【課題】チャネル上における高い容量、低下した供給電圧及び低下した浮遊容量を可能にする有機薄膜トランジスタを提案する。
【解決手段】本発明は、ドレイン（５４）を形成する導電要素と、前記ドレイン（５４）と離れて位置するソース（５６）を形成する導電要素と、前記ドレイン（５４）に面する表面と前記ソース（５６）に面する表面とを有するゲート（６２）を形成する導電要素と、前記ドレイン（５４）及び前記ソース（５６）と接触する半導体層（５８）と、第１に前記ゲート（６２）と前記ソース（５６）との間に、第２に前記ゲート（６２）と前記ドレイン（５４）との間に位置する誘電層（６０）であって、その厚さに依存して変化する誘電率を有する誘電層（６０）と、を備える有機トランジスタ（５０）に関連する。 （もっと読む）

【課題】パターン形成対象層へのパターン形成において、形成された凹部または孔部内にパターン形成工程における残渣が残ることが抑制されるパターニング方法を提供する。
【解決手段】有機半導体トランジスタ素子４０においては、製造工程において、図８に示すように、ソース電極４４及びドレイン電極４５の形成された基板４２上に、隔壁４９を構成する上記絶縁性材料を一様に塗布して絶縁層４７を形成し、この絶縁層４７に、形成対象のパターンに応じた凸部６０Ａを有すると共に該凸部６０Ａに絶縁層を溶解する溶解液６２の塗布された鋳型６０を接触させることで、絶縁層４７を溶解して該凸部６０Ａに応じた孔部４９Ａを形成した後に該鋳型６０を基板４２から剥離することで孔部４９Ａをパターニングする。 （もっと読む）

【課題】しきい値電圧が低い有機トランジスタを提供すること。
【解決手段】基板の表面にゲート電極をなす導電性薄膜を成膜し、このゲート電極の上にＨｆＳｉＯ膜またはＨｆＳｉＯＮ膜からなるゲート絶縁膜を形成する。ＨｆＳｉＯ膜は例えばＨｆ及びＳｉの重量比が１対１の合金をターゲットとして用い、スパッタリングにより成膜する。このゲート絶縁膜の上に自己組織形成膜を成膜し、更に例えばペンタセンからなる有機半導体層を積層し、この有機半導体層の上にソース電極及びドレイン電極を離間して配置する。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁層を形成する材料を改良することにより有機電界効果トランジスタのヒステリシスを小さくする有機薄膜トランジスタゲート絶縁層用樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（１）で表される基を含有する高分子化合物と、（Ｂ）架橋剤とを含有することを特徴とする有機薄膜トランジスタゲート絶縁層用樹脂組成物。
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【課題】本発明は、液晶性有機半導体材料が用いられることにより、半導体特性に優れた有機半導体素子を製造することが可能な有機半導体素子の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、第１基板と、上記第１基板上に形成されたゲート電極と、上記ゲート電極を覆うように形成されたゲート絶縁層と、上記ゲート絶縁層上に形成され、液晶性有機半導体材料からなる有機半導体層とを有する有機半導体素子用基板、および、第２基板を用い、上記第２基板を、上記有機半導体層上に配置し、上記有機半導体層を上記液晶性有機半導体材料の液晶相温度以上に加温することによって、上記有機半導体層を介して上記ゲート絶縁層と上記第２基板とを接着する接着工程を有することを特徴とする、有機半導体素子の製造方法を提供することにより、上記課題を解決するものである。 （もっと読む）

【課題】リーク電流の増加を抑制することができ、かつトランジスタのオンオフ特性を向上させることができる有機電界効果トランジスタを得る。
【解決手段】 絶縁性の基板９と、基板９上に凸部形状を形成する第１の電極１と、第１の電極１の上面１ａ及び側面１ｂ，１ｃを覆う絶縁膜７と、絶縁膜７を介して少なくとも第１の電極１の上面１ａ上に設けられる第２の電極２と、第１の電極１の側面１ｂ，１ｃ上の絶縁膜７に沿う領域が、第２の電極２との間で形成するチャネル領域となるように、基板９上に設けられる第３の電極３，４と、第２の電極と第３の電極の間を覆い、チャネル領域を形成するように設けられる有機半導体層８とを備える有機電界効果トランジスタ１０であって、第１の電極１の側面１ｂの上部１ｄと第２の電極２との間の絶縁膜６の厚みｔ_１が、第１の電極１の上面１ａ上の絶縁膜７の平均的厚みよりも薄くなるように形成されていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】複雑な形状の面の上であっても、厚みが均一な有機半導体層を形成することができる有機薄膜デバイスの製造方法及び有機薄膜デバイスを得る。
【解決手段】有機半導体層２を有する有機薄膜デバイス４の製造方法であって、有機半導体膜２を貼り合わせることにより有機半導体層２を形成することを特徴としており、好ましくは、支持基板１上で化学反応により有機半導体膜２を形成する工程と、形成した有機半導体膜２を支持基板１から剥離する工程と、剥離した有機半導体膜２を貼り合わせて有機半導体層２を形成し、有機薄膜デバイス４を作製する工程とを備えることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】スイッチングトランジスタと駆動用トランジスタとの電気的接続を確実にするとともに、ビアホール形成とバンク（又はセパレータ）形成とによるゲート絶縁膜の劣化を防ぐ。
【解決手段】トップゲート型のスイッチングトランジスタ１１とボトムゲート型の駆動用トランジスタ１２とを備える有機半導体デバイス１０であって、スイッチングトランジスタ１１のソース電極１０３と、駆動用トランジスタ１２のゲート電極２０２とは同一の構造物を兼用し、スイッチングトランジスタ１１のバンク層１０５と駆動用トランジスタ１２のゲート絶縁膜２０３とは、同一の構造物を兼用し、駆動用トランジスタ１２のバンク層２０５とスイッチングトランジスタ１１のゲート絶縁膜１０７とは、同一の構造物を兼用する。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極とソース／ドレイン電極の相対的な位置を自己整合的に精度よく合わせることができ、生産性の高い有機薄膜トランジスタの製造用露光装置を提供すること。
【解決手段】ロールｔｏロールで光透過性を有するフレキシブル基板を搬送し、このフレキシブル基板上に有機トランジスタを形成する際に、フレキシブル基盤上にゲート電極、絶縁層、感光性自己組織化膜を形成し、ゲート電極をマスクとして自己整合的に感光性自己組織化膜に露光、感光するための露光装置において、露光用の光源から見てフレキシブル基板と反対側に形成される側の装置内壁面に反射防止膜を設ける。 （もっと読む）

【課題】有機材料からなる下地の絶縁性層に対してダメージを与えることなく、かつ上部に設けられる有機半導体層に対して良好なオーミックコンタクトが得られるソース電極およびドレイン電極を低コストで得ることを可能にする。
【解決手段】有機絶縁層からなる基板１１と、基板１１上にめっき成膜された層からなるソース電極１３ｓおよびドレイン電極１３ｄの第１層１３-1と、第１層１３-1よりも有機半導体材料に対して低オーミック接合を形成する金属材料からなり第１層１３-1を覆う状態でめっき成膜されたソース電極１３ｓおよびドレイン電極１３ｄの第２層１３-2と、第１層１３-1および第２層１３-2で構成されたソース電極１３ｓおよびドレイン電極１３ｄ間にわたって設けられた有機半導体層１５とを備えた有機薄膜トランジスタ１ａである。 （もっと読む）