【課題】ウェハの中央部と周辺部とで主表面のオフ角がばらつく基板を用いる場合にも、発光効率がばらつくことを抑制することが可能な窒化物系半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子１００（窒化物系半導体レーザ素子）は、ｎ型ＧａＮ基板１と、活性層１３を有しｎ型ＧａＮ基板１の主表面１ａ上に形成された半導体素子層１０とを備える。半導体素子層１０は、結晶成長面がａ軸方向（［１１−２０］方向）に沿った方向にオフ角度を略有しない主表面（バッファ層１１の主表面１１ｃなど）を有する素子層領域１０ａと、結晶成長面が［１１−２０］方向に沿った方向にオフ角度を有する主表面（主表面１１ｄなど）を有する素子層領域１０ｂとを含み、半導体素子層１０の素子層領域１０ａに、リッジ部３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】複数の井戸層がバリア層を介して積層されてなる活性層を有しつつ動作電圧を低減することが可能な窒化ガリウム系半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ１は、半極性主面である表面１０ａを有する半導体基板１０と、表面１０ａ上に配置された下部光ガイド層２０ｄと、下部光ガイド層２０ｄ上に配置されると共に５１０〜５５０ｎｍの光を発生可能な量子井戸構造を有する活性層３０と、を備え、量子井戸構造が、ＩｎＧａＮからなる井戸層３０ａと、井戸層３０ａ上に配置されると共に窒化ガリウム系半導体からなるバリア層３０ｂと、バリア層３０ｂ上に配置されると共にＩｎＧａＮからなる井戸層３０ｃと、を有し、バリア層３０ｂのバンドギャップが下部光ガイド層２０ｄのバンドギャップより小さい。 （もっと読む）

【課題】発振歩留まりを改善可能な構造のIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】第１及び第２の割断面２７、２９の各々には、支持基体１７の端面１７ｃ及び半導体領域１９の端面１９ｃが現れる。レーザ構造体１３は第１及び第２の面１３ａ、１３ｂを含み、第１の面１３ａは第２の面１３ｂの反対側の面である。第１及び第２の割断面２７、２９の各々は、第１の面１３ａのエッジから第２の面１３ｂのエッジまで延在する。半導体領域１９はＩｎＧａＮ層２４を含む。半導体領域１９は、ＩｎＧａＮ層２４を含むことができる。割断面２９は、ＩｎＧａＮ層２４の端面２４ａに設けられた段差２６を含む。段差２６は、当該III族窒化物半導体レーザ素子１１の一方の側面２２ａから他方の側面２２ｂへの方向に延在する。段差２６は、割断面２７、２９において、ＩｎＧａＮ層２４の端面２４ａの一部分又は全体的に形成されることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザと半導体マッハツェンダ変調器とを集積した光集積回路において、小型化および低消費電力化を図ること。
【解決手段】波長可変ＤＦＢレーザアレイの一端に第１の光導波路、他端に第２の光導波路が接続され、第１の光導波路に第１の半導体マッハツェンダ変調器、第２の光導波路に第２の半導体マッハツェンダ変調器が接続されている。半導体レーザのメサ構造の配置方向は、メサ構造の側面への再成長に最適な方向であり、半導体マッハツェンダ型変調器が有する２本のアーム導波路の配置方向は、２本のアーム導波路に対するポッケルス効果が最大となる方向とする。加えて、本実施形態に係る光集積回路では、半導体レーザの共振器構造を、その両端における光出力が等しくなるように対称に構成し、一方からの光出力を破棄することなく、ともに半導体マッハツェンダ変調器に入力する。 （もっと読む）

【課題】発振歩留まりを改善可能な構造のIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】第１及び第２の割断面２７、２９の各々には、支持基体１７の端面１７ｃ及び半導体領域１９の端面１９ｃが現れる。レーザ構造体１３は第１及び第２の面１３ａ、１３ｂを含み、第１の面１３ａは第２の面１３ｂの反対側の面である。第１及び第２の割断面２７、２９の各々は、第１の面１３ａのエッジから第２の面１３ｂのエッジまで延在する。半導体領域１９はＩｎＧａＮ層２４を含む。半導体領域１９は、ＩｎＧａＮ層２４を含むことができる。割断面２９は、ＩｎＧａＮ層２４の端面２４ａに設けられた段差２６を含む。段差２６は、当該III族窒化物半導体レーザ素子１１の一方の側面２２ａから他方の側面２２ｂへの方向に延在する。段差２６は、割断面２７、２９において、ＩｎＧａＮ層２４の端面２４ａの一部分又は全体的に形成されることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体光装置の特性劣化や信頼性低下を抑制した半導体光装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明に係る半導体光装置の製造方法は、活性層を形成する活性層形成工程と、該活性層形成工程後に、リン系ＩＩＩ−Ｖ族半導体層を形成する活性層保護膜形成工程と、該活性層保護膜形成工程後に酸化シリコン系又は窒化シリコン系の膜を形成するシリコン系膜形成工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、波長１０μｍを超える遠赤外領域の光を放射する高出力の半導体発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置は、複数の量子井戸のサブバンド間における電子のエネルギー緩和により発光光を放射する半導体発光装置であって、前記発光光の放射方向に対して平行な方向に延在するストライプ状に設けられ、前記複数の量子井戸を含み１０μｍ以上の波長の前記発光光を放射する活性層と、前記ストライプ状の活性層の長辺に沿って少なくとも前記活性層の上下に設けられ、前記活性層よりも屈折率が低い１対のクラッド層と、を備え、前記クラッド層の少なくとも一部は、前記活性層と格子定数が異なる材料を含み、前記活性層に格子整合する材料を含む他の部分よりも前記発光光の波長における光吸収が相対的に低いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】十分な光出力が得られる窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型窒化物半導体を有する第１クラッド層１３と、第１クラッド層１３上に形成され、Ｉｎを含む窒化物半導体を有する活性層１４と、活性層１４上に形成されたＧａＮ層１７と、ＧａＮ層１７上に形成され、第１のＡｌ組成比ｘ１を有する第１ＡｌＧａＮ層１８と、第１ＡｌＧａＮ層１８上に形成され、第１のＡｌ組成比ｘ１より高い第２のＡｌ組成比ｘ２を有し、且つＧａＮ層１７および第１ＡｌＧａＮ層１８より多量にＭｇを含有するｐ型第２ＡｌＧａＮ層１９と、第２ＡｌＧａＮ層１９上に形成され、ｐ型窒化物半導体を有する第２クラッド層２０と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】可飽和吸収領域に損傷が発生し難い構成、構造を有するバイ・セクション型のＧａＮ系半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子は、発光領域及び可飽和吸収領域を構成する第３化合物半導体層と第２化合物半導体層が積層されて成り、リッジストライプ構造を有する積層構造体、第２電極並びに第１電極を備え、第２電極は、発光領域に直流電流を流す第１部分と可飽和吸収領域に電界を加えるための第２部分とに分離溝によって分離されており、リッジストライプ構造の両側には第２化合物半導体層露出領域が設けられており、発光領域を構成する第３化合物半導体層の部分から第２化合物半導体層露出領域の頂面までの平均距離をＬ_1-ave、第２電極の第２部分と分離溝との境界において第３化合物半導体層の部分から第２化合物半導体層露出領域の頂面までの距離をＬ₂としたとき、１＜Ｌ₂／Ｌ_1-aveを満足する。 （もっと読む）

【課題】クラックの発生が抑制された窒化物半導体層を有する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子の製造方法は、ＧａＮ基板１１を準備する工程と、前記ＧａＮ基板上に、ＧａＮと材料の異なる窒化物半導体からなるバッファ層１２を部分的に形成する工程と、前記バッファ層から前記ＧａＮ基板が露出された第１領域、および、前記バッファ層が形成された第２領域にＧａＮを成長させてＧａＮ層を形成する工程と、前記ＧａＮ層上に窒化物半導体層を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）