【課題】ドーパント濃度が高精度に制御された半導体領域を有する半導体レーザを得ることが可能な半導体レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る半導体レーザの製造方法は、半導体レーザを製造するための半導体領域８０と、中間層９０と、半導体レーザを製造するための半導体領域１００とをこの順に半導体基板５上に形成する半導体領域形成工程と、半導体領域１００のドーパント濃度を測定する測定工程と、測定工程の後、半導体領域１００及び中間層９０を除去する除去工程と、半導体領域８０を用いて半導体レーザを製造することの要否をドーパント濃度の測定結果に基づき判定する判定工程と、判定工程において半導体領域８０を用いて半導体レーザの製造を要すると判定された場合、半導体領域８０を用いて半導体レーザを製造する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】水素流量の増加を最低限に抑え、効率的に水素プラズマを開口部に供給して開口部内のエッチング領域を変化させることができる半導体素子の作製方法を提供すること。
【解決手段】エッチングの進行が発現する水素の相対濃度を０．４程度とすると、マスク端での相対濃度が０．５、１．０、２．０それぞれに対して、開口部幅が１μｍのときは水素の相対濃度が０．４以上になるのでエッチングが生じる。開口部幅が１．５μｍのときはマスク端での相対濃度が１．０と２．０に対して水素の相対濃度が０．４以上になりエッチングが生じ、マスク端での相対濃度が０．５に対して水素の相対濃度が０．４未満になりエッチングが生じない。開口部幅が２μｍのときはマスク端での相対濃度が２．０に水素の相対濃度が０．４以上になりエッチングが生じ、マスク端での相対濃度が０．５、１．０に対して水素の相対濃度が０．４未満になりエッチングが生じない。 （もっと読む）

【課題】電子の可干渉性が考慮され、層構成が単純でありながら生産性及び高温動作性能に優れた半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子３０は、第１導電型の半導体基板１の上方に第１導電型のクラッド層３、活性層４、第２導電型のクラッド層５が順次形成されている。クラッド層５上には、Γ点バンドにおいて所定のエネルギーバンドギャップを有する第２導電型の井戸層と、Γ点バンドにおいて所定のエネルギーバンドギャップよりも大きいエネルギーバンドギャップを有する第２導電型の障壁層とが交互に積層され、かつクラッド層５に接する第１の積層層，及びクラッド層５に対して最も離れた位置に形成された最終積層がそれぞれ井戸層となるように第２導電型の多重量子障壁層２０が形成されている。多重量子障壁層２０は井戸層と障壁層との繰り返し周期が５〜１０周期の範囲内であり、かつ多重量子障壁層２０の総厚が５０ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】活性層から発するレーザ光の電極間共振を抑えて電気変換効率を十分に高くすることのできる半導体レーザ装置を得る。
【解決手段】基板２ａおよび活性層５を有し、活性層５から発するレーザ光のエネルギーが、基板２ａのバンドギャップエネルギーよりも小さい値に設定された半導体レーザ装置において、基板２ａのキャリア濃度は、２．２×１０^１８ｃｍ^−３以上に設定されている。 （もっと読む）

【課題】安定したシングルモード性を有し、高い出力を得ることができる半導体レーザを提供することにある。
【解決手段】ＩｎＰ基板２と、ＩｎＰ基板２上に設けられたＳＣＨ歪ＭＱＷ活性層３とを有し、ＳＣＨ歪ＭＱＷ活性層３の一部が除去されて分離溝１１が形成され、分離溝１１にＳＣＨ歪ＭＱＷ活性層３のＭＱＷ２５と異なる材料１２が埋め込まれた。 （もっと読む）

本発明は端面発光半導体レーザーに関している。この半導体レーザーは、放射ビームを生成する活性領域（１）と、前記活性領域（１）にて生成された放射ビームを半導体レーザー内に誘導するのに適した全導波路（８）とを有し、前記全導波路（８）は、第１のｎ型ドープ層（４）と第２のｎ型ドープ層（５）とを含み、前記第２のｎ型ドープ層（５）は第１のｎ型ドープ層（４）と活性領域（１）との間に設けられている。また前記第２のｎ型ドープ層（５）の屈折率ｎ₂は前記第１のｎ型ドープ層（４）の屈折率ｎ₁よりも大きさｄｎだけ大きい。
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【課題】安定で真円に近い近視野像を有する半導体レーザを提供する。
【解決手段】ｎ-ＩｎＰ基板１０と、ｉ-ＩｎＧａＡｌＡｓ（０．９５μｍ組成）第１のＳＣＨ層２と、ＩｎＧａＡｌＡｓ活性層１と、ｉ-ＩｎＧａＡｌＡｓ（０．９５μｍ組成）第２のＳＣＨ層３と、ｐ-ＩｎＰ第１のクラッド層７ａと、ｐ-ＩｎＧａＡｓＰ（１．１μｍ組成）高屈折率層８と、ｐ-ＩｎＰ第２のクラッド層７ｂと、半導体レーザエピタキシャル膜からなるｐ⁺-ＩｎＧａＡｓＰキャップ層９とを備え、ｐ-ＩｎＰ第１のクラッド層７ａにこのｐ-ＩｎＰ第１のクラッド層７ａ中に回折格子のｐ‐ＩｎＧａＡｓＰ（１．１μｍ組成）光ガイド層６を形成し、ｐ-ＩｎＰ第２のクラッド層７ｂ及びｐ⁺-ＩｎＧａＡｓＰキャップ層９をリッジに形成し、ｐ-ＩｎＧａＡｓＰ高屈折率層８はｐ-ＩｎＰ第１のクラッド層７ａ及びｐ-ＩｎＰ第２のクラッド層７ｂよりも屈折率を高くした。 （もっと読む）

【課題】高出力動作を可能とし、電気変換効率が高く消費電力の低減が図れる、半導体レーザ装置を得る。
【解決手段】ｐ型クラッド層７、ｐ型クラッド層側ガイド層６、活性層５、ｎ型クラッド層側ガイド層４、および、ｎ型クラッド層３を有する半導体レーザ装置であって、ｐ型クラッド層側ガイド層６及びｎ型クラッド層側ガイド層４は、アンドープかそれに近いドーピングを施した状態であり、ｐ型クラッド層側ガイド層６の厚さとｎ型クラッド層側ガイド層４の厚さの和が２００ｎｍ以上あり、かつ、ｐ型クラッド層側ガイド層６のバンドギャップエネルギーと活性層５のバンドギャップエネルギーの差及びｎ型クラッド層側ガイド層４のバンドギャップエネルギーと活性層５のバンドギャップエネルギーの差が０．３ｅＶ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 活性層からクラッド層への電子のオーバーフローを十分に抑制可能な窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供することをその目的とする。
【解決手段】 窒化物半導体発光素子１は、活性層Ｉと、活性層Ｉの一方側に設けられたｐ型クラッド層Ｌと、ｐ型クラッド層Ｌと活性層Ｉとの間に設けられたｐ型電子ブロック層Ｋと、活性層Ｉとｐ型電子ブロック層Ｋとの間に設けられた第２ガイド層Ｊとを備え、活性層Ｉ、ｐ型クラッド層Ｌ、ｐ型電子ブロック層Ｋ、及び第２ガイド層ＪがIII族窒化物系半導体を含み、ガイド層Ｊのうちｐ型電子ブロック層Ｋ側に位置する部分は、ｐ型不純物を含むと共にｐ型電子ブロック層Ｋとがヘテロ接合を形成する。 （もっと読む）

【課題】電流狭窄層に起因するクラックの発生が抑制されて、発光に寄与しない無効電流の低減により閾値電流特性が向上する埋め込み型窒化物半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】ＧａＮ基板１０１上に積層された、少なくともｎ型クラッド層１０３、活性層１０５、及びｎ型電流狭窄層１０９を備え、ｎ型電流狭窄層の一部が除去されて電流通電部１１５が形成されており、ｎ型電流狭窄層上および電流通電部上にｐ型クラッド層１１１が形成されている。ｎ型電流狭窄層は、少なくともＡｌを含んだ窒化物半導体により形成され、ｎ型電流狭窄層の不純物濃度が１×１０¹⁹ｃｍ^-3より高い。これにより、電流狭窄層が受けている引っ張り歪を大幅に低減させることができる。 （もっと読む）