【課題】リッジ部を形成するためのエッチングの際にＧａＡｓキャップ層の側壁にサイドエッチングが進行することを防止できる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、半導体基板２上にｎクラッド層３と、活性層４と、第１ｐクラッド層５と、エッチングストップ層６と、第２ｐクラッド層７と、キャップ層９とを順次積層して形成する工程と、キャップ層９の一部を除去した開口部１０ＡにＺｎＯ層１１を形成して窓領域を形成する工程と、開口部１０Ａからキャップ層９上にかけてストライプ状の絶縁膜マスクパターン１６を形成し、絶縁膜マスクパターン１６から露出したキャップ層９をエッチング除去する工程と、絶縁膜マスクパターン１６から露出しているキャップ層９の側壁を酸化する工程と、エッチングストップ層６に達するまでエッチングを行ってリッジを形成する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】主としてＦＦＰに優れた半導体レーザ素子を得ること課題とする。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る半導体レーザ素子１００は、窒化物半導体からなる下部コンタクト層１０１と、窒化物半導体からなりＩｎを含む第１層１０２ａと窒化物半導体からなりＩｎを含まない第２層１０２ｂとを含む超格子構造であると共に暗色領域を有する光吸収層１０２と、窒化物半導体からなる活性層１０７と、窒化物半導体からなる上部コンタクト層１１１と、を順に備える。 （もっと読む）

【課題】偏光度を高めることが可能な構造を有する窒化ガリウム系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】発光ダイオード１１ａは、半導体領域１３と、ＩｎＧａＮ層１５と、活性層１７とを備える。半導体領域１３は半極性を示す主面１３ａを有し、ＧａＮまたはＡｌＧａＮからなる。半導体領域１３の主面１３ａは、該主面１３ａにおける［０００１］軸方向の基準軸Ｃｘに直交する平面Ｓｃに対して角度αで傾斜する。半導体領域１３の厚さＤ_１３はＩｎＧａＮ層１７の厚さＤ_{ＩｎＧａＮ}より大きく、ＩｎＧａＮ層１５の厚さＤ_{ＩｎＧａＮ}は１５０ｎｍ以上を有する。ＩｎＧａＮ層１５は半導体領域１３の主面１３ａの直上に設けられて、主面１３ａに接している。活性層１７は、ＩｎＧａＮ層１５の主面１５ａ上に設けられ、この主面１５ａに接触している。活性層１７は、ＩｎＧａＮ井戸層２１を含む。 （もっと読む）

【課題】半極性面を主面とするＧａＮ基板を用いた場合でも容易に作製することができ、かつ低閾値電流となる窒化物半導体レーザ素子、それを用いた光源装置およびその窒化物半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】｛２０−２１｝面を第１の主面とする窒化ガリウム基板と、窒化ガリウム基板の第１の主面に接して設けられた窒化物半導体厚膜と、窒化物半導体厚膜上に設けられた窒化物半導体レーザ素子層とを備え、窒化物半導体厚膜は、窒化物半導体厚膜の主面である｛２０−２１｝面と８９．９５°以上９０．０５°以下の角度を為す範囲内に｛−１０１７｝面を有する窒化物半導体レーザ素子、それを用いた光源装置およびその窒化物半導体レーザ素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】光閉じ込め性の低下を縮小しながら駆動電圧の低減を可能にする窒化物半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体領域１９では、発光層１３の活性層２５、第１のクラッド領域２１及び第２のクラッド領域２３は主面１７ａ上に設けられる。第２のクラッド領域２３は、第１ｐ型III族窒化物半導体層２７及び第２ｐ型III族窒化物半導体層２９を含む。第１ｐ型III族窒化物半導体層２７はＩｎＡｌＧａＮ層からなり、第２ｐ型III族窒化物半導体層２９は該ＩｎＡｌＧａＮ層と異なる半導体からなる。このＩｎＡｌＧａＮ層は非等方的な歪みを内包する。第１ｐ型III族窒化物半導体層２７は第２ｐ型III族窒化物半導体層２９と活性層２５との間に設けられる。第２ｐ型III族窒化物半導体層２９の比抵抗ρ２９は第１ｐ型III族窒化物半導体層２７の比抵抗ρ２７より低い。 （もっと読む）

【課題】ｍ面基板上で結晶成長させたＧａＮ系半導体素子におけるＡｇ電極の凝集による反射率低下を抑制する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法は、成長面がｍ面であるｐ型Ａｌ_dＧａ_eＮ層２５を有する窒化物系半導体積層構造２０を形成する工程（ａ）と、ｐ型Ａｌ_dＧａ_eＮ層２５の成長面１３に接するＡｇ電極３０を形成する工程（ｂ）と、を含み、前記工程（ｂ）は、厚さが２００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下のＡｇ電極３０を形成する工程（ｂ１）と、Ａｇ電極３０を４００℃以上６００℃以下に加熱する工程（ｂ２）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】コア層に印加される電界の均一性を向上する量子カスケード半導体レーザを提供する。
【解決手段】量子カスケード半導体レーザ１は、主面１０ａと裏面１０ｂと裏面１０ｂに設けられた凹部５０とを有する半導体基板１０と、主面１０ａに設けられた半導体領域２０と、半導体領域２０上において一方向に延在するリッジ部３０と、リッジ部３０に沿って設けられた上部電極Ｅ１と、裏面１０ｂに設けられた下部電極Ｅ２と、を備え、半導体領域２０は、下部クラッド層２１と、コア層２３と、上部クラッド層２５とを含み、各層は主面１０ａの法線軸ＮＶに沿って順に配列されており、下部クラッド層２１の導電型は、上部クラッド層２５の導電型と同じであり、凹部５０は、裏面１０ｂにおいて、リッジ部３０に対応する位置に設けられており、下部電極Ｅ２は、凹部５０に設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】温度特性が良く、高速変調が可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】InP基板上の半導体量子井戸構造を活性層とする半導体レーザにおいて、井戸層にはSbを含まないInGaAsPまたはInAsPまたはInGaAsのいずれかを用い、障壁層にはSbを含むInGaPSbまたはInGaAsPSbのいずれかを用いる。このように障壁層にのみSbを含むため、伝導体のバンド不連続を大きくしても、従来の材料よりも価電子帯のバンド不連続を小さくでき、井戸層の数を増加させた際の正孔と電子の不均一な分布の発生を避けることが可能となり、温度特性の改善や高速変調を実現できる。 （もっと読む）

【課題】エージング後のＣＯＤレベルを向上することができる窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】光出射部にコート膜が形成されている窒化物半導体発光素子であって、光出射部は、窒化物半導体からなり、コート膜は、アルミニウムの酸窒化物からなり、厚さ方向に酸素の含有量が異なる窒化物半導体発光素子である。 （もっと読む）

【課題】
歪みの点から、光半導体装置の偏光無依存性、発光波長ないし吸光波長の長波長化に改良を与える。
【解決手段】
光半導体装置は、第１の格子定数を有する半導体基板と、半導体基板上方に形成され、第１の格子定数より大きな第２の格子定数を有する量子ドットと、半導体基板上方で量子ドットの側面を囲み、第１の格子定数より小さな第３の格子定数を有するサイドバリアと、半導体基板上方で量子ドット及びサイドバリアに接して形成され、第１の格子定数より大きく、前記第２の格子定数より小さな第４の格子定数を有する第１の歪み緩和層と、を有する。 （もっと読む）