【課題】基板側へしみだした光と、活性層を導波する光とのモード結合を抑えることが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】基板１１およびバッファ層１２と第１ｎ型クラッド層１４との間に、ドナーとして働く不純物であるシリコン（Ｓｉ）またはゲルマニウム（Ｇｅ）の一方およびアクセプタとして働く不純物であるマグネシウム（Ｍｇ）または亜鉛（Ｚｎ）の一方が共添加されたＧａＮよりなる共添加層１３を設ける。共添加層１３の光吸収係数は、ドナーとして働く不純物のみ、またはアクセプタとして働く不純物のみを添加した場合に比べて極めて大きくなる。よって、第２ｎ型クラッド層１５および第１ｎ型クラッド層１４を透過して基板１１側へしみだす光は共添加層１３により吸収され、活性層を導波する光とのモード結合が生じない程度に減衰する。 （もっと読む）

【課題】
主に量子井戸または量子ドットを用いた光導波路型半導体光源の構造を簡単化し、デバイス表面の微細構造による光波制御を可能とすること。
【解決手段】
基板２０と、前記基板上に形成される下部クラッド層３０と、前記下部クラッド層上に形成され該下部クラッド層の屈折率より高い屈折率を有する活性層４０と、前記活性層上に形成され、前記活性層の屈折率より低い屈折率を有し前記下部クラッド層の層厚に比して薄厚の狭窄層５０と、前記狭窄層上に形成される光制御層６０とを具備し、前記狭窄層中の前記光制御層に対応する箇所の周囲が導通を起こさせない性質を有するように構成される。 （もっと読む）

【課題】 熱飽和現象が抑制された光出力の高い半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ装置は、活性層４の下方にＡｌ_ｘ１Ｇａ_１−ｘ１Ａｓからなるｎ型クラッド層２を、活性層４の上方に（Ａｌ_ｘ Ｇａ_１−ｘ ）_ｙ Ｉｎ_１−ｙ Ｐからなる障壁高さ規定用ｐ型クラッド層６をそれぞれ備えている。障壁高さ規定用ｐ型クラッド層６はｎ型クラッド層２よりも多くの構成元素を含み、障壁高さ規定用ｐ型クラッド層６と活性層４との伝導帯端のポテンシャル差は、ｎ型クラッド層２と活性層４との伝導帯端のポテンシャル差よりも大きい。活性層４からｐ型クラッド層６へのキャリアのオーバーフローを抑制するとともに、ｎ型クラッド層２に熱伝導率の高い材料を用いて熱飽和現象を抑制することにより、光出力を向上させる。 （もっと読む）

【課題】結晶性の低下を防ぎ、混晶組成を精密に制御することができる半導体レーザ素子及びその製造方法を得る。
【解決手段】ｎ型ＧａＡｓ基板１０上に、ｎ型クラッド層１２、ｎ側ガイド層１４、活性層１６、ｐ側ガイド層１８、ｐ型クラッド層２０、及びｐ型コンタクト層２２が順番に形成されている。レーザ共振器の端面に窓構造が形成されていない。ｎ側ガイド層１４及びｐ側ガイド層１８は、自然超格子が形成されたＩｎＧａＰからなる。ｎ側ガイド層１４及びｐ側ガイド層１８の室温におけるバンドギャップは１．７７〜１．８８ｅＶである。 （もっと読む）

活性および／または受動ＭＱＷ領域を含む多重量子井戸レーザ構造が提供される。各ＭＱＷ領域は複数の量子井戸および介在障壁層を含む。隣接するＭＱＷ領域は、介在障壁層より厚いスペーサ層によって分離される。量子井戸のバンドギャップは、介在障壁層およびスペーサ層のバンドギャップより低い。活性領域は、活性および受動ＭＱＷを含むことができ、電気ポンピングによる光子の誘導放出用として構成することができる。あるいは、活性領域は、光ポンピングによる光子の誘導放出用として構成される活性ＭＱＷ領域を含むことができる。
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導波路領域（２）を有する半導体ボディ（１）を備えている端面発光型半導体レーザを開示する。導波路領域（２）は、下部被覆層（３ａ）と、下部導波路層（４ａ）と、レーザ放射を発生させる活性層（５）と、上部導波路層（４ｂ）と、上部被覆層（３ｂ）と、を備えている。導波路領域（２）は、さらに、少なくとも１つの構造化されたレーザ放射拡散領域（６）を備えており、この領域においては、レーザ放射の基本横モードに、高次レーザモードの放射よりも小さい拡散損失が生じる。 （もっと読む）

【課題】上方接触層としても機能する非エピタキシャル・クラッド層を備えた、光学的損失の低い半導体発光デバイスを提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光デバイス（２０Ａ）は、基板（２２）と、基板上に形成された結晶性半導体クラッド層（２６）と、結晶性半導体クラッド層上に形成された閉じ込めヘテロ構造（３０Ａ）と、閉じ込めヘテロ構造内に形成された活性領域（２８）と、閉じ込めヘテロ構造上に形成され電気抵抗率が１Ω−ｃｍよりも低い非エピタキシャル・クラッド層（３２）とを備え、結晶性半導体クラッド層と閉じ込めヘテロ構造と非エピタキシャル・クラッド層とが併せて、これらのクラッド層の平面において光を導く導波路を形成する。 （もっと読む）

【課題】製造工程数の増加を抑えつつ、基板モードを低減することで素子特性を向上できる半導体光素子を提供する。
【解決手段】半導体光素子１は、端面発光型の半導体光素子１であって、ｎ型ＧａＡｓ基板３上に設けられたｎ型下部クラッド層５と、ｎ型下部クラッド層５上に設けられた活性層７と、活性層７上に設けられたｐ型上部クラッド層１０とを備え、ｎ型ＧａＡｓ基板３は活性層７よりも高いバンドギャップを有し、ｎ型下部クラッド層５は活性層７よりも低いバンドギャップを有する下部クラッド光吸収層４と活性層７よりも高いバンドギャップを有する第１下部クラッド光透過層５ａとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、３種類のレーザ光源、すなわち、ダイオードレーザ、（一体的に接続された複数のダイオードレーザの形の）複合ダイオードレーザ、ならびに、その増幅器がダイオードレーザの独創的な光共振器と、独創的なレーザ放射結合から構成された（一体的に接続された駆動レーザダイオードおよび半導体増幅素子の形の）複合半導体光増幅器に関する。ダイオードレーザの光共振器の２つの反射材料は、上述の３種類のレーザ放射光源に分類され、その両側でとりうる最大の反射率を有し、活性層を迂回して、実際上完全な反射防止（０．０１％未満）光端面を有するダイオードレーザの本発明の改変されたヘテロ構造の広バンド幅の半導体層を通って活性層からの放射結合が行なわれる。本発明は、広い波長帯において、超高出力、高性能、高速かつ高信頼の、単一周波数、シングルモードおよびマルチモードの３種類の高品質レーザ放射光源の設計を可能にし、その生産を簡略化し、生産コストを削減する。
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【課題】３次元フォトニック結晶を用いた発光素子において、効率及び安定性を向上させる。
【解決手段】発光素子１０は、３次元フォトニック結晶２０を有する。該３次元フォトニック結晶は、活性媒質を含む共振器を形成する第１の欠陥部７０と、該共振器で発生した光を外部に取り出すための導波路を形成する第２の欠陥部８０と、Ｐ型半導体により形成されたＰクラッド部４０と、第１のＮ型半導体により形成されたＮクラッド部５０とを有する。第２の欠陥部は、Ｐクラッド部及びＮクラッド部のうち該Ｎクラッド部にのみ設けられている。そして、第２の欠陥部の少なくとも一部は、第２のＮ型半導体により形成され、外部に熱を放射する放熱手段を構成している。 （もっと読む）