【課題】半導体層の側面からの出射光を効率的に利用することができる、例えばＬＥＤの輝度向上を実現しうる光半導体素子を提供する。
【解決手段】光半導体素子は、支持基板１８の上方に半導体層１１が形成され、半導体層１１の側面に絶縁層１４が形成され、半導体層１１の側方に絶縁層１４を介して保護層１７が形成されてなる。保護層１７は、（Ａ）一般式：（Ｒ¹）_PＳｉ（Ｘ）_4-P［式中、Ｒ¹は炭素数が１〜１２である非加水分解性の有機基、Ｘは加水分解性基、およびｐは０〜３の整数である。］で示される加水分解性シラン化合物、その加水分解物、及びその縮合物から選択される一つ以上の化合物を含有する組成物の硬化物である。 （もっと読む）

【課題】良好な混色性と光均一性を有するバックライトユニット及びこれを用いたディスプレイ装置を提供すること。
【解決手段】本発明に従うバックライトユニットは、ボトムカバーと、上記ボトムカバーの上に配置され、基板及び複数の発光素子を含み、上記複数の発光素子の各々は、第１導電型半導体層、活性層、及び第２導電型半導体層を有する発光構造層を含む発光モジュール部と、上記発光モジュール部の上に配置され、上記複数の発光素子のうち、少なくとも１つを挿入する少なくとも１つの挿入溝を含む光ガイド部材と、を含み、上記少なくとも１つの挿入溝は一側方向のみに開放される。 （もっと読む）

【課題】本発明は従来の蛍光体を代替できる蛍光体物質を含み、高性能の白色発光素子を実現できる発光素子、発光素子パッケージおよび照明システムを提供すること。
【達成手段】本発明は発光素子、発光素子パッケージおよび照明システムに関する。
本発明の発光素子は第1導電型半導体層、第2導電型半導体層および前記第1導電型半導体層と前記第2導電型半導体層の間に活性層を含む発光構造物と、前記発光構造物上に第1非晶質層、および前記第1非晶質層上にナノ粒子形態のナノ構造物と、を含む。 （もっと読む）

本発明で提供されるのは、動作時に光を放射するかまたは受光するのに適した活性領域（３）を有する少なくとも１つのオプトエレクトロニクス的に活性な無機半導体素子（１０）と、少なくとも１つの表面領域（７）に原子間堆積によって被着したシーリング材料（６）とを有する素子であり、このシーリング材料により、上記表面領域（７）が気密に覆われる。さらに本発明ではオプトエレクトロニクス素子を製造する方法が提供される。
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改良された光抽出効率を伴う発光ダイオードを製作する方法であって、水溶液からＺｎＯナノロッドを成長させることによって、ＩＩＩ族窒化物系ＬＥＤの１つ以上の表面上に複数の酸化亜鉛（ＺｎＯ）ナノロッドを堆積させるステップを含み、前記表面は、ＩＩＩ族窒化物のｃ−平面表面と異なり、ＬＥＤによって発生される光を透過させる、方法。一実施形態において、方法は、溶解Ｚｎ（ＩＩ）を伴う化学反応によって、溶解Ｚｎ（ＩＩ）を含有する水溶液からＺｎＯナノロッドを成長させるステップをさらに含み、ＺｎＯナノロッドは、水溶液と接触する。
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放射線を収集し又は放出するデバイス（５０）のためのこの保護基材（１１）は透明ポリマー層（１）及び該ポリマー層の少なくとも１つの面（１Ａ）上のバリア層（２）を含む。バリア層（２）は交互により低い屈折率及びより高い屈折率を有しかつ交互により低い密度及びより高い密度を有する少なくとも２層の透明薄膜層（２１，２２，２３，２４）の反射防止性多層からなり、バリア層（２）の構成多層の各薄膜層（２１，２２，２３，２４）は酸化物、窒化物又は酸窒化物層である。
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本発明は、発光ダイオードチップであって、第１の区域（１Ａ）および第２の区域（１Ｂ）を有する半導体ボディ（１）と、半導体ボディ（１）の中の活性ゾーン（２）であって、発光ダイオードチップ（１００）の動作時、少なくとも一部分が半導体ボディ（１）の第１の主面（１１１）によって形成されている放射出力面（１１）、によって電磁放射を放出する、活性ゾーン（２）と、半導体ボディ（１）における少なくとも１つの溝（３）であって、半導体ボディ（１）の一部分が溝（３）の領域において除去されている、少なくとも１つの溝（３）と、を備えており、少なくとも１つの溝が少なくとも活性ゾーン（２）に達しており、少なくとも１つの溝が第１の区域（１Ａ）を横方向に完全に囲んでおり、第２の区域（１Ｂ）が少なくとも１つの溝（３）と第１の区域（１Ａ）とを横方向に完全に囲んでいる、発光ダイオードチップ、に関する。 （もっと読む）

光抽出を強化するための多機能光学フィルムは、可撓性基材と、異なる寸法のナノ粒子を有する構造化層と、充填材層を含む。構造化層は、光生成領域の十分近くに配置された、ミクロ複製した回折又は散乱ナノ構造を効果的に使用し、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）装置からのエバネセント波の抽出を可能にする。充填材層は、構造化層の屈折率と異なる屈折率を有する材料を有する。充填材層はまた、光抽出フィルムをＯＬＥＤディスプレイ装置層に合わせるために、構造化層の上に平坦化層を供給する。光抽出効率の改善を超えた追加の機能性をもたらすために、フィルムは、それに追加され又はその中に組み込まれた追加層を放射表面に有してもよい。
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複数のＬＥＤチップを製造する方法は、複数のＬＥＤを準備する段階と、それぞれが、複数のＬＥＤのうちの少なくとも１つの上に配される複数のスペーサを形成する段階とを有する。ＬＥＤを変換材料でコーティングする段階において、複数のスペーサのそれぞれは、対応するＬＥＤを覆う変換材料の量を減少させる。変換材料が減少することで、複数のＬＥＤチップが、電気信号におうじて、目標波長に対して特定の標準偏差の範囲内の光を放出する。本発明に係る方法を用いて、ＬＥＤ、ＬＥＤチップおよびＬＥＤチップウエハが製造される。本発明に係るＬＥＤチップウエハの一実施形態は、ウエハ上の複数のＬＥＤと、複数のスペーサとを備える。複数のスペーサのそれぞれは、複数のＬＥＤのうち対応するＬＥＤの上に配される。変換材料は、複数のＬＥＤおよび複数のスペーサを少なくとも部分的に覆い、複数のＬＥＤから放出された光の少なくともいくつかは、変換材料を通過して、変換される。複数のスペーサを備えない類似のＬＥＤチップの場合、少なくともいくつかのＬＥＤチップが標準偏差の範囲外の波長を有する光を放出することと比較して、スペーサを備えることで、ＬＥＤチップが、特定の標準偏差の範囲内の波長を有する光を放出する。 （もっと読む）

本開示は、３族窒化物半導体発光素子に関し、より詳細には、第１の導電性を有する第１の３族窒化物半導体層、第１の導電性とは異なる第２の導電性を有する第２の３族窒化物半導体層、及び第１の３族窒化物半導体層と第２の３族窒化物半導体層との間に位置し、電子と正孔の再結合により光を生成する活性層を備える複数の３族窒化物半導体層と、複数の３族窒化物半導体層と電気的に接続されるボンディングパッドと、ボンディングパッド上に位置する保護膜と、ボンディングパッドと保護膜との間に位置し、ボンディングパッドが露出するように形成されるバッファパッドとを含むことを特徴とする３族窒化物半導体発光素子に関する。

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