【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは置換または未置換のチエノチオフェン環を表し、環Ｂは置換または未置換のチオフェン環、置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環、あるいは置換または未置換のチエノチオフェン環を表し、ｍは０または１を表す） （もっと読む）

【課題】半導体層に影響されない画素電極のパターン形成により、画質の向上が図られた表示装置を提供する。
【解決手段】基板３上に設けられたソース電極１３ｓｄおよびドレイン電極１３ｓｄと、基板３上に設けられソース電極１３ｓｄまたはドレイン電極１３ｓｄに接する透過表示用電極（画素電極）１１と、ソース電極１３ｓｄおよびドレイン電極１３ｓｄに達する第１開口１５ａを有し、かつ、透過表示用電極１１の中央部に透過表示用電極１１に達する第２開口１５ｂを有して基板３上に設けられた絶縁性の隔壁層１５と、第１開口１５ａの底部に形成されたチャネル部半導体層１７ｃｈと、チャネル部半導体層１７ｃｈを含む第１開口１５ａを覆うように隔壁層１５上に形成された絶縁膜と、当該絶縁膜の上から第１開口１５ａを覆い、かつ、透過表示用電極１１の上から第２開口１５ｂを覆う保護膜とを有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層に下式で表される化合物を含有してなる有機トランジスタ。


（Ｘ_１〜Ｘ_８はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基を表し、環Ａはベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、チオフェン環、チエノチオフェン環、ジチエノチオフェン環、ベンゾジチオフェン環を表し、環Ｂは１位と８位で縮環したナフタレン環、３位と４位で縮環したペリレン環、１位と１０位で縮環したピレン環を表す） （もっと読む）

【課題】本発明は、有機半導体層で形成されるチャネル領域が封止される封止構造を作ることにより、有機半導体層への界面を介したガスの侵入を防ぎ、素子信頼性を向上させることを可能にする。
【解決手段】ゲート電極２１と、有機半導体層からなるチャネル領域２３と、前記ゲート電極２１と前記チャネル領域２３との間に形成された有機絶縁膜からなるゲート絶縁膜２２と、前記チャネル領域２３の両側に形成されたソース・ドレイン電極２４，２５を有し、前記チャネル領域２３は前記ゲート絶縁膜２２と前記ゲート絶縁膜２２に接続された樹脂絶縁膜３１で被覆され、前記ゲート絶縁膜２２の有機絶縁膜と前記樹脂絶縁膜３１は主骨格が同一の樹脂である。 （もっと読む）

【課題】フェナザシリンの重合体の特性を保ちつつ、分子量分布の小さいビスフェナザシリン化合物、ビスフェナザシリン化合物の製造方法、ビスフェナザシリン化合物を用いた有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】下記に示すビスフェナザシリン化合物は有機溶媒への溶解性が高いので、スピンコート法、ディップコート法等の通常の塗布法を用いて簡易に成膜化して薄膜を形成できる。よって、有機薄膜トランジスタの構成材料に用いることが可能である。
【化１】
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【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは、置換または未置換のベンゼン環、置換または未置換のナフタレン環、置換または未置換のチオフェン環、あるいは置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】溶液プロセスでの素子作製に適した溶解性を有しながら、成膜後に化学的安定性および半導体動作安定性が高く良好な半導体特性を示す、特定の化合物を用いて得られる結晶性有機薄膜、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】（ｉ）基板上に、溶媒可溶性化合物を溶媒に溶かした溶液を塗布する工程、（ｉｉ）前記溶媒可溶性化合物を脱離反応させて溶媒不溶化し有機薄膜を形成する工程、及び（ｉｉｉ）前記有機薄膜上に、溶媒可溶性化合物を溶媒に溶かした溶液を塗布し、脱離反応させて結晶性有機薄膜を積層する工程を含む、結晶性有機薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａ、環Ｂ、環Ｃおよび環Ｄはそれぞれ独立に、置換または未置換のベンゼン環、置換または未置換のチオフェン環、あるいは置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性と耐久性が共に顕著に優れるのみならず、トランジスタ特性の信頼性にも優れる有機トランジスタを提供。
【解決手段】有機半導体材料からなる有機半導体層１と、上記有機半導体層１に接するように形成され、金属酸化物からなる金属酸化物層２と、上記金属酸化物層２に通電するように形成され、導電性材料からなるソース電極３およびドレイン電極４とを有する有機トランジスタ１０であって、上記有機半導体材料がベンゾチオフェン骨格やベンゾセレノフェン骨格を有するいわゆるワイドギャップ材料である。 （もっと読む）

【課題】高光電変換効率、低暗電流性、高速応答性を示す新規な有機半導体を提供する。
【解決手段】薄膜からなる有機半導体において、薄膜が下記の一般式（Ｉ）で示される化合物を含んでなる有機半導体。
一般式（Ｉ）


式中、Ａ_１はＯ、Ｓ又はＮ−Ｒ_１５を表す。Ｒ_１１、Ｒ_１２、Ｒ_１３、Ｒ_１４、Ｒ_１５はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ_１１、Ｒ_１２は連結して環を形成してもよい。Ｂ_１は少なくとも一つの窒素原子を含む環構造を表す。ｎ１は０〜２の整数を表す。 （もっと読む）