【課題】狭い遠視野像を得ることができると共に、閾値電流を十分に小さくできる半導体レーザを提供する。
【解決手段】Ｎ型ＧａＡｓ（１００）ジャスト基板１には、＜０１１＞結晶軸方向に延存する逆メサリッジ３が形成されている。逆メサリッジ３上には、Ｎ型ＡｌＧａＡｓ下部クラッド層５、ノンドープの量子井戸活性層６、Ｐ型ＡｌＧａＡｓ上部クラッド層７、ＡｌＧａＡｓ高抵抗上部クラッド層８およびＡｌＧａＡｓ上部クラッド層９を含む断面三角形状領域３０が形成されている。Ｎ型ＡｌＧａＡｓ下部クラッド層５の屈折率はＰ型ＡｌＧａＡｓ上部クラッド層７の屈折率と異なる。 （もっと読む）

ヘテロ構造は、光ファイバ通信及びデータ伝送システムにおいて、光超高速コンピューティング及びスイッチングシステムにおいて、及び医療機器、レーザ工業機器、周波数逓倍レーザの開発において用いられる、注入レーザ、半導体増幅素子、半導体光増幅器などの半導体注入型発光源の生成のためと、固体及びファイバレーザならびに増幅器のポンピングのために、用いられる。ヘテロ構造、注入レーザ、半導体増幅素子及び半導体光増幅器が提案されているが、それらの本質的な特質は、ヘテロ構造層の位置、組成、屈折率及び厚さの選択と組み合わせて、ヘテロ構造の活性領域及びリークイン領域を現代化し、活性層からの制御可能な発光漏れの形成の過渡領域において、注入レーザ、半導体増幅素子及び半導体光増幅器の効率的な機能を提供することにある。
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【課題】 低コストで製造できて、かつ、リッジ部側に設けられた電極にまで発振レーザ光が漏れないようにすることによって高い発振効率を有し、低消費電力（低閾値電流）動作が可能な半導体レーザ素子を提供することにある。
【解決手段】 この発明の半導体レーザ素子では、上記第２導電型の半導体層群１０８〜１１４に接するｐ側電極１１５は、上記第２導電型の半導体層群１０８〜１１４に接する側から順に、Ａｇ層１１５ａと、Ｐｄ層１１５ｂと、Ａｕ層１１５ｃとを有する。上記Ａｇ層１１５ａの屈折率は、上記半導体層群１０８〜１１４に用いられる半導体材料の屈折率よりも十分に小さいので、発振したレーザ光は、上記ｐ側電極１１５にまで漏れることなく、上記半導体層群１０８〜１１４内に閉じ込めることができる。 （もっと読む）

【課題】簡便な構成で低アスペクト比のレーザ光が得られる半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】本発明のレーザ装置は、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１の上にｎ型バッファ層１０２、ｎ型クラッド層１０３、ＧａＩｎＰ系材料の活性層１０４、ｐ型第１クラッド層１０５、ｐ型エッチングストップ層１０６、リッジ状に加工されたｐ型第２クラッド層１０７が順次形成され、さらに、ｐ型第２クラッド層１０７の側面を覆うようにｎ型電流ブロック層１０８が形成され、ｐ型コンタクト層１０９がその上に形成されている。電流非注入領域となる共振器端面近傍には、Ｚｎを拡散させた窓構造の領域１１０を有し、さらに同じ領域のリッジ斜面または上部では、ｎ型電流ブロック層１０８およびｐ型コンタクト層１０９が除去されている。 （もっと読む）

【課題】 比較的大きな強度のレーザ光を出射可能であって、横高次モードを抑制できる半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子アレイを提供する。
【解決手段】 半導体レーザ素子３は、ｎ型クラッド層１３と、活性層１５と、ｐ型クラッド層１７とを備える。ｐ型クラッド層１７は、活性層１５に導波路４を形成するリッジ部９を有する。導波路４は、略一定の曲率（曲率半径Ｒ）で湾曲している中心軸線Ｂに沿って延びている。このような導波路４においては、導波路４内で共振する光のうち空間横モードの次数が高い光ほど損失が大きくなる。従って、横低次モードのレーザ発振を維持しつつ、横高次モードのレーザ発振を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 発振波長１．０μｍ以下の近赤外波長帯半導体レーザ素子において、自由電子吸収の抑制と、それとトレードオフの関係にある温度特性、素子抵抗、発振横モードの安定性を両立させる。
【解決手段】 基板上101に、ｎ型クラッド層103と、ｐ型クラッド層107,109を含む複数のｐ型導電型層ｍ（ｍ＝１、２…ｋ）（ｋは自然数）と、活性層105とを備えた発振波長が１．０μｍ以下の半導体レーザ素子において、基板上の全ての層に存在する光量の総和に対するｐ型導電型層ｍに存在する光量の割合を光閉じ込め係数Γ(ｍ)とし、ｐ型導電型層ｍのドーピング濃度をＰ(ｍ) （ｃｍ^−３）としたとき、Γ(ｍ)とＰ(ｍ)の積の総和


を８．０×１０^１７ｃｍ^−３ 以下とする。 （もっと読む）

【課題】 温度特性を高めると共にしきい電流を低減し、信頼性に優れた半導体レーザを提供する。
【解決手段】 第２ガイド層１５，電流ブロッキング層１６および第２クラッド層１８によりＳＡＳ構造が形成されている。活性層１４は、ＧａＩｎＮＡｓ混晶など、窒素（Ｎ）を含むＧａＡｓ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により構成されている。活性層１４のバンド不連続量ΔＥｃが大きくなり、キャリアも効率良く閉じ込めることが可能となり、温度特性が高くなる。また、屈折率が大きくなって光が活性層１４に閉じ込められ、しきい電流の増大が抑制される。第１ガイド層１３の厚みｔ１、並びに第２ガイド層１５および第２クラッド層１８の合計厚みｔ２は、それぞれ例えば１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましい。回折格子層を設けてＤＦＢレーザとしてもよい。 （もっと読む）

【課題】複数の波長を発生させる半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】所定の波長を有する光を発生させるレーザポンピング素子１００と、レーザポンピング素子１００の外部に位置し、レーザポンピング素子１００で発生した光の一部を透過させてレーザ光として出力し、残りの一部をレーザポンピング素子１００で再吸収されるように反射する外部ミラー部１１３、１１４と、を含む半導体レーザ装置において、レーザポンピング素子１００は、少なくとも２個の波長を有する光を発生させる活性層と、活性層で発生した少なくとも２個の波長を有する光について、最も高い反射率を有する多重帯域反射器と、を含み、活性層は、多重帯域反射器と外部ミラー部１１３、１１４との間の光路に位置する複数の波長を発生させる半導体レーザ装置。 （もっと読む）