【課題】空気中で安定な高い移動度を有するｎ型半導体材料あるいはｎ型およびｐ型両方の半導体材料である半導体ポリマーを提供する。
【解決手段】下記式（Ｉ）の半導体ポリマーである。


式（Ｉ）
（上記式（Ｉ）中、Ｘは、独立に、Ｓ、Ｓｅ、ＯおよびＮＲから選択され、Ｒは、独立に、水素、アルキル、置換アルキル、アリール、置換アリール、ヘテロアリールおよび−ＣＮから選択され、Ａｒは、独立に、共役二価部分であり、ａは、１〜約１０の整数であり、ｎは、２〜約５，０００の整数である。） （もっと読む）

【課題】有機薄膜トランジスタの活性層として使用される有機薄膜に有機溶媒の局所的な塗布やレーザーを用いた局所的な熱処理を行い、有機薄膜の結晶度を局所的に向上させる方法を提供する。
【解決手段】本発明による有機薄膜の局所的結晶化方法は、（ａ）有機半導体物質を利用して有機薄膜を形成する段階と、（ｂ）前記有機薄膜の所定領域に有機溶媒を塗布するか、レーザービームを照射し、前記所定領域の有機薄膜を軟質相に変化させる段階と、（ｃ）前記軟質相に変化した有機薄膜を所定時間乾燥し、前記所定領域の結晶度を向上させる段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】従来よりも熱分解しにくい新規なフタロシアニン前駆体及びその製造方法、該フタロシアニン前駆体から誘導されるフタロシアニン及びその膜の製造方法を提供する。
【解決手段】下式（１ａ）及び（１ｂ）で表わされるフタロシアニン前駆体を用いる。
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【課題】既知の薄膜トランジスタの性能を改良する。
【解決手段】式（Ｉ）および（ＩＩ）：


式(I) 式(II)
（式中、Ｒ_１およびＲ_２は、独立して、水素、アルキル、置換アルキル、アリール、置換アリール、およびヘテロアリールから選択され、ＸおよびＹは、独立して、共役二価部分であり、ａおよびｂは、独立して、０から１０までの整数であり、ｎは、２から５，０００までの整数である）からなる群から選択される半導体ポリマである。 （もっと読む）

【課題】空気中で安定な高い移動度を有するｎ型半導体材料あるいはｎ型およびｐ型両方の半導体材料である半導体ポリマーを含む電子デバイスを提供する。
【解決手段】半導体層を備え、該半導体層が下記式（Ｉ）の半導体ポリマーを含む電子デバイスである。


式（Ｉ）
（上記式（Ｉ）中、Ｘは、独立に、Ｓ、Ｓｅ、ＯおよびＮＲから選択され、Ｒは、独立に、水素、アルキル、置換アルキル、アリール、置換アリール、ヘテロアリールおよび−ＣＮから選択され、Ａｒは、独立に、共役二価部分であり、ａは、１〜約１０の整数であり、ｎは、２〜約５，０００の整数である。） （もっと読む）

【課題】インダセノジチオフェンおよびインダセノジセレノフェンポリマーおよび有機半導体としてのそれらの使用を提供する。
【解決手段】本発明は、インダセノジチオフェンまたはインダセノセレノフェン単位またはそれらの誘導体を含む共役ポリマーと、それらの調製方法と、そこで使用される新規なモノマー単位と、有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置における該ポリマーの使用と、該ポリマーを含むＯＥ装置とに関する。 （もっと読む）

【課題】ラダー型化合物を提供すること。
【解決手段】式（１）


（式中、環構造Ａ及びＢは、同一又は相異なり、置換されていてもよいアリール基、又は置換されていてもよいヘテロアリール基を表し、それぞれ単環もしくは複数環が縮環していてもよい；Ｘ及びＹは、同一又は相異なり、硫黄、酸素、セレン、テルル原子、ＳＯ_２、（Ｒ^１）−Ｃ−（Ｒ^２）、（Ｒ^３）−Ｓｉ−（Ｒ^４）、又はＮ−（Ｒ^５）で表される基を表し、Ｚは、Ｎ−（Ｒ^６）で表される基を表す。但し、下記の式（２）


で表される化合物は除く。）で表されるラダー型化合物。 （もっと読む）

【課題】既知の薄膜トランジスタの性能を改良する。
【解決手段】半導体層を含む電子デバイスであって、該半導体層が、式（Ｉ）および（ＩＩ）：


式(I) 式(II)
（式中、Ｒ_１およびＲ_２は、独立して、水素、アルキル、置換アルキル、アリール、置換アリール、およびヘテロアリールから選択され、ＸおよびＹは、独立して、共役二価部分であり、ａおよびｂは、独立して、０から１０までの整数であり、ｎは、２から５，０００までの整数である）からなる群から選択される半導体ポリマを含む電子デバイスである。 （もっと読む）

【課題】チャネル上における高い容量、低下した供給電圧及び低下した浮遊容量を可能にする有機薄膜トランジスタを提案する。
【解決手段】本発明は、ドレイン（５４）を形成する導電要素と、前記ドレイン（５４）と離れて位置するソース（５６）を形成する導電要素と、前記ドレイン（５４）に面する表面と前記ソース（５６）に面する表面とを有するゲート（６２）を形成する導電要素と、前記ドレイン（５４）及び前記ソース（５６）と接触する半導体層（５８）と、第１に前記ゲート（６２）と前記ソース（５６）との間に、第２に前記ゲート（６２）と前記ドレイン（５４）との間に位置する誘電層（６０）であって、その厚さに依存して変化する誘電率を有する誘電層（６０）と、を備える有機トランジスタ（５０）に関連する。 （もっと読む）

【課題】パターン形成対象層へのパターン形成において、形成された凹部または孔部内にパターン形成工程における残渣が残ることが抑制されるパターニング方法を提供する。
【解決手段】有機半導体トランジスタ素子４０においては、製造工程において、図８に示すように、ソース電極４４及びドレイン電極４５の形成された基板４２上に、隔壁４９を構成する上記絶縁性材料を一様に塗布して絶縁層４７を形成し、この絶縁層４７に、形成対象のパターンに応じた凸部６０Ａを有すると共に該凸部６０Ａに絶縁層を溶解する溶解液６２の塗布された鋳型６０を接触させることで、絶縁層４７を溶解して該凸部６０Ａに応じた孔部４９Ａを形成した後に該鋳型６０を基板４２から剥離することで孔部４９Ａをパターニングする。 （もっと読む）