら被露光面での光量の増加を図ることができる発光素子基板と、この発光素子基板を用いた露光装置及び画像形成装置と、を提供する。
【解決手段】複数の発光素子が第１の方向に並ぶように配列されると共に、第１の方向と交差する第２の方向に２列に分けて配列されて、基板上に配置された発光素子基板であって、複数の発光素子の各々は、角度θの頂角を有する五角形の発光領域を備え、頂角に対向する一辺が第１の方向に沿った第１の直線上に重なり且つ頂角が他方の列側を向くように、複数の発光素子が予め定めた間隔で配列された第１の発光素子列と、頂角に対向する一辺が第１の方向に沿った第２の直線上に重なり且つ頂角が他方の列側を向くと共に、頂角が第１の発光素子列の隣接する２個の発光素子の間に対向するように、複数の発光素子が予め定めた間隔で配列された第２の発光素子列と、を備えた発光素子基板とする。 （もっと読む）

【課題】蛍光体間の再吸収を抑制し優れた発光効率を実現する発光装置を提供する。
【解決手段】実施の形態によれば、波長２５０ｎｍ乃至５００ｎｍの光を発する発光素子と、発光素子上に形成され、赤色蛍光体を含有し、断続的に配置される複数の赤色蛍光体層と、発光素子上に形成され、緑色蛍光体を含有し、発光素子から離れた位置に配置される緑色蛍光体層を備え、発光素子と赤色蛍光体層との距離よりも発光素子と緑色蛍光体層との距離が大きい発光装置である。 （もっと読む）

【課題】生成された出力結合すべきビームの特性を従来方式のチップよりも向上させ、かつ従来形のＬＥＤケーシング構造の中にも十分に組み込める、発光ダイオードチップを提供することである。またそれと同時にその製造方法についても従来の発光ダイオードチップの製造方法に比べて技術的に増える手間がごく僅かで済むように改善を行うこと。
【解決手段】横断面積がＦ_Lのビーム発光アクティブ領域（３２）と、照射方向で該ビーム発光アクティブ領域（３２）に後置接続されている屈折率ｎ_sのビーム透過性ウインドウ層（２）を有し、該ウインドウ層は光出力結合のためにＦ_Cの横断面積を有し、さらに屈折率ｎ_Mの媒体が接している出力結合面を有し、前記ｎ_s＞ｎ_Mであり、前記ビーム発光アクティブ領域（３２）の横断面積Ｆ_Lを、出力結合面の横断面積Ｆ_Cよりも小さくする。 （もっと読む）