【課題】クラッド層中に取り込まれるＡｓを低減し、発光出力の安定性を高めて信頼性を向上させる。
【解決手段】ｎ型基板１０の上に、Ａｌを含有するＰ系結晶からなるｎ型クラッド層３０と、Ａｓ系結晶からなる量子井戸構造を有する発光層４０と、Ａｌを含有するＰ系結晶からなるｐ型クラッド層７０とが、この順に積層され、発光層４０とｐ型クラッド層７０との間に、ｐ型クラッド層７０とはＡｌ組成比が異なる（Ａｌ_xＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙ
Ｐ（但し、０．０５≦ｘ≦０．２５，０．４７≦ｙ≦０．５２）からなる挿入層５０を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の製造工程を簡略化することができる。
【解決手段】半導体発光素子１００の製造方法は、ｎ型基板２０上に電流狭窄層１０を形成する工程と、電流狭窄層１０をエッチングすることにより、電流狭窄層１０からなる電流狭窄部１４を形成するとともに、電流狭窄部１４とは異なる領域に電流狭窄層１０からなるアライメントマーク１２を形成する工程と、を備える。このため、アライメントマークを用いた半導体素子の製造工程を簡略化することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の分割位置を高い精度で制御できる半導体発光素子の製造方法及び良好な共振器面が形成された半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体ウエハＷｈ１の一主面側に、凹溝４０と交差するとともに、凹溝４０よりも深い第１補助溝４１を分割予定位置Ｘａ上に形成し、凹溝４０よりも浅い第２補助溝４２を分割予定位置Ｘａ上に形成した半導体ウエハＷｈを分割予定位置Ｘａで劈開する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に形成したクラックが少ない高品位の窒化物半導体素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、シリコン基板の上に形成されたＡｌＮバッファ層の上に形成された機能層を備える窒化物半導体素子が提供される。機能層は、交互に積層された、複数の機能部低濃度層と、複数の機能部高濃度層と、を含む。機能部低濃度層は、窒化物半導体を含み、Ｓｉ濃度が５×１０^１８ｃｍ^−３未満である。機能部高濃度層は、Ｓｉ濃度が５×１０^１８ｃｍ^−３以上である。複数の機能部高濃度層のそれぞれの厚さは、機能部低濃度層のそれぞれの厚さよりも薄い。複数の機能部高濃度層のそれぞれの厚さは、０．１ナノメートル以上５０ナノメートル以下である。複数の機能部低濃度層のそれぞれの厚さは、５００ナノメートル以下である。 （もっと読む）

【課題】低転位密度と良好な表面平坦性とを両立した、高効率な半導体発光素子、窒化物半導体層、及び、窒化物半導体層の形成方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、下地層と、第１半導体層と、発光層と、第２半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。発光層は下地層と第１半導体層との間に設けられる。第２半導体層は下地層と発光層との間に設けられる。下地層は、第２半導体層の側の第１主面と、第１主面とは反対側の第２主面と、を有する。下地層は、第２主面に設けられ、凹部と側部と凸部とを有する凹凸を有する。凸部に繋がる転位の少なくともいずれかは、側部に繋がる。凸部に繋がる転位のうちで第１主面に到達する転位の割合は、凹部に繋がる転位のうちで第１主面に到達する転位の割合よりも低い。第１主面のうちで凹部と重なる領域に繋がる転位は、凹部に繋がる転位よりも少ない。 （もっと読む）

【課題】製作工程が複雑になることなく、電流経路を狭窄できる半導体レーザ構造を提供すること。
【解決手段】（ａ）ｎ型クラッド層２、８、（ｂ）発光層４、１０、及び（ｃ）ｐ型クラッド層６、１２を積層して成るレーザ構造単位１０１、１０３を複数備えるとともに、前記レーザ構造単位１０１、１０３間の境界における一部の領域に、ｐ型導電型層７ａ及びｎ型導電型層７ｂから成るトンネル接合層７を備え、前記境界に、以下の（イ）、（ロ）のうちの一方又は両方を備えることを特徴とする半導体レーザ構造。（イ）前記一部以外の領域において、前記ｎ型クラッド層８に接し、そのｎ型クラッド層８よりもバンドギャップエネルギーが大きいｎ型の層２１。（ロ）前記一部以外の領域において、前記ｐ型クラッド層６に接し、そのｐ型クラッド層６よりもバンドギャップエネルギーが大きいｐ型の層。 （もっと読む）

【課題】高効率の半導体素子及びウェーハを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、下地層と、第１半導体層と、発光部と、第２半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記下地層は、転位密度が５×１０^８ｃｍ^−２以下であり、窒化物半導体を含む。前記第１半導体層は、前記下地層の上に設けられ、窒化物半導体を含み第１導電形である。前記発光部は、前記第１半導体層の上に設けられ、複数の障壁層と、前記複数の障壁層どうしの間に設けられ、前記複数の障壁層のバンドギャップエネルギーよりも小さいバンドギャップエネルギーを有し、前記複数の障壁層の厚さよりも厚い井戸層と、を含む。前記第２半導体層は、前記発光部の上に設けられ、窒化物半導体を含み前記第１導電形とは異なる第２導電形である。 （もっと読む）

【課題】広い電流密度範囲で高い発光効率が得られる半導体発光素子及びウェーハを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、ｃ面を主面とする窒化物半導体を含むｎ形半導体層と、窒化物半導体を含むｐ形半導体層と、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられた発光部と、を備えた半導体発光素子が提供される。発光部は、Ｉｎ_ｘ１Ｇａ_１−ｘ１Ｎ（０＜ｘ１＜１）を含む複数の井戸層と、複数の井戸層どうしの間に設けられＧａＮを含む障壁層と、を含む。ｐ形半導体層に最も近いｐ側井戸層の厚さは、４ｎｍ以上であり、ｐ側井戸層を除く全ての井戸層の厚さは４ｎｍ未満である。ｐ側井戸層のＩｎ組成比は、０．１４５未満であり、ｐ側井戸層を除く全ての井戸層のＩｎ組成比は０．１４５以上である。障壁層の厚さは、ｐ側井戸層の厚さの２倍以下である。発光部から放出される光は単一ピークを有する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成により特性低下を防止することができる半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】ｎ型クラッド層１０３はｎ型基板１０１の上方に形成される。活性層１０５はｎ型クラッド層１０３の上方に形成される。ｐ側光閉じ込め層１０７は活性層１０５の上方に形成される。電流ブロック層１０８はｐ側光閉じ込め層１０７の上方に、開口部１０９を介して対向する一対の帯状に形成される。ｐ型クラッド層１１０は電流ブロック層１０８及びｐ側光閉じ込め層１０７の上に形成される。ｐ型コンタクト層１１１はｐ型クラッド層１１０の上方に形成される。ｐ型コンタクト層１１１から活性層１０５を貫通する一対の溝部１３０に挟まれ、メサ部１２０が形成される。電流ブロック層１０８及び開口部１０９はメサ部１２０の内部に含まれる。電流ブロック層１０８の開口部１０９と反対側の端部とメサ部１２０の側壁とは、所定値以上離隔している。 （もっと読む）

【課題】リッジ部を形成するためのエッチングの際にＧａＡｓキャップ層の側壁にサイドエッチングが進行することを防止できる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、半導体基板２上にｎクラッド層３と、活性層４と、第１ｐクラッド層５と、エッチングストップ層６と、第２ｐクラッド層７と、キャップ層９とを順次積層して形成する工程と、キャップ層９の一部を除去した開口部１０ＡにＺｎＯ層１１を形成して窓領域を形成する工程と、開口部１０Ａからキャップ層９上にかけてストライプ状の絶縁膜マスクパターン１６を形成し、絶縁膜マスクパターン１６から露出したキャップ層９をエッチング除去する工程と、絶縁膜マスクパターン１６から露出しているキャップ層９の側壁を酸化する工程と、エッチングストップ層６に達するまでエッチングを行ってリッジを形成する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）