【課題】低駆動電流値で電流誘起磁化反転を行うことのできる強磁性トンネル接合素子を提供する。
【解決手段】磁化固定層１００と非磁性絶縁層１１０と磁化自由層１２０を有する強磁性トンネル接合素子１０において、磁化自由層１２０は非磁性金属層２２１を挟んで強磁性層２２０、２２２を有し、２つの強磁性層２２０、２２２の磁化の方向が互いに平行である。２つの強磁性層の磁化の方向を互いに平行にすることにより、スピントランスファートルクが有効に働き、駆動電流を低減できる。 （もっと読む）

【課題】より高い特性を有する膜体を形成する。
【解決手段】被膜部材１０の製造方法は、スパッタリングターゲット部材を用い、スパッタリング処理によって被処理部材１１に膜体１２を形成する形成工程、を含むものである。この形成工程では、１又は複数のスパッタリングターゲット部材を用い、Ｍｇ、Ａｌ、Ｏ及びＮの元素を含む膜体１２を被処理部材１１の表面に形成する処理を行う。ここで、スパッタリングターゲット部材は、Ｍｇ、Ａｌ、Ｏ及びＮの全てが含まれていれば、どのような形態でも構わず、スパッタリングターゲット部材を１種用いるものとしてもよいし、スパッタリングターゲット部材を複数種用いるものとしてもよい。被処理部材１１に形成された膜体１２には、Ｍｇ、Ａｌ、Ｏ及びＮが含まれている。 （もっと読む）

【課題】第１の磁性部分と、第２の磁性部分と、第１の磁性部分と第２の磁性部分の間の
バリア層とを有するセンサスタックを含む磁気センサを提供する。
【解決手段】第１の磁性部分及び第２の磁性部分のうち少なくとも一方が、バリア層に隣接する正の磁気ひずみを有する第１の磁性層と、第２の磁性層と、第１の磁性層と第２の磁性層の間の中間層とを有する多層構造を含む。この磁気センサは、その抵抗−面積（ＲＡ）積が約１．０Ω・μｍ^２であるとき、少なくとも約８０％のＭＲ比を有する。 （もっと読む）

【課題】メモリセルへのデータの書き込みと読出しの信頼性を高くした不揮発性メモリを提供する。
【解決手段】２つのメモリセルを隣接させた基本ユニットを単位にするメモリセルアレイを有し、前記基本ユニットの２つのメモリセルのメモリセル選択用トランジスタのソース端子を共通のソース線に接続し、前記２つのメモリセルを２つのビット線に接続した抵抗変化型メモリであって、前記ソース線の配線パターンと前記ビット線の配線パターンを平行に走行させ、前記ソース線の配線パターンと前記ビット線の配線パターンの一部の領域を上下で重ねあわせて対向させる。 （もっと読む）

【課題】高出力、高Ｑ値で且つ、膜厚が薄いＳＴＯを備えた磁気ヘッド、磁気センサ、および磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】一実施形態の磁気ヘッドは、スピントルク発振素子を備え、スピントルク発振素子は、第１強磁性層と、第２強磁性層と、第２強磁性層に対して前記第１強磁性層と反対側に設けられた第３強磁性層と、第１強磁性層と第２強磁性層との間に設けられた第１非磁性層と、第２強磁性層と第３強磁性層との間に設けられた第２非磁性層と、第１強磁性層に対して第１非磁性層と反対側の面に設けられた第１電極と、第３強磁性層に対して第２非磁性層と反対側の面に設けられた第２電極と、を備え、第２強磁性層と第３強磁性層は、第２非磁性層を介して反強磁性結合をし、前記第１および第２電極間に電流を流さない場合に第１強磁性層と第２強磁性層の磁化の向きが反平行配置であり、第１および第２電極間に電流を流すと、第１乃至第３強磁性層においてそれぞれ、磁化の歳差運動が誘起される。 （もっと読む）

【課題】誤書込を抑制することが可能なＭＲＡＭ装置を提供する。
【解決手段】三角波状のパルス電流Ｉｗをワード線に流してパルス磁場をトンネル磁気抵抗素子の自由層に印加する。また、パルス電流Ｉｗがピークに達した後にピークに達する三角波状のパルス電流Ｉｂをビット線に流してパルス磁場を自由層に印加する。これにより、自由層の磁化ベクトルの歳差運動をその熱揺動よりも大きくして、パルス電流Ｉｗのみで自由層の磁化方向が反転するのを防止できる。また、パルス電流Ｉｂによって自由層の磁化方向を確実に反転させることができる。 （もっと読む）

【課題】磁気トンネル接合を有する磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）セルを提供する。
【解決手段】磁気トンネル接合２は、シンセティック記憶層２３、可逆性であるセンス磁化方向２１１を呈するセンス層２１、及びこのセンス層とこの記憶層との間のトンネル障壁層２２から構成される。正味の漂遊局所磁界が、前記記憶層を前記センス層に結合させる。前記正味の漂遊局所磁界は、センス層に結合する前記正味の漂遊局所磁界が５０エルステッド未満であるような漂遊局所磁界である。また、ＭＲＡＭセルに書き込み、ＭＲＡＭセルを読み出すための方法に関する。当該開示されたＭＲＡＭセルは、従来のＭＲＡＭセルに比べてより低い消費電力で書き込まれ且つ読み出され得る。 （もっと読む）

【課題】スピン注入トルク磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ(ＳＴＴ−ＭＲＡＭ)のメモリセル寸法を縮小する。
【解決手段】ワード・ラインＷＬに対して実質的に平行にかつビット・ラインＢＬに対して実質的に垂直にソース・ラインＳＬを配列することによって、縮小されたビット・セル寸法が達成される。さらに、１つの実施の形態では、書込み動作時に、無効な書込み動作を防止するために、選択されないビット・セルのビット・ラインにハイ論理／電圧レベルが印加される。 （もっと読む）

【課題】書き込み電流を低減する。
【解決手段】磁気記憶素子１０は、膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、かつ磁化方向が可変である記憶層１２と、記憶層１２上に設けられた非磁性層１３と、非磁性層１３上に設けられ、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、かつ磁化方向が不変である参照層１４とを含む。記憶層１２の面積は、参照層１４の面積より大きく、記憶層１２の端部の磁化は、記憶層１２の中央部の磁化より小さい。 （もっと読む）

【課題】向上した磁気性能および堅牢性を有する磁気読み出しセンサを提供する。
【解決手段】磁気センサは、磁化自由層構造３１０と磁化固定層構造とを含む。磁化固定層構造は、非磁性結合層３１８によって互いに分離させた第１の磁性層３１４および第２の磁性層３１６を含む。磁化固定層構造の第２の磁性層はＣｏＦｅＢＴａの層を含んでおり、この層が原子の拡散を防止し、さらには所望のＢＣＣ結晶粒成長を促進する。磁化自由層構造は、原子拡散をさらに防止し、所望のＢＣＣ粒成長をさらに促進するためのかかるＣｏＦｅＢＴａ層を含むこともできる。 （もっと読む）