【課題】構造を複雑化することなく光取り出し効率に優れた半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体発光装置は、透明層１上に縦横に列設される複数の発光部２と、これ
ら発光部２とは反対側の透明層１上に配置される複数のコンタクト部３とを備えている。
複数の発光部２のそれぞれは、光を発光する活性層５と、この活性層５から発光された光
の一部を反射するテーパ状に加工されたテーパ部７と、テーパ部７の底面に設けられる平
坦部８とを有する。コンタクト部３を発光部２からの光の通過を妨げない場所に配置する
ため、発光効率の向上が図れる。 （もっと読む）

【課題】改善した熱特性及び電気特性を有する垂直型発光ダイオード（ＬＥＤ）を提供する。
【解決手段】垂直型発光ダイオード（ＶＬＥＤ）ダイは、金属ベース（基部）１２と、金属ベース上のミラー１４と、ミラー上のｐ型半導体層１６と、光を放出するように構成された、ｐ型半導体層上の多重量子井戸（ＭＱＷ）層１８と、多重量子井戸（ＭＱＷ）層上のｎ型半導体層２０と、を含む。垂直型発光ダイオード（ＶＬＥＤ）ダイは、ｎ型半導体層上の電極２２と、電極と電気的接触状態にある、ｎ型半導体層上の電極フレーム２４と、電極フレーム内に含有された、選択された光学特性を有する有機又は無機物質とをさらに含む。電極フレームは、ｎ型半導体層の外周部内に包含された４面額縁外周部を有し、高電流容量を提供するとともにｎ型半導体層の外周から中心へと電流を伝播させるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低減でき、特性ばらつきを小さくして歩留まりを向上できる発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】同一絶縁性基板４００上に複数の発光素子を配置する配置工程と、絶縁性基板４００上に配置された複数の発光素子の一部または全部を一括して配線する配線工程と、配置工程と配線工程の後、絶縁性基板４００を複数の分割基板４３０Ａ,４３０Ｂ,４３０Ｃ,４３０Ｄ,４３０Ｅに分割する基板分割工程とを有する。これによって、分割基板４３０Ａ,４３０Ｂ,４３０Ｃ,４３０Ｄ,４３０Ｅ上に複数の発光素子が配置された発光装置を複数形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は偏光性を有する半導体発光素子に関する。
【解決手段】半導体発光素子４０は、第１導電型半導体層４４、活性層４６及び第２導電型半導体層４８が積層された半導体構造物を含む半導体発光素子において、上記半導体構造物は上記第２導電型半導体層から少なくとも活性層に至るまでの深さを有するように一定方向に沿って配列された複数の溝領域により形成された複数の光ガイド部Ｇを含み、上記複数の光ガイド部は長さ方向に該当する偏光成分が選択的に放出されるようにその幅より大きい長さを有する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ等の窒化物半導体薄膜を作製する基板としてグラファイトを使用すると、ＧａＮ薄膜が多結晶となり結晶中の欠陥が多くなる為、発光ダイオード素子を形成することが出来なかった。
【解決手段】アモルファスカーボン層１０２を設けたグラファイト基板１０１上に、ＭＯＣＶＤ法によってＡｌＮ層１０３のｃ軸配向膜を成長させる。次に、ＡｌＮ層１０３上に低温成長バッファ層１０４および第一のｎ型ＧａＮ層１０５を順次エピタキシャル成長させた後、第一のｎ型ＧａＮ層１０５上に開口部を有するマスク層１０６を形成する。次に第一のｎ型ＧａＮ層１０５上に、マスク層１０６の開口部から第二のｎ型ＧａＮ層１０７、Ｉｎ_xＧａ_1-xＮとＧａＮからなる多層量子井戸層１０８、ｐ型ＧａＮ層１０９、ｐ型ＧａＮコンタクト層１１０を順次エピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光抽出効率が向上した発光素子、発光素子製造方法、発光素子パッケージ、及び照明システムを提供するためのものである。
【解決手段】本発明による発光素子は、電極層と、上記電極層の上に電流密度調節パターンと、上記電極層及び上記電流密度調節パターンの上に配置された発光構造物とを含み、上記発光構造物の上部領域に柱パターンまたは孔パターンの共振器構造が提供される。 （もっと読む）

【課題】固体発光素子において、発光媒質内の自己吸収による光のロスを抑制し、速やかに発光媒質から光を射出する。
【解決手段】本発明は格子構造を有する発光素子に関する。本発明によれば、発光素子の光吸収媒質における光の伝播距離を短くすることで、水平方向の光伝導効果を最小限とすることにより、発光層からの光射出の効率を増強することができる。当該格子構造は、光吸収媒質が複数の領域ユニットに分割されるように、光吸収媒質に埋め込まれた側壁及び/又は柱状体を含む。これらの領域ユニットの間は側壁により完全又は部分的に仕切られている。さらに、本発明は、光吸収媒質が複数の領域ユニットに分割されるように、光吸収媒質に埋め込まれた側壁及び/又は柱状体を含む格子構造を有する発光素子の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】より少ない工程でより容易に形成することができる、あるいはより安価に形成することができる発光装置および発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】光を放出する発光部と、前記発光部の表面側に設けられた第１の電極と、前記発光部の裏面側に設けられた第２の電極と、を有し、前記裏面側から前記表面側に向けて拡開した錐状の光放出面を有する半導体発光素子と、前記第１の電極に接続された第１のリード線と、前記第２の電極に接続された第２のリード線と、前記半導体発光素子から放出される光に対して透光性を有し、前記半導体発光素子と、前記第１及び第２のリード線の一部と、の周囲を封止または封着するガラスと、を備えたことを特徴とする発光装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】光源装置に用いた場合に発光光の利用効率が高い発光素子を実現できるようにする。
【解決手段】発光素子は、基板１０１の主面上に形成され、第１の波長の光を発生させる活性層１２２を有する半導体多層膜１０２と、半導体多層膜１０２の上に形成され、第１の２次元周期構造を構成する複数の蛍光体層１０５とを備えている。蛍光体層１０５は、第１の波長の光に励起されて第２の波長の光を発生させ、半導体多層膜１０２は、第１の波長の光及び第２の波長の光が導波する光導波路１０９を有し、光導波路１０９の端面から放射される光は、電界の方向が主面と垂直な方向の光よりも水平な方向の光の割合が高い。 （もっと読む）

【課題】 発光ダイオード及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 光透過性の基板５１と、基板５１の上面に積層され光を放出する活性層５
７を備える半導体物質層５３、５４と、基板５１の背面に相異なる厚さ分布に形成された
蛍光層５９と、を含む発光ダイオード。これにより、蛍光層の厚さを調節して発光層から
生成される光及びこの光が変化して生成される相異なる波長帯域の光の出射比率を調節し
て均一なプロファイルのホワイト光を発生できる。 （もっと読む）