【課題】漏洩電流を最小化することができ、高い電界効果移動度と低いターンオン電圧を有する有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】前記有機薄膜トランジスタの製造方法は、（ａ）基板の上部にゲート電極を形成した後、上部面の全体にゲート絶縁層を形成するステップと、（ｂ）前記ゲート絶縁層の表面エネルギーを制御した後、前記ゲート絶縁層の上部に有機半導体物質を用いて半導体チャネル層を形成するステップと、（ｃ）前記半導体チャネル層の上部にソース電極及びドレイン電極を形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】高性能・高機能性でありながら、低コストで大面積化が可能な機能性フレキシブルフィルムの製造方法を提供する。また、当該方法を用いて製造された電子デバイスを提供する。
【解決手段】機能性フレキシブルフィルムの製造方法において、製造プロセス中、最も高温となる領域と、基板となる樹脂領域の間に、ガラス転移温度（Ｔｇ）が２００℃以上であり、かつ熱伝導率が０．２５Ｗ／ｍ・Ｋ以下である耐熱性低熱伝導層を設けることを特徴とする機能性フレキシブルフィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、ｍは０，１または２を表し、ｎは０または１を表す。ｍが２の時、２つのＸ_４、２つのＸ_７はそれぞれ独立に前記の意味を示す。） （もっと読む）

【課題】製造工程の複雑化と高価格化を招くことなく、優れた特性と高い信頼性を得ることができる有機ＴＦＴの製造方法、及び有機ＴＦＴを提供する。
【解決手段】下地層の上に有機半導体溶液または有機半導体前駆体溶液を付着させる複数の粒状物を散在させる工程と、複数の粒状物が散在した下地層の上に有機半導体溶液または有機半導体前駆体溶液を塗布し、有機半導体膜を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｒ_１は水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、Ｒ_２は直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


［式中、Ｘ_１〜Ｘ_１０はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、さらに、隣接するＸ_２〜Ｘ_５は互いに結合して置換または未置換のベンゼン環を形成していてもよく、Ｙ_１およびＹ_２はそれぞれ独立には酸素原子、硫黄原子、あるいはＮ−Ｒ（但し、Ｒは水素原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表す）を表す（但し、Ｙ_１およびＹ_２は同時にＮ−Ｒを表すことはない）］ （もっと読む）

【課題】有機薄膜トランジスタと、高誘電体キャパシタとを備える有機複合電子素子の製造を容易化する。
【解決手段】トランジスタＴｒ及びキャパシタＣａを備える有機複合電子素子の製造方法である。基板１１上にゲート電極Ｇａ及びキャパシタ用対向電極の一方ＣＥ１を形成し、その上に高誘電体膜１７ｂ、低誘電体膜１７ａ及び有機半導体膜１６を形成し、低誘電体膜１７ａ及び有機半導体膜１６のキャパシタ用対向電極ＣＥ１に対応する部分を除去し、その上に、高誘電体膜１７ｂ、低誘電体膜１７ａ及び有機半導体膜１６を挟んでゲート電極Ｇａと所定の位置関係でソース電極Ｓｏ及びドレイン電極Ｄｒを、高誘電体膜１７ｂを挟んで対応するようにキャパシタ用対向電極の他方ＣＥ２を形成する。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは置換または未置換のチエノベンゾチオフェン環、置換または未置換のナフトチエノチオフェン環を表し、環Ｂは置換または未置換のベンゼン環、置換または未置換のナフタレン環、置換または未置換のチオフェン環、置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環、置換または未置換のチエノチオフェン環、置換または未置換のチエノベンゾチオフェン環、置換または未置換のナフトチエノチオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】高温保存した場合でも電界効果移動度の安定性に優れ、かつ応答速度が大きい有機薄膜トランジスタ（有機ＴＦＴ）を提供する。
【解決手段】少なくとも基板上にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の３端子、絶縁体層並びに有機半導体層が設けられ、ソース−ドレイン間電流をゲート電極に電圧を印加することによって制御する有機薄膜トランジスタであって、該絶縁体層と該有機半導体層との間に、膜厚が１〜１００ｎｍであるチャネル制御層を有し、該チャネル制御層は、イオン化ポテンシャルが５．８ｅＶ未満であり、かつ、分子量が１０００以上である非晶質有機化合物を含有する有機薄膜トランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】色純度が優れ、発光素子等として有用な高分子化合を提供する。
【解決手段】下記式（０）で表される化合物の残基を含む高分子化合物。


（式中、Ａｒ⁰は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、又は下記式（Ａ）で表される基。Ａｒ⁰の少なくとも２個は下記式（Ａ）で表される基。Ｒ⁰は、アルキル基、アルコキシ基、アリール基等の置換基。ｌ及びｍは０〜３の整数を表す。）


（式中、Ａ⁰は−Ｎ＝又は−Ｃ(Ｒ²)＝を表す。） （もっと読む）