【課題】有機半導体材料を溶解した溶剤を基体上に塗布し、乾燥したとき、均一、均質な有機半導体材料の薄膜を得ることを可能とする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基体１３上にゲート電極１４を形成した後、全面にゲート絶縁層１５を形成し、次いで、ゲート絶縁層１５上にソース／ドレイン電極１６を形成した後、少なくとも、ソース／ドレイン電極１６の間に位置するゲート絶縁層１５の上に、絶縁材料から成る微粒子が添加された有機半導体材料溶液を塗布、乾燥することで、チャネル形成領域１７を形成する各工程から成る。 （もっと読む）

【課題】 プロセスステップを増加させず、かつ現状の印刷プロセスで製造可能な集積度の高い有機トランジスタアレイ、及び、前記有機トランジスタアレイを有する表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板上に設けられた複数のゲート電極と、前記複数のゲート電極の上層又は下層にゲート絶縁膜を介して設けられた複数のソース電極及び複数のドレイン電極と、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極に対向して配置され、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間にチャネル領域を形成する有機半導体層と、を有する有機トランジスタアレイであって、前記有機トランジスタアレイは、平面視において、単一画素を構成する複数の区画に区分され、前記区画は、最密充填構造を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤を用いてデバイス作製可能なトランジスタに応用可能な螺旋状高分子を提供する。
【解決手段】重合部位と側鎖に非共役部位と共役部位を有し、前記非共役部位が前記重合部位と前記共役部位に挟まれた構造を少なくとも一部に含む螺旋状高分子。さらに、非共役部位がアルキル鎖１０３であり、共役部位が芳香環であり、重合部位がアセチレン骨格であり、側鎖に非共役部位を有している有機分子が重合した構造からなるブロックを少なくとも一部に含む又は側鎖に共役部位を有している有機分子が重合した構造からなるブロックを少なくとも一部に含む螺旋状高分子である。本螺旋状高分子の共重合部位又は重合部位の少なくともいずれかが、電極と接するように配置されていることを特徴とするデバイス。 （もっと読む）

【課題】 低温でゲート絶縁膜を形成することが可能な有機薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】 本発明の有機薄膜トランジスタは、ソース電極と、ドレイン電極と、これらの間の電流経路となる有機半導体層と、電流経路を通る電流を制御するゲート電極と、有機半導体層とゲート電極とを絶縁する絶縁層とを備え、絶縁層が、分子内に電磁線又は熱により活性水素基と反応する官能基を生成する基を２個以上有する第１の化合物と、分子内に活性水素基を２個以上有する第２の化合物とを含み、且つ第１及び第２の化合物の少なくとも一方が高分子化合物である組成物の硬化物からなることを特徴とする。 （もっと読む）

炭素系抵抗率スイッチング可能な材料を含むメモリデバイス、およびこのようなメモリデバイスを形成する方法が提供される。この方法は、炭化水素化合物およびキャリアガスを含むプロセスガスをプロセスチャンバに導入するステップと、プロセスチャンバ内でプロセスガスのプラズマを発生させて基板の上に炭素系抵抗率スイッチング可能な材料の層を堆積させるステップと、を含む。多くのさらなる態様が提供される。
（もっと読む）

【課題】良好な特性を有する薄膜トランジスタを容易に製造する方法および当該方法により製造された薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】
薄膜トランジスタ１の製造方法は、シングルウォールカーボンナノチューブ（ＳＷＣＮＴ）分散溶液を塗布して、ソース電極３とドレイン電極４と及び半導体層９とを形成する。半導体層９を形成する際の分散溶液の塗布量は、電極３、４を形成する際の塗布量よりも少量である。半導体層９をＳＷＣＮＴにより形成したため、有機半導体層を用いた場合よりも、高い移動度を有する薄膜トランジスタが得られる。また、塗布法により電極３、４と半導体層９とを形成させるため、簡単かつ安価に薄膜トランジスタを得ることができる。しかも、塗布量のみを変化させて、電極３、４と半導体層９とを形成させるので、簡単かつ安価に薄膜トランジスタを得ることができる。
（もっと読む）

【課題】外乱の影響を受け難く、微小なセル電流を効率よく検出することができるとともに低コストを実現する半導体記憶装置を提供することを目的とする。
【解決手段】平行に配置された複数の第１の行線と、前記第１の行線に交差する複数の列線と、前記第１の行線と前記列線との各交差部に配置された複数の記憶素子と、前記列線を介して前記第１の行線と対向する位置から前記列線の所定部まで前記第１の行線と平行に配置され前記列線と容量結合された複数の第２の行線と、前記列線の所定部を下層制御電極、この列線の所定部に上層で容量結合された前記第２の行線を上層制御電極とする電界効果トランジスタからなるセンスアンプとを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】一成分で両キャリア（ホールおよび電子）輸送性や光電変換特性を示す新規な液晶性有機半導体材料を提供する。さらに、該液晶性有機半導体材料を用いた各種の有機電子デバイス（特に有機薄膜トランジスタ、有機薄膜光電変換素子）を提供する。
【解決手段】ｐ型有機半導体化合物残基−ｎ型有機半導体化合物残基−ｐ型有機半導体化合物残基の結合形態もしくはｎ型有機半導体化合物残基−ｐ型有機半導体化合物残基−ｎ型有機半導体化合物残基の結合形態を少なくとも１つ有する液晶性有機半導体材料、及びこれを用いた有機電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】低閾値電圧、高電界効果移動度及び高オン／オフ電流比を有するボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板上に、少なくともゲート電極、絶縁体層、ソース電極、ドレイン電極及び有機半導体層を含むボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタであって、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方が、酸化物層及び金属層が積層してなる積層構造を有し、前記金属層が有機薄膜層で表面修飾されてなる有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

半導体デバイスを作成する方法は、下位層上に第１のフォトレジスト層を形成することと、第１のフォトレジスト層を第１のフォトレジストパターンとなるようにパターニングすることであって、第１のフォトレジストパターンが下位層上に位置する複数の相隔たる第１のフォトレジストフィーチャをなすことと、複数の第１の相隔たるフィーチャを形成するため、第１のフォトレジストパターンをマスクとして使用して下位層をエッチングすることと、を含む。この方法はさらに、第１のフォトレジストパターンを除去することと、複数の第１の相隔たるフィーチャ上に第２のフォトレジスト層を形成することと、第２のフォトレジスト層を第２のフォトレジストパターンとなるようにパターニングすることであって、第２のフォトレジストパターンが複数の第１の相隔たるフィーチャの端部を覆う複数の第２のフォトレジストフィーチャをなすことと、を含む。この方法はまた、複数の第１の相隔たるフィーチャの複数の相隔たる端部が残るように、第２のフォトレジストパターンをマスクとして使用して複数の第１の相隔たるフィーチャの露出部分をエッチングすることと、第２のフォトレジストパターンを除去することと、を含む。
（もっと読む）