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国際特許分類[H01L51/05]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (29,607) | 整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器 (6,100)

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【課題】高信頼性の半導体素子を簡易に製造することができる半導体素子の製造方法および半導体素子を提供する。
【解決手段】ゲート電極2a,2bを形成し、ソース電極5a,5cおよびドレイン電極5b,5dを形成し、有機半導体材料を用いて半導体膜6a,6bを形成し、半導体膜6a,6bの表面上に保護膜7a,7bを形成する。保護膜7a,7bは、保護膜材料とフッ素系溶媒とを含む塗布液を半導体膜6a,6b表面にそれぞれ塗布することによって形成される。 (もっと読む)


【課題】漏洩電流を最小化することができ、高い電界効果移動度と低いターンオン電圧を有する有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】前記有機薄膜トランジスタの製造方法は、(a)基板の上部にゲート電極を形成した後、上部面の全体にゲート絶縁層を形成するステップと、(b)前記ゲート絶縁層の表面エネルギーを制御した後、前記ゲート絶縁層の上部に有機半導体物質を用いて半導体チャネル層を形成するステップと、(c)前記半導体チャネル層の上部にソース電極及びドレイン電極を形成するステップとを含む。 (もっと読む)


【課題】高い移動度、大きな電流オン/オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式(1)で表される化合物を少なくとも1種含有してなる有機トランジスタ。


(式中、X〜X18はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、mは0,1または2を表し、nは0または1を表す。mが2の時、2つのX、2つのXはそれぞれ独立に前記の意味を示す。) (もっと読む)


【課題】高性能・高機能性でありながら、低コストで大面積化が可能な機能性フレキシブルフィルムの製造方法を提供する。また、当該方法を用いて製造された電子デバイスを提供する。
【解決手段】機能性フレキシブルフィルムの製造方法において、製造プロセス中、最も高温となる領域と、基板となる樹脂領域の間に、ガラス転移温度(Tg)が200℃以上であり、かつ熱伝導率が0.25W/m・K以下である耐熱性低熱伝導層を設けることを特徴とする機能性フレキシブルフィルムの製造方法。 (もっと読む)


【課題】高い移動度、大きな電流オン/オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式(1)で表される化合物を少なくとも1種含有してなる有機トランジスタ。


(式中、Rは水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、Rは直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基を表す) (もっと読む)


【課題】製造工程の複雑化と高価格化を招くことなく、優れた特性と高い信頼性を得ることができる有機TFTの製造方法、及び有機TFTを提供する。
【解決手段】下地層の上に有機半導体溶液または有機半導体前駆体溶液を付着させる複数の粒状物を散在させる工程と、複数の粒状物が散在した下地層の上に有機半導体溶液または有機半導体前駆体溶液を塗布し、有機半導体膜を形成する工程と、を有する。 (もっと読む)


本発明は、基板層を提供するステップと、ゲート電極層を提供するステップと、誘電材料層を提供するステップと、有機半導体(OSC)材料層を提供するステップと、ソース/ドレイン電極層を提供するステップとを備え、層のうちの1つ以上がレーザー熱転写(LITI)プロセスを使用して堆積される、有機薄膜トランジスタ(TFT)製造方法を提供する。好ましくは、有機TFTはボトムゲートデバイスであり、ソース/ドレイン電極は、LITIを使用して有機半導体層または誘電材料層上に堆積される。さらに好ましくは、ドーパント材料がOSC材料とソース/ドレイン電極層間に提供されてもよく、ドーパント材料もLITIを使用して堆積されてもよい。また、好ましくは、ドーパントは、TCNQやF4TCNQなどの電荷中性ドーパントであってもよい。 (もっと読む)


それらの間にチャネル領域を画定するソース電極およびドレイン電極を担持する基板を提供するステップと、チャネル領域の表面の少なくとも一部分を処理して、その極性を減少させるステップと、チャネルにおいて半導体層を堆積させるステップとを含む、トップゲートトランジスタを形成する方法。 (もっと読む)


本発明は、イソニトリル配位子を含んだ金属錯体を備えた電子デバイス、特には有機エレクトロルミネッセントデバイスに関する。 (もっと読む)


【課題】 分子デバイスを含む、有機材料の機能を利用する有機材料含有デバイスの構築に適した取り扱いが容易な基板を提供する。
【解決手段】 水素原子およびアミノ基が化学吸着した半導体表面を有する基板とする。このアミノ基は、例えばSi−N結合により固定されている。アミノ基は多くの官能基と化学反応しうる基であり、生体分子との親和性にも優れている。この表面は、大気中での取り扱いも容易である。アミノ基と有機分子とを反応させれば、有機分子と半導体表面とが化学的に一体に結合する。アミノ基は、例えば水素原子で終端された半導体表面にアンモニア等の窒素含有反応種を接触させ、この反応種に由来する窒素原子を含むアミノ基を半導体表面に化学吸着させて導入すればよい。 (もっと読む)


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