【課題】活性層から垂直方向へしみ出す光の吸収を容易に低減するとともに、信頼性の高い半導体レーザ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明における半導体レーザチップ１は、活性層を含む発光層６の上方と下方に備えられるとともに活性層よりも屈折率の低いｎ型クラッド層５と、ｐ型第１クラッド層７及びｐ型第２クラッド層１１と、を備える。そして、ｎ型クラッド層５の下面にｎ型吸収低減層４が備えられるとともに、ｐ型第２クラッド層１１の上面にｐ型吸収低減層１２が備えられる。ｎ型吸収低減層４はｎ型クラッド層５よりもＡｌ組成比が大きく、ｐ型吸収低減層１２はｐ型第２クラッド層１１よりもＡｌ組成比が大きい。 （もっと読む）

【課題】結合効率が高く位置合わせのトレランスが大きい結合を、簡単な構成で実現できる半導体レーザモジュールを提供する。
【解決手段】本発明の半導体レーザモジュール３００は、半導体レーザ素子１００と少なくとも１つの屈折率分布型ロッドレンズ２００とを備える。半導体レーザ素子１００は、半導体基板１０と、半導体基板１０上に積層された半導体多層膜を備える。半導体多層膜は、基板側から順に積層された下側クラッド層、活性層、および上側クラッド層を含む。半導体基板１０および半導体多層膜は、平坦面１０１と、平坦面１０１から突出するように形成され且つ第１および第２の端面を含む積層構造１０２とを構成している。屈折率分布型ロッドレンズ２００は、レーザ光がロイドのミラー干渉を生じる位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】３次元フォトニック結晶発光素子において、高いキャリア注入効率と高い光閉じ込め作用とを両立させる。
【解決手段】３次元フォトニック結晶発光素子１００は、３次元フォトニック結晶１０１中に共振器を形成する欠陥部を有し、該３次元フォトニック結晶において、Ｎ型半導体により形成されたＮクラッド層１０３と、共振器の内部に配置された活性層１０４と、Ｐ型半導体により形成されたＰクラッド層１０５と、トンネル接合層１０６と、第１のＮ型導電体により形成された第１のＮ導電層１０７とがこの順番で配置されている。第１のＮ型導電体の電気伝導度を、Ｐ型半導体の電気伝導度よりも高くする。 （もっと読む）

【課題】広い波長域で良好な完全フォトニックバンドギャップを有し、製造が容易な３次元フォトニック結晶を提供する。
【解決手段】 ３次元フォトニック結晶は、第１の媒質により形成された構造体と該第１の媒質よりも屈折率が低い第２の媒質とが３次元方向に周期的に配置されて構成される。構造体が第１の方向に延びる第１及び第３層と、構造体が第２の方向に延びる第２及び第４層とが積層されている。各層の構造体は、積層方向での一端面としての平坦面と、第１の幅及び第１の高さを有する第１の構造部分と、第１の幅及び第１の高さよりも大きい第２の幅及び第２の高さを有する第２の構造部分と、幅及び高さが連続的又は段階的に変化する第３の構造部分とを有する。隣接２層のうち一方の層における第１の構造部分での平坦面が、他方の層における第２の構造部分の上記平坦面とは反対側の面に接している。 （もっと読む）

【課題】光出力が低下することを防止しつつ、活性層の放熱性を高めることが可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】発光領域１６が設けられた領域Ａの真上に、コンタクト層１９の屈折率より低い屈折率を有するSiO₂層からなる低屈折率層２１が設けられている。このため、低屈折率層２１が発光領域１６から発生した光を閉じ込める役割を果たすこととなり、コンタクト層１９は発光領域１６から発生した光の吸収層として働きにくくなる。したがって、コンタクト層１９により光出力のロスが発生することを低減でき、光出力が低下することを防止できる。また、コンタクト層１９が光の吸収層として働きにくいことから、第２導電型クラッド層１７の厚みを薄くすることが可能となる。したがって、発光領域１６から発生した熱に対する放熱性を高めることができる。 （もっと読む）

本発明は、発光素子（１）の製造方法に関する。本方法においては、発光素子（１）の主放射軸に対して垂直に延びる方向において近接場（１０１，２０１）のフィールド経過が設定され、近接場のフィールド経過から、この方向に沿って屈折率プロフィール（１１１，２１１，５１１）が求められ、発光素子（１）が少なくとも部分的に事前に決定された前記屈折プロフィール（１１１，２１１，５１１）を有する発光素子に関する構造が求められ、発光素子が事前に決定された構造に従い構成される。さらに本発明は発光素子に関する。
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【課題】ＬＯＣ構造の半導体レーザ装置において、高次モードの光の発振を抑えて、光出力の向上を図れるようにする。
【解決手段】第１のクラッド層１２と、第１のガイド層１３と、活性層１４と、第２のガイド層１５と、第２のクラッド層１６とが順に積層され、前記第１のクラッド層１２と前記第２のクラッド層１６との間に光導波路となる層１３，１４，１５が構成されるとともに、当該光導波路となる層１３，１４，１５が基本モードの光の他に高次モードの光をも導波する厚さに形成されている半導体レーザ装置１において、前記光導波路となる層１３，１４，１５の構成層として、前記高次モードの光のみの発振を抑制する位置に、当該高次モードの光を吸収する吸収層２０を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザの側方ファセットにおける非放射性再結合による熱発生がアクティブ層において緩和される、改善されたエッジ発光型半導体レーザを提供する
【解決手段】エッジ発光型半導体レーザでは第２の外套層（５）に第２の導波体層（２）が隣接しており、この第２の導波体層にはアクティブ層が埋め込まれていない。そして第２の導波体層（２）は少なくとも部分領域（１０，１１）で第１の導波体層（１）に光学的に結合される。さらに前記第２の導波体層（２）の、前記第１の導波体層（１）とは反対の側には第３の外套層（６）が配置されている。 （もっと読む）

【課題】電気変換効率を十分に向上させた半導体レーザ装置を得る。
【解決手段】ｎ型クラッド層３、ｎ型クラッド層側ガイド層４、活性層５、ｐ型クラッド層側ガイド層６、および、ｐ型クラッド層７を有し、ｎ型クラッド層側ガイド層４およびｐ型クラッド層側ガイド層６を介して、活性層５に対し垂直方向に電子およびホールが注入される半導体レーザ装置であって、ｐ型クラッド層側ガイド層６の層厚を、ｎ型クラッド層側ガイド層４の層厚よりも薄く設定して、活性層５の位置をｐ型クラッド層７に近づけるとともに、ｐ型クラッド層側ガイド層６の屈折率を、ｎ型クラッド層側ガイド層４の屈折率よりも高い値に設定した。 （もっと読む）

ビーム放射デバイス（１）の製造方法を開示する。遠距離場における放出特性を設定する。この設定された放出特性から、ビーム放射デバイス（１）に対する屈折率プロファイルをデバイスの主要放出方向に対して垂直に延在する方向で求める。デバイスが事前に定められた屈折率プロファイルを有するように、デバイスに対する構造を求める。この事前に定められた構造に従って、デバイス（１）を構成する。
さらにビーム放射デバイスを開示する。
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