【課題】一成分で両キャリア（ホールおよび電子）輸送性や光電変換特性を示す新規な液晶性有機半導体材料を提供する。さらに、該液晶性有機半導体材料を用いた各種の有機電子デバイス（特に有機薄膜トランジスタ、有機薄膜光電変換素子）を提供する。
【解決手段】ｐ型有機半導体化合物残基−ｎ型有機半導体化合物残基−ｐ型有機半導体化合物残基の結合形態もしくはｎ型有機半導体化合物残基−ｐ型有機半導体化合物残基−ｎ型有機半導体化合物残基の結合形態を少なくとも１つ有する液晶性有機半導体材料、及びこれを用いた有機電子デバイス。 （もっと読む）

繰り返し単位として、式（Ｉ）
【化１】


（但し、
Ｒが、ａ）Ｃ_1-20アルキル基、ｂ）Ｃ_2-20アルケニル基、ｃ）Ｃ_2-20アルキニル基、ｄ）Ｃ_1-20アルコキシ基、ｅ）−Ｙ−Ｃ_3-10シクロアルキル基、ｆ）−Ｙ−Ｃ_6-14アリール基、ｇ）−Ｙ−３−１２員のシクロヘテロアルキル基、又はｈ）−Ｙ−５−１４員のヘテロアリール基から独立して選ばれ、
ここで、Ｃ_1-20アルキル基、Ｃ_2-20アルケニル基、Ｃ_2-20アルキニル基、Ｃ_3-10シクロアルキル基、Ｃ_6-14アリール基、３−１２員のシクロヘテロアルキル基、及び５−１４員のヘテロアリール基は、任意に１−４個のＲ¹基で置換されていても良く、
Ｒ¹が、ａ）Ｓ（Ｏ）_m−Ｃ_1-20アルキル基、ｂ）Ｓ（Ｏ）_m−ＯＣ_1-20アルキル基、ｃ）Ｓ（Ｏ）_m−ＯＣ_6-14アリール基、ｄ）Ｃ（Ｏ）−ＯＣ_1-20アルキル基、ｅ）Ｃ（Ｏ）−ＯＣ_6-14アリール基、ｆ）Ｃ_1-20アルキル基、ｇ）Ｃ_2-20アルケニル基、ｈ）Ｃ_2-20アルキニル基、ｉ）Ｃ_1-20アルコキシ基、ｊ）Ｃ_3-10シクロアルキル基、ｋ）Ｃ_6-14アリール基、ｌ）３−１２員のシクロヘテロアルキル基、又はｍ）５−１４員のヘテロアリール基から独立して選ばれ、
Ｙが、二価のＣ_1-6アルキル基、又は共有結合から選ばれ；及び
ｍが、０、１又は２から独立して選ばれる、）
の基を含み、及び数平均分子量Ｍ_nが、５０００〜２０００００ｇ／ｍｏｌの範囲であることを特徴とするポリ（５，５’−ビス（チオフェン−２−イル）−ベンゾ［２，１−ｂ；３，４−ｂ’］ジチオフェン）。 （もっと読む）

【課題】低閾値電圧、高電界効果移動度及び高オン／オフ電流比を有するボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板上に、少なくともゲート電極、絶縁体層、ソース電極、ドレイン電極及び有機半導体層を含むボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタであって、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方が、酸化物層及び金属層が積層してなる積層構造を有し、前記金属層が有機薄膜層で表面修飾されてなる有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

一般式（Ｉ）のジチエノベンゾジチオフェン：
【化１】


式中、
Ｒ¹〜Ｒ⁶は、各々の独立して、ａ）Ｈ、ｂ）ハロゲン、ｃ）−ＣＮ、ｄ）−ＮＯ₂、ｅ）−ＯＨ、ｆ）Ｃ_1-20アルキル基、ｇ）Ｃ_2-20アルケニル基、ｈ）Ｃ_2-20アルキニル基、ｉ）Ｃ_1-20アルコキシ基、ｊ）Ｃ_1-20アルキルチオ基、ｋ）Ｃ_1-20ハロアルキル基、Ｉ）−Ｙ−Ｃ_3-10シクロアルキル基、ｍ）−Ｙ−Ｃ_6-14アリール基、ｎ）−Ｙ−３−１２員環のシクロヘテロアルキル基、またはｏ）−Ｙ−５−１４員環のヘテロアリール基、
［式中、各々のＣ_1-20アルキル基、Ｃ_2-20アルケニル基、Ｃ_2-20アルキニル基、Ｃ_3-10シクロアルキル基、Ｃ_6-14アリール基、３−１２員環シクロヘテロアルキル基、および５−１４員環のヘテロアリール基は、１〜４個のＲ⁷基で置換されていてもよく、
式中、Ｒ¹とＲ³とＲ²とＲ⁴は、一緒になって脂肪族の環状基を形成していてもよい］」
から選ばれ、
Ｙは、独立して、２価のＣ_1-6アルキル基、２価のＣ_1-6ハロアルキル基、または共有結合から選ばれ、
ｍは、独立して０、１、または２から選ばれる。
本発明はまた、請求項１〜４のいずれか一項に記載のジチエノベンゾジチオフェンの半導体または電荷輸送材としての、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）としての、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）用の半導体部品内での、光発電部品用の、センサー内での電池の電極材料としての、光学導波路としての、あるいは電子写真用途での利用に関する。 （もっと読む）

半導体デバイスを作る方法は、基板上に少なくとも１つのデバイス層を形成することと、デバイス層上に複数の相隔たる第１のフィーチャを形成することであって、それぞれ３つの隣接する第１のフィーチャは正三角形を形成することと、第１のフィーチャ上にサイドウォールスペーサを形成することと、複数の充填フィーチャによりサイドウォールスペーサ間の空間を充填することと、サイドウォールスペーサを選択的に除去することと、少なくとも複数の充填フィーチャをマスクとして使用して少なくとも１つのデバイス層をエッチングすることとを含む。デバイスは、基板上に位置する複数の底部電極と、複数の底部電極上で相隔たる複数の柱と、複数の柱と接触する複数の頂部電極とを備える。それぞれ３つの隣接する柱は正三角形を形成し、それぞれの柱は半導体デバイスをなす。複数の柱は、第１の形状を有する複数の第１の柱と、第１の形状とは異なる第２の形状を有する第２の柱とを含む。
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【課題】導電性が十分に向上した導電性組成物を提供すること。
【解決手段】
導電性共役高分子と芳香族イミド化合物とを含む導電性組成物であって、導電性共役高分子が、芳香族イミド化合物とスタッキング安定構造を形成可能な高分子であり、且つ、スタッキング安定構造における、導電性共役高分子のＨＯＭＯと芳香族イミド化合物のＬＵＭＯとのＨＯＭＯ−ＬＵＭＯ間重なり積分の絶対値が、０．００８〜１．０となる部分を有する高分子である、導電性組成物。 （もっと読む）

下記式（Ｉ）の基を繰返単位として含み、数平均分子量Ｍｎが３０〜７０ｇ／ｍｏｌの範囲にあるベンゾチアジアゾール−シクロペンタジチオフェンコポリマー：
【化１】


式中、Ｒはｎ−ヘキサデシルまたは３，７−ジメチルオクチルである。
本発明はまた、上記コポリマーの、半導体または電荷移動材料としての、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）としての、または有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）用半導体部品中での、太陽電池部品用の、またはセンサー中での、電池の電極材料としての、光導波路としての、あるいは電子写真用途用の利用に関する。 （もっと読む）

チューブ状の炭素分子の側面に共有結合された少なくとも１つのフラーレン部分を有するカーボンナノバッド分子（３、９、１８、２３、２９、３６）は、素子の中で電磁放射線と相互作用するために使用され、電磁放射線との相互作用は当該カーボンナノバッド分子の緩和および／または励起を介して起こる。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは置換または未置換のベンゼン環、置換または未置換のナフタレン環、置換または未置換のチオフェン環、置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】有機溶媒への溶解度が高く、安定な有機半導体を提供する。
【解決手段】下式のような、チエノチオフェン骨格を特徴とする有機半導体材料。
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