【課題】互いに異なる性能を有する２以上の有機薄膜トランジスタを備える有機複合電子素子の製造を容易化することである。
【解決手段】第１トランジスタＴｒ１及び該第１トランジスタＴｒ１とは性能が異なる第２トランジスタＴｒ２を備える有機複合電子素子の製造方法である。基板１１上に第１トランジスタ用ゲート電極Ｇａ１及び第２トランジスタ用ゲート電極Ｇａ２を形成し、その上に強誘電体膜１７ｂ及び低誘電率を有する低誘電体膜１７ａをそれぞれ形成し、低誘電体膜１７ａの第２トランジスタＴｒ２を構成する部分を除去し、その上に有機半導体膜１６を形成し、その後、強誘電体膜１７ｂ、低誘電体膜１７ａ及び有機半導体膜１６を挟んで第１トランジスタ用ソース・ドレイン電極Ｓｏ１，Ｄｒ１を、強誘電体膜１７ｂ及び有機半導体膜１６を挟んで第２トランジスタ用ソース・ドレイン電極Ｓｏ２，Ｄｒ２を形成する。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、さらに、隣接するＸ_１〜Ｘ_８は互いに結合して置換または未置換のベンゼン環を形成していてもよい） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


［式中、環Ａおよび環Ｂはそれぞれ独立に、置換または未置換のベンゼン環、置換または未置換のナフタレン環、置換または未置換のチオフェン環、あるいは置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環を表し、Ｘ_１およびＸ_２はそれぞれ独立に、硫黄原子、またはＮ−Ｒ（Ｒは水素原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表す）］ （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜におけるリーク電流が抑止され、高い絶縁膜容量が得られ、低ゲート電圧で動作可能な有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】
基板１１上に、ゲート電極１８、ゲート絶縁膜１７、有機半導体膜１６、ドレイン電極１４、及びソース電極１５を備える有機薄膜トランジスタである。ゲート絶縁膜１７は、低誘電体膜１７ａと高誘電体膜１７ｂの二層構造を有し、低誘電体膜１７ａは高誘電体膜１７ｂと有機半導体膜１６との間に介装されているとともに、低誘電体膜１７ａは非共有電子対を有する官能基を持たず且つ分子構造内にπ電子結合を持たない有機高分子化合物を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、ｍおよびｎはそれぞれ独立に０または１を表す） （もっと読む）

【課題】転写印刷による有機半導体薄膜の形成において有機半導体材料の選択の自由度が高く、これにより印刷法を適用して特性の良好な薄膜半導体装置を得ることが可能な有機半導体薄膜の形成方法および薄膜半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】溶剤に溶解させたインクの状態において印刷版から基板への転写が不可能な有機半導体材料と共に転写が可能な有機材料を混合した混合インク層３を、印刷版１の一主面側に形成する。印刷版１側の混合インク層３を基板１０上に転写することにより、基板１０上に混合インク層３を転写してなる有機半導体薄膜１９を形成する。 （もっと読む）

【課題】特定のフラーレン誘導体を用いたメソフェーズを有する組成物、および、その新しい用途を提供する。
【解決手段】複数のフラーレン誘導体からなる組成物であり、上記複数のフラーレン誘導体のそれぞれは、フラーレン部位と、フラーレン部位の含窒素五員環に結合したアルキル置換基部位との結合からなり、メソフェーズを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層にベンゾ［ｖｗｘ］ヘキサフェン誘導体を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】高信頼性の半導体素子を簡易に製造することができる半導体素子の製造方法および半導体素子を提供する。
【解決手段】ゲート電極２ａ，２ｂを形成し、ソース電極５ａ，５ｃおよびドレイン電極５ｂ，５ｄを形成し、有機半導体材料を用いて半導体膜６ａ，６ｂを形成し、半導体膜６ａ，６ｂの表面上に保護膜７ａ，７ｂを形成する。保護膜７ａ，７ｂは、保護膜材料とフッ素系溶媒とを含む塗布液を半導体膜６ａ，６ｂ表面にそれぞれ塗布することによって形成される。 （もっと読む）

【課題】漏洩電流を最小化することができ、高い電界効果移動度と低いターンオン電圧を有する有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】前記有機薄膜トランジスタの製造方法は、（ａ）基板の上部にゲート電極を形成した後、上部面の全体にゲート絶縁層を形成するステップと、（ｂ）前記ゲート絶縁層の表面エネルギーを制御した後、前記ゲート絶縁層の上部に有機半導体物質を用いて半導体チャネル層を形成するステップと、（ｃ）前記半導体チャネル層の上部にソース電極及びドレイン電極を形成するステップとを含む。 （もっと読む）