【課題】微分抵抗を低減可能な構造を有する半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体レーザ１１は、活性層１３、ｎ型クラッド層１５、第１のガイド層１７、第２のガイド層１９を備える。ｎ型クラッド層は第１の半導体からなる。第１のガイド層１７はｎ型クラッド層１５と活性層１３との間に設けられており、また第２のIII−Ｖ化合物半導体からなる。第２のガイド層１９は第１の光ガイド層１７と活性層１３との間に設けられており、また第３のIII−Ｖ化合物半導体からなる。第１のガイド層１７および第２のガイド層１９の各々はノンドープ層またはｐ型層である。第２のガイド層１９の伝導帯のエネルギレベルは、電子に関して第１のガイド層１７の伝導帯のエネルギレベルより低い。第１のガイド層１７の第２のIII−Ｖ化合物半導体のバンドギャップ波長は、第２の光ガイド層１９の第３のIII−Ｖ化合物半導体のバンドギャップ波長より短い。 （もっと読む）

【課題】ガイド層が１００ｎｍ以上の半導体レーザ装置において、動作時の立ち上がり電圧、動作電圧を低減させる。
【解決手段】ｎ型ＧａＡｓ基板２上に、ｎ型の第１クラッド層３、第１ガイド層４、第１エンハンス層５、活性層６、第２エンハンス層７、第２ガイド層８、ｐ型の第２クラッド層９が順次積層されている。第１ガイド層４、第２ガイド層８の厚さは１００ｎｍ以上である。このような半導体レーザにおいて、第１ガイド層４、第２ガイド層８のEg（バンドギャップエネルギー）と活性層６のEgとの差が、第１クラッド層３、第２クラッド層９のEgと活性層６のEgとの差の０．６６倍以下となるようにする。上記構造とすることにより、第１ガイド層４、第２ガイド層８の層内の擬フェルミレベルの傾斜をほぼなくすことができる。これにより、動作時の立ち上がり電圧、動作電圧を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】高次モード発生を抑制しつつ、内部光損失を減少させることが出来る高出力半導体レーザー素子を提供すること。
【解決手段】半導体レーザー素子３０は、第１及び第２導電型クラッド層３２、３５と、その間に形成された活性層３４及び上記第１及び第２導電型クラッド層と上記活性層との間に形成された第１及び第２光ガイド層３３ａ、３３ｂを含む半導体レーザー素子３０において、上記第１及び第２導電型クラッド層の少なくとも一つは、レーザービームの分布と重畳された少なくとも一部領域が意図的にドープされない光損失抑制領域３２ａ、３５ａである。 （もっと読む）

【課題】 量産性を損なうことなく、高い光出力を低い動作電流で実現でき、高い光ファイバ結合効率と優れた高温特性を実現できる通信用高出力半導体レーザを提供する。
【解決手段】 ｎ型ＩｎＰ基板１０１とｎ型ＩｎＰクラッド層１０３との間にｎ型ＩｎＧａＡｓＰモード拡大層１０２を設け、ｎ側光ガイド層１０４とｐ側光ガイド層１０６が、その組成または層厚またはその両方が異なる構造であり、モード拡大層１０２はｎ型クラッド層１０３とは屈折率の異なる単数もしくは複数の層で構成された高屈折率層であり、その実効屈折率がｐ型クラッド層１０７の実効屈折率と比べて高く、ｎ側光ガイド層１０４とモード拡大層１０２との距離を０．２μｍ以上とする。 （もっと読む）

【課題】バンド端に相当する波長でのレーザ発振の発生を抑制することができるフォトニック結晶半導体光増幅器およびこれを備える集積型光半導体素子を提供すること。
【解決手段】半導体基板上に積層された下部クラッド層と上部クラッド層との間に活性層を積層して形成するとともに、所望の光を導波する線欠陥導波路領域を除いて前記上部クラッド層から前記活性層が積層された方向へ該活性層の下面よりも深い位置まで前記積層方向に垂直な面内において２次元的な屈折率の周期構造を形成するように複数の空孔が格子状に配列された空孔形成領域を形成し、前記線欠陥導波路領域の活性層内を導波する光を増幅するフォトニック結晶半導体光増幅器であって、前記線欠陥導波路領域の外側に、前期周期構造によって形成されるフォトニックバンド構造のバンド端の光を減衰させることのできる光減衰部を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】回折格子を有する半導体レーザ装置において、基板のキャリア濃度のばらつきに左右されることなく、発振波長や回折格子の結合定数の変動を抑える。
【解決手段】ｎ型基板１の上に、バッファ層１１、回折格子層２、回折格子埋込層３、光閉込層４、多重量子井戸活性層５、光閉込層６、クラッド層７を積層した構造の半導体レーザが形成されている。この構造において、ｎ型基板１とバッファ層１１との界面から、活性層５の中心５ａまでの距離Ｄが、レーザ光の１／ｅ^２のビームスポット半径ａよりも長くなるようにする。これにより、活性層５で発生するレーザ光の約９７．７％以上は、ｎ型基板１とバッファ層１１との界面よりも上層に分布する。従って、基板のキャリア濃度が変動しても、レーザ光が感受する屈折率のばらつきを小さく抑え、レーザ光の発振波長および回折格子の結合定数の変動を小さく抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザの電流−光出力特性において、電流の変化に対する光出力効率（ｄＰ／ｄＩ）の変化を小さくして、光出力が安定した半導体レーザを提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板と、ＧａＡｓ基板上に形成されたＩｎ_xＧａ_1-xＡｓ（０＜ｘ≦０．３）活性層と、活性層の一方の面に積層された第１ガイド層と、第１ガイド層に積層され、少なくとも一部に電流狭窄部が形成された第１クラッド層と、活性層の他方の面に順次積層された第２ガイド層及び第２クラッド層とを含む半導体レーザにおいて、第１ガイド層の有する正規化周波数を、第２ガイド層の有する正規化周波数より大きくする。 （もっと読む）

【課題】 ＬＳＩチップ上の配線に適用することができ、構成が極めて簡潔で、伝送レベル等の特性余裕も高く、特性再現性や信頼性の向上を図る。
【解決手段】 レーザ誘導光配線装置であって、基板１と、基板１上に離間して設けられた第１及び第２の光反射部８ａ，８ｂと、基板１上に設けられ、第１及び第２の光反射部８ａ，８ｂを光結合して光共振器を構成するための第１の光導波路３と、光導波路３中に設けられ、第１及び第２の光反射部８ａ，８ｂと共にレーザ発振器を構成する第１の光利得部２ａと、光導波路３中に第１の光利得部２ａとは離間して設けられ、第１及び第２の光反射部８ａ，８ｂと共にレーザ発振器を構成する第２の光利得部２ｂと、を具備した。 （もっと読む）

【課題】二次元フォトニック結晶線欠陥導波路からなる半導体レーザにおける放熱性を良く、面外回折による同派路損失を低減すること。
【解決手段】半導体クラッド型二次元フォトニック結晶線欠陥導波路からなる半導体レーザにおいて、導波路３でレーザ発振する光の真空中の波長をλ、複数の空孔２の間隔をａ、空孔２の半径をｒ、導波路３を挟んで配列した空孔２の中心間の距離として定義される導波路３の幅をｄ、半導体コア層１２の屈折率、複数の空孔２の間隔ａ、空孔２の半径ｒ、導波路３の幅ｄとで決まる導波路２の基本モードの、ブロッホ波数０における実効屈折率をｎ_effとしたときに、０．５ａ＞ｒ≧０．３２５a、ｄ≦１．８４ａ、ａ＝λ／ｎ_effが成立するように構成している。 （もっと読む）

【課題】活性層の変形を抑え、隣り合う活性層同士を好適に光結合できるとともに、活性層のＰＬ発光強度を十分に得ることができる集積型の半導体光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体光素子１は、半導体レーザ素子部２ａ及び半導体変調素子部２ｂを備える。これらの素子部２ａ及び２ｂは、それぞれ光導波路部１２ａ及び５２ａを有する。光導波路部１２ａは、ｎ型半導体層８、活性層６、及びｐ型半導体層１０が積層されてなる。光導波路部５２ａは、光導波路部１２ａと共有のｎ型半導体層８、活性層４６、及びｐ型半導体層５０が積層されてなる。ｎ型半導体層８と活性層４６との間には、ＩｎＡｓＰ層４４が形成されている。また、半導体光素子１は、表面におけるエッチピット密度が５００ｃｍ^−２以下であるＩｎＰ基板４を有する。 （もっと読む）