【課題】高パワー端部放射レーザーダイオードの構造を提供する。
【解決手段】高パワー端部放射レーザーダイオードの構造は、チャープ型周期性分布の複数のモード延展サブレイヤーを有し、近視野像（Near Field Pattern、NFP）はL字型で、光照射野の強度が強い部分と多重量子井戸の重畳が良好であり、これにより、良好な光閉じ込め係数を得る。更に、光照射野の強度が低い部分は、できるだけ、ｎ型クラッド層に延伸するので、これにより、高パワー端部放射レーザーダイオードの鏡面上の光出力密度が低下し、垂直発散角が減少し、使用寿命を延長することができる。 （もっと読む）

【課題】ｎ型クラッド層を一部無秩序化してバンドギャップ、ひいては屈折率の変動を抑制し、安定した拡がり角が得られる半導体レーザを実現する。
【解決手段】基板１０１上に、ｎ型クラッド層１０２，１０３と活性層１０４とｐ型クラッド層１０５とを設け、ｎ型クラッド層１０２，１０３における第一ｎ型クラッド層１０２にドーパントとしてＳｉとＺｎとを含ませ、かつ第一ｎ型クラッド層１０２の厚さを０．１μｍ以上とし、かつ活性層１０４の中心から第一ｎ型クラッド層１０２までの最短距離を０．５μｍ以下とし、かつ基板１０１の基板傾斜角度を０°〜１５°とする。 （もっと読む）

【課題】従来技術にある問題点を解消し、活性層ＰＬ波長のエピウエハ面内分布が小さい半導体ＬＤエピ構造を提供する。
【解決手段】基板２上に、Ｎクラッド層４、活性層５、Ｐクラッド層６を含む多層の薄膜結晶を積層した半導体ＬＤエピ構造１において、Ｎクラッド層４を５００ｎｍ以上、１０００ｎｍ未満に薄膜化したものである。 （もっと読む）

【課題】電子のオーバーフローを抑制することができる半導体光素子を提供する。
【解決手段】半導体光素子１０は、井戸層３１及びバリア層３２を含み量子井戸構造を有する活性層１５と、バリア層３２上に設けられIII−Ｖ族化合物半導体材料からなるオフセット層３５（第１のクラッド層）と、オフセット層３５上に設けられｐ型不純物を含む電子ストッパー層１７と、電子ストッパー層１７上に設けられオフセット層３５と同一材料からなり、電子ストッパー層１７のｐ型不純物濃度よりも低い濃度のｐ型不純物を含む第２のクラッド層１８とを備える。 （もっと読む）

【課題】用途に適合した十分な光出力と寿命を確保でき、また、動作電圧の上昇を防止できる半導体レーザ、およびこのような半導体レーザを適用した電子機器を提供する。
【解決手段】半導体基板１００の上にバッファ層１０１、バッファ層１０２、第１下側クラッド層１０３、第２下側クラッド層１０４、活性層１０５、第１上側クラッド層１０６、エッチングストップ層１０７、第２上側クラッド層１０８、中間バンドギャップ層１０９、キャップ層１１０がこの順で積層してある。共振器長Ｌ＝１５００μｍとし、第１下側クラッド層１０３のドーパント濃度（ｎ型不純物としてのＳｉの濃度）Ｎｃ＝４．０×１０¹⁷／ｃｍ³、第２下側クラッド層１０４のドーパント濃度Ｎｃ＝４．０×１０¹⁷／ｃｍ³、つまり、下側クラッド層のドーパント濃度Ｎｃ＝４．０×１０¹⁷／ｃｍ³とした。 （もっと読む）

【課題】面出力型の半導体光デバイスの構造を簡単にして製造し易くする。さらに発光デバイスの他に、光増幅デバイスとしても用い得るようにする。
【解決手段】半導体基板上に形成され光学遷移が起こる活性層領域と、活性層領域に形成した導波路と、活性層領域に電流を供給する電極と、を備え、半導体基板表面に沿った導波路をもち、垂直方向に光を出力する半導体光素子であって、電極は、互いに電気的に接続された導電性の物質で構成され、２次元の周期性のある形状をもち、上記の半導体光素子の導波路の近傍で導波路に沿って形成され、上記の活性層領域に電気的に接続され、上記の導波路を伝搬する光波に、フォトニック結晶として作用して導波路に垂直な方向に目的とする光を導くものであり、その周期は、ほぼ導波路を伝搬する光の波長の長さであり、その電極と半導体基板間に電流を流して、上記の活性層領域に給電する。 （もっと読む）

【課題】低駆動電力かつ高い信頼性を保つことができるように改良された半導体レーザ素子を提供することを主要な目的とする。
【解決手段】活性層１０５を間に挟んで、上下にｐ型クラッド層１０９を含む複数のｐ型導電型層１０６〜１１０，１１４，１１５と、ｎ型クラッド層１０３を含む複数のｎ型導電型層１０１〜１０４とが設けられた半導体レーザ素子において、発振波長が１．０μｍ以下であり、上記複数のｐ型導電型層１０６〜１１０，１１４，１１５のうちのｎ番目の層をｐ型導電型層(ｎ)とし、該ｐ型導電型層(ｎ)の光閉じ込め係数をΓ(ｎ)とし、該ｐ型導電型層(ｎ)のドーピング濃度をＰ(ｎ)としたときのΓ(ｎ)とＰ(ｎ)の積の総和 Σ[Γ(ｎ)×Ｐ(ｎ)] が８．０×１０¹⁷ｃｍ^-3 以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザにおいて、比較的高い放射品質を提供すると同時に電気特性も向上させる。
【解決手段】半導体レーザ１には、電磁放射を発生させるための活性領域３を含む半導体層列２と、高次のモードを減衰させるための吸収領域４が設けられており、この吸収領域４は半導体層列２内に配置されているかまたは半導体層列２に接している。 （もっと読む）

【課題】垂直ビーム拡がり角を小さくして高出力動作時の端面劣化を少なくし、放熱体側への熱移動を良くすることにより高出力動作時における信頼性を高める。
【解決手段】一主面を有するヒートシンク２４と、このヒートシンク２４の主面上に配設されたｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層３０と、このｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層３０の上に配設されたＡｌＧａＡｓ活性層３４と、このＡｌＧａＡｓ活性層３４の上に配設されたｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層３８とを備え、ＡｌＧａＡｓ活性層３４のヒートシンク２４側の主面とｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層３０のヒートシンク２４側の主面との間の実効屈折率及び熱抵抗をＡｌＧａＡｓ活性層３４のヒートシンク２４と反対側の主面とｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層３８のヒートシンク２４と反対側の主面との間の実効屈折率及び熱抵抗よりそれぞれ小さくした。 （もっと読む）

【課題】レーザ光のアスペクト比が大きく、基本モードでの発光から１次モードでの発光に移行するキンクレベルが高く、光出力効率（ｄＰ／ｄＩ）の変化が小さい半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体基板と、半導体基板上に形成された活性層と、活性層の一方の面に積層された第１ガイド層と、第１ガイド層に積層され、少なくとも一部に電流狭窄部が形成された第１クラッド層と、活性層の他方の面に積層された第２ガイド層と、第２ガイド層に積層された第２クラッド層と、第２クラッド層に積層されたコンタクト層とを含む半導体レーザにおいて、第１ガイド層の有する正規化周波数を、第２ガイド層の有する正規化周波数より大きくし、かつ第２クラッド層の層厚が第１クラッド層の層厚より厚い。 （もっと読む）