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国際特許分類[H01L33/44]の内容

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【課題】LED素子を封止する蛍光体樹脂に透明樹脂を追加するとLED装置の発光色を青方向にシフトできることが知られている。ところが追加法として例示されている塗布法では色度が微調しづらい。
【解決手段】LED装置10は蛍光体樹脂11の表面に透明樹脂からなる複数の凸部14を備え、その凸部14の形状が略同一であり、凸部14の数が色度補正量に対応して増減する。凸部14は、噴霧により生成した粒径が略均一な透明樹脂の微粒子を、色度補正量に応じた数だけ蛍光体樹脂11の表面に付着させても良い。 (もっと読む)


【課題】半導体層に加わる応力を緩和し、発光効率の向上が可能な半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、発光部10dと第1導電部30aと第2導電部30bと第1絶縁層21と封止部50と光学層60とを備えた半導体発光装置が提供される。発光部は、第1主面10bと第2主面10aとを有する半導体積層体10と、第2主面に設けられた第1、第2電極と、を含む。第1、第2導電部は、それぞれ第1、第2電極に接続され、第2主面に立設された第1、第2柱部を含む。第1絶縁層は第1、第2柱部の少なくとも一部と半導体積層体との間に設けられる。封止部は第1、第2導電部の側面を覆う。光学層は、半導体積層体の第1主面に設けられ発光部10dから放出された発光光の波長を変換する波長変換部を含む。 (もっと読む)


【課題】光の変調速度を向上させることのできる屈折率変調構造及びLED素子を提供する。
【解決手段】表面に凹部又は凸部が周期的に形成された材料を含むモスアイ構造体と、前記材料に電界を生じさせ、当該材料の屈折率を変化させる電界調整部と、を有し、モスアイ構造体の屈折率の変化を利用して回折の透過条件を変化させる。 (もっと読む)


【課題】 発光素子の上面に設けられた高屈折率層の上面における光取り出し効率を高めると共に、発光素子自体からの光取り出し効率も向上させた発光装置を提供することにある。
【解決手段】 この発光装置における基板2上に実装したLED素子4は、封止樹脂6で封止されている。このLED素子4の上面にはジメチルシリコーン系の高屈折率材料による高屈折率層8が設けられている。LED素子4はフリップチップにより基板2に実装され、LED素子4と基板2との間にジメチルシリコーン系の高屈折率材料からなるアンダーフィル10が設けられている。これにより、LED素子4から外部の空気までの間が段階的に屈折率が小さくなると共にLED素子4直下の基板2で反射する光により、光取り出し効率の向上を図ることができる。 (もっと読む)


【課題】発光効率効率が向上した発光素子、発光素子の製造方法、発光素子パッケージ及び照明システムを提供すること。
【解決手段】本発明の発光素子は、第1電極層と、前記第1電極層上に形成されて、主ピーク波長領域が430nm〜470nmである青色系の光を発光し、光抽出構造を含む発光構造物と、前記光抽出構造上にプラズモン振動数が前記青色系の光の波長と異なる金属材質から形成される第1層を備える第2電極層とを備える。 (もっと読む)


【課題】高いマイグレーション防止性、高い透過率、低い成膜コストの全てを満たす半導体発光素子、半導体発光素子の保護膜及びその作製方法を提供する。
【解決手段】基板11上に形成された複数の半導体層12〜14と、複数の半導体層12〜14の電極となる電極部15、16及び電極部17、18とを有する半導体発光素子において、その保護膜として、複数の半導体層12〜14、電極部15、16及び電極部17、18の周囲を膜厚35nm以上の窒化珪素からなるSiN膜31で被覆し、SiN膜31の周囲をSiN膜31の膜厚より厚い酸化珪素からなるSiO膜32で被覆する。 (もっと読む)


【課題】高いマイグレーション防止性、高い透過率、低い成膜コストの全てを満たす半導体発光素子、半導体発光素子の保護膜及びその作製方法を提供する。
【解決手段】基板11上に形成された複数の半導体層12〜14と、複数の半導体層12〜14の電極となる電極部15、16及び電極部17、18とを有する半導体発光素子において、その保護膜として、複数の半導体層12〜14、電極部15、16及び電極部17、18の周囲を、膜中のSi−H結合量が1.0×1021[個/cm3]未満の窒化珪素からなるSiN膜21で被覆する。 (もっと読む)


【課題】小型化が容易であり、量産性及び効率が改善された半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光装置は、発光層を含む半導体層と、半導体層の第2の主面に設けられた第1の電極及び第2の電極と、半導体層の第2の主面側に設けられ、第1の電極に達する第1の開口と第2の電極に達する第2の開口とを有する絶縁膜と、絶縁膜における半導体層に対する反対側の面及び第1の開口内に設けられた第1の配線と、絶縁膜における半導体層に対する反対側の面及び第2の開口内に設けられた第2の配線と、第1の配線に設けられた第1の金属ピラーと、第2の配線に設けられた第2の金属ピラーと、第1の金属ピラー及び第2の金属ピラーの周囲を覆う樹脂と、半導体層の第1の主面に対向して設けられ発光光のピーク波長が異なる複数種の蛍光体を含む蛍光体層と、を備えた。 (もっと読む)


【課題】高い保護機能を有すると共に、内部で光の反射や損失を改善することができる保護膜層を提供する。
【解決手段】基板上に、n型半導体層と発光層とp型半導体層とを有する半導体層とをこの順で設ける工程と、前記半導体層上に、透光性電極15を形成した後に、ジルコニア(ZrO)を材料とし、スパッタ法により、結晶構造のうち90%以上が単斜晶からなる保護膜層50を形成する工程と、を具備してなることを特徴とする半導体発光素子の製造方法を採用する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、新たな構造を有し、信頼性が向上した発光素子及び発光素子パッケージを提供するためのものである。
【解決手段】本発明に従う発光素子は、第1半導体層、第1半導体層の上に活性層、及び上記活性層の上に第2半導体層を含む発光構造物と、少なくとも第1半導体層の上面に配置された接合層と、第1半導体層の上面から接合層の上面まで延びた第1電極と、第2半導体層の上に配置された第2電極と、を含む。 (もっと読む)


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