【課題】製造工程の複雑化と高価格化を招くことなく、優れた特性と高い信頼性を得ることができる有機ＴＦＴを提供する。
【解決手段】第１の下地層の上に分離して不連続に形成されたソース電極・ドレイン電極およびソースバスと、ソース電極・ドレイン電極の上に有機半導体溶液を滴下し形成された有機半導体膜と、第２の下地層の上に形成された導電パターンと、を有し、ソース電極とソースバスは、導電パターンを介して電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】インクジェット法に代表される塗布法で成膜可能であって、高い電荷移動度および高いオンオフ比を有する有機ＦＥＴを提供することができるカーボンナノチューブ分散溶液および有機半導体コンポジット溶液を提供すること。
【解決手段】表面の少なくとも一部に共役系重合体が付着したカーボンナノチューブおよび一種類以上の溶媒を含有するカーボンナノチューブ分散溶液であって、該カーボンナノチューブ分散溶液に含まれる各溶媒の双極子モーメントが３．５Ｄｅｂｙｅ以下であり、かつ、沸点が１５０℃以上である溶媒を全溶媒中５０体積％以上含有するカーボンナノチューブ分散溶液。 （もっと読む）

【課題】有機半導体マトリックス物質をドーピングしてその電気特性を変化させるために、有機ドーパントとして有機メソメリー化合物を使用する。
【解決手段】ドーパントが供給される有機半導体を、製造プロセス時により簡単に取り扱うことができるように、また、ドープされた有機半導体を有する電子素子を、再生可能に製造できるように、メソメリー化合物として、同じ蒸着条件下ではテトラフルオロテトラシアノキノンジメタン（Ｆ４ＴＣＮＱ）よりも揮発性の低いキノン、または、キノン誘導体、または、１，２，３−ジオクサボリン、または１，３，２−ジオクサボリン誘導体を使用することを提案する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】薄膜トランジスタ及びその製造方法において、薄膜トランジスタはゲート電極、ゲート絶縁膜、及びチャンネル膜が積層された構造物を具備する。前記チャンネル膜と接するように位置し、前記ゲート電極を横切る方向に延長され、両側は下部に位置するゲート電極の一側の縁内に配置するソースラインが具備される。また、前記チャンネル膜と接するように位置し、チャンネルの長さほど前記ソースラインと離隔されながら、前記ソースラインと対称である形状を有するようにドレインラインが配置される。前記薄膜トランジスタは、ゲートとソースライン及びドレイン間ラインのオーバーラップ面積が狭くてカットオフ周波数が高い。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、熱パターンの適用により、金属酸化物前駆体からの酸化物半導体への転換を、容易にかつ効率よく行うことのできる新しい酸化物半導体を活性層に用いる薄膜トランジスタの製造方法を提供することにある。
【解決手段】マイクロ波（周波数０．３〜５０ＧＨｚ）を吸収して発熱する発熱源パターンを有する基体と、薄膜を有する基板を接合させ、これにマイクロ波を照射することにより、該発熱源パターンを発熱させ、発熱源パターンに接する基板上の薄膜を発熱源パターン様に熱変換することを特徴とする薄膜の変換方法。 （もっと読む）

【課題】電界効果移動度が優れた電界効果型の有機トランジスタを与えうる高分子化合物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で示される繰り返し単位を含む高分子化合物。


〔式中、Ｘ¹は酸素原子、硫黄原子又は−Ｎ（Ｒ^N）−を表し、Ｒ¹〜Ｒ⁴及びＲ^Nは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基等を表す。〕 （もっと読む）

【課題】製造工程の複雑化と高価格化を招くことなく、優れた特性と高い信頼性を得ることができる有機ＴＦＴの製造方法、及び有機ＴＦＴを提供する。
【解決手段】下地層の上に撥液性を有する液体材料を滴下する工程と、滴下された液体材料を乾燥させることにより、周縁にバンクを有するコーヒーステイン形状のバンク膜を形成する工程と、バンク膜の内側に有機半導体材料を塗布し、有機半導体膜を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

一実施形態は、電極上に分子を被着させるステップを含み（なおここで電極は１つの表面を有し、分子はこの表面に結合する結合基（例えばアンカー基）を有する）、こうして周囲条件下で少なくとも１００時間安定した仕事関数を提供する方法である。
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【課題】高い蛍光強度を有する高分子化合物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で示される繰り返し単位を含む高分子化合物。


〔式中、Ｘ¹、Ｘ²、Ｘ³、Ｙ¹、Ｙ²は、酸素原子、硫黄原子、−Ｎ（Ｒ）−又は−Ｃ（Ｒ）（Ｒ）−を表す。Ｒ¹〜Ｒ⁴、Ｒは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基等の置換基を表す。〕 （もっと読む）

【課題】有機半導体材料を溶解した溶剤を基体上に塗布し、乾燥したとき、均一、均質な有機半導体材料の薄膜を得ることを可能とする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基体１３上にゲート電極１４を形成した後、全面にゲート絶縁層１５を形成し、次いで、ゲート絶縁層１５上にソース／ドレイン電極１６を形成した後、少なくとも、ソース／ドレイン電極１６の間に位置するゲート絶縁層１５の上に、絶縁材料から成る微粒子が添加された有機半導体材料溶液を塗布、乾燥することで、チャネル形成領域１７を形成する各工程から成る。 （もっと読む）