【課題】不必要な欠陥領域を排除することができ、形状の自由度が高く、材料の限定の少ない、対象性の高い周期構造体、該周期構造体の作成方法、及びこれらによる光素子を提供する。
【解決手段】積層された複数の誘電体１１０１の少なくとも一つの界面１１０２に、閉領域１１０６が二次元周期的に配列された周期構造体であって、前記閉領域は、前記界面における二つの誘電体の対向面のそれぞれに設けられた周期的な凹凸構造によって構成する。 （もっと読む）

【課題】 長手方向に均一かつ高パワーの線状ビームを生成する。
【解決手段】 出射するレーザ光のスロー軸方向に配列された複数の半導体レーザ１と、それぞれの半導体レーザ１から出射されたレーザ光をコリメートする複数のコリメータレンズ２と、スロー軸方向のホモジナイザとして作用する平行平板４と、レーザ光をスロー軸方向のみに屈折力を有し、スロー軸方向にレーザ光を集光させて平行平板４の入射面４ａから入射させるレンズ３と、平行平板の出射面４ｂから出射した光を所定の照射面６上に結像する結像レンズ５とを備え、平行平板４に入射したレーザ光は全反射面４ｃおよび４ｄ間で全反射を繰り返しながら出射面側に進行することにより、スロー軸方向の強度分布が均一化することにより、照射面６上にスロー軸方向の強度分布が均一な線状ビームを生成する。 （もっと読む）

【課題】光ガイド層の層厚および材料組成の制御を簡便に高精度で行なうことができる半導体レーザ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＡｓ基板１９上には、ｎ型ＧａＡｓバッファ層２０、ノンドープＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ光ガイド評価層２１、ｎ型Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ第１クラッド層２２、ｎ型Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ第２クラッド層２３、ノンドープＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ第１光ガイド層２４、ノンドープＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ量子井戸活性層２５、ノンドープＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ第２光ガイド層２６、ｐ型Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ第１クラッド層２７、ｐ型ＧａＡｓエッチングストップ層２８、ｐ型Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ第２クラッド層２９およびｐ型ＧａＡｓキャップ層３０を形成している。光ガイド評価層２１のＡｌ混晶比は第１，２光ガイド層２４，２６のＡｌ混晶比と同じになっている。 （もっと読む）

【課題】 活性層での水平方向の光分布をより均一にすることができ、内部量子効率を向上させることができる半導体レーザ素子とその半導体レーザ素子を含む応用システムとを提供する。
【解決手段】 ｐ型クラッド層とｎ型クラッド層と活性層とを含み、ｐ型クラッド層はｐ型不純物としてＭｇを含み、ｐ型クラッド層の平均屈折率ｎ_pとｎ型クラッド層の平均屈折率ｎ_nとの間にｎ_p＜ｎ_nなる関係がある半導体レーザ素子である。また、共振器長方向において、第１領域と、第１領域とはｐ型クラッド層の平均屈折率が異なる第２領域とを含み、第１領域におけるｐ型クラッド層の平均屈折率は第１領域におけるｎ型クラッド層の平均屈折率よりも小さく、第２領域は前端面を有し、第２領域におけるｐ型クラッド層の前端面の平均屈折率は第２領域におけるｎ型クラッド層の平均屈折率と同一である半導体レーザ素子である。 （もっと読む）

【課題】 十分な利得を確保しつつ光導波路でのスポットサイズを最小にして出射端面での反射率を低減する。
【解決手段】 半導体発光素子１０は、少なくとも一方の素子端面に、この素子端面と利得を有する光導波路の先端との間に窓領域Ｅ２が形成された窓構造を有しており、光導波路が、窓領域Ｅ２と光導波路との接続面に接するように配置されたスポットサイズ縮小化領域Ｅ３を備えている。このスポットサイズ縮小化領域Ｅ３は、窓領域Ｅ２に向かって導波路幅が減少していくように、窓領域Ｅ２との接続面での光導波路のスポットサイズが最小となる幅で形成される。 （もっと読む）

本発明は、光通信の分野におけるファイバ増幅器用の、例えばエルビウムドープファイバ増幅器（ＥＤＦＡ）用またはラマン増幅器用の、主にいわゆるポンプレーザとして、オプトエレクトロニクスで一般に使用されるタイプの高出力半導体ダイオードレーザーに関する。単一キャビティを有し、かつ単一横モードで動作するこのようなレーザーは、形成されたクラッド層の少なくとも一つに多層大型光超格子構造（ＬＯＳＬ）を配置することによって改善される。このＬＯＳＬは、出射ビームの大幅に改善された形状を提供し、オプトエレクトロニクネットワークのファイバへの効果的な高出力結合を可能にする。
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【課題】キンクの抑制、低損失化、偏光方向の安定化を同時に達成でき、かつ光分布が活性層から離れるに従って単調減少するような構造を持ち、その結晶組成制御が容易となる高出力動作可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザの下側クラッド層に光を寄せ、かつ偏光方向を安定化させるために、複数の、クラッド層と組成の異なる屈折率の高い層をスポットサイズより広い範囲に分散させて導入する。光分布に関しては電界強度を活性層から離れるに従って単調減少させる。 （もっと読む）

【課題】 検査用ウェハを用いることなく、製品ウェハで活性層のＰＬ測定が実行可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】 ｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３を形成し、その上に発光波長が６００−８５０ｎｍである活性層５を形成する。活性層５上にｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層７を形成し、その上に活性層５よりも大きい光学バンドギャップを有するようにＡｌ組成が制御されたｐ型ＡｌＧａＡｓコンタクト層８を形成する。ｐ型ＡｌＧａＡｓコンタクト層８上にｐ型ＧａＡｓキャップ層９を形成する。 （もっと読む）

【課題】 導電型がＰ型の半導体層のキャリアの電気的活性化率を高くできる半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】 この半導体層の製造方法では、ＭＢＥ法によるＰ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層５およびＰ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層７の成長は、Ｇａセルと、Ａｌセル、Ｉｎセル、Ｐセル、およびドーパントである例えばＢｅ(ベリリウム)セルのシャッターを開け、それぞれの分子線を基板上に照射し、例えば、５００℃でＰ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５、７をエピタキシャル成長する。この後、Ａｌセルを閉じ、Ｇａ分子線とＩｎ分子線とＰ分子線の照射によって、Ｐ型ＧａＩｎＰ中間層８を成長し、積層した半導体層を降温し、水素パッシベーションの影響がない温度範囲(一例として４５０℃を超える温度)で、Ｐセルのシャッターも閉じて、成長した半導体層へのＰの分子線の照射を停止した。 （もっと読む）

【課題】垂直方向ＦＦＰ形状とガウシアン形状との相違量を劇的に小さくすることによりピックアップ光学系への結合効率を高め、必要な動作電力を低く抑えることにより低コストを実現する半導体レーザ素子を提供することである。
【解決手段】半導体レーザ素子１００は、負電極１１３、ＧａＮ基板１０１、第１のｎ型クラッド層１０２、光を遮断するｎ型の光進入禁止層１０３、第２のｎ型クラッド層１０４、ｎ型光導波層１０５、第１のキャリアストップ層１０６、活性層１０７、第２のキャリアストップ層１０８、ｐ型光導波層１０９、ｐ型クラッド層１１０、ｐ型コンタクト層１１１、正電極１１２が、この順に積層されて構成される。 （もっと読む）