【課題】高い発振周波数で動作する場合であっても、十分なストリップライン長を確保することができ、製造誤差によるバラつきを防止すると共に、Ｑの低下を防止すること。
【解決手段】発振器１０は、発振トランジスタ２と、前記発振トランジスタ２のベース−エミッタ間に設けられる第１の帰還コンデンサ４と、前記発振トランジスタ２のコレクタ−エミッタ間に設けられる第２の帰還コンデンサ５と、前記発振トランジスタ２のベースに一端が接続される共振用ストリップライン１３と、前記発振トランジスタ２のエミッタ−グラウンド間に設けられるトラップ回路２０と、を備え、前記共振用ストリップライン１３は、発振周波数において高次共振モードとなる長さを有し、前記トラップ回路２０は、前記高次共振モードより低次側の低次共振モードに相当する周波数の信号を減衰させるものである。 （もっと読む）

【課題】双方の信号線路の遅延を容易に一致させることができると共に、不要信号を相殺することができる。
【解決手段】この電圧制御発振回路は、発振回路部１と、発振信号を分岐すると共に互いに位相の反転した第１及び第２の信号を別々に出力する出力分波回路２と、出力分波回路２の出力段に並列に接続され同一構成を有し、トラップ周波数が異なるトラップ回路３、４と、トラップ回路の出力を合成する出力再合成回路とを備える。発振回路部１の電圧制御信号をトラップ回路３、４のバラクタダイオード３２，３４に印加してトラップ回路３、４のトラップ周波数を発振周波数に連動させる。 （もっと読む）

【課題】
発振周波数の可変幅が大きく、信号固定迄の引込み時間が早い静磁波発振装置を提供する。
【解決手段】
磁束密度により共振周波数が変化する共振器５と、該共振器と対向する位置にある永久磁石６と、該永久磁石を囲むコイル９，１１とを具備し、前記共振器と前記永久磁石の間には空間７が形成され、該空間に強磁性体の金属板１６が設けられ、該金属板は前記永久磁石と当接される。
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【課題】 高周波の発振器において、プロセスバラツキにより発振周波数が仕様範囲から外れてしまう問題がある。通常はトリミング等により周波数調整を行う方法がある。しかし、高周波発振器を樹脂で封止するトリミングを行うことはできない。さらに、樹脂により寄生容量が変化してしまうため樹脂封止前後で発振周波数が変化してしまうため、別の方法による周波数調整方法が必要となる。
【解決手段】 同一基板上に発振器を複数設けて、それぞれの発振周波数が異なるようにする。また、各発振器を外部からの印加電圧によって発振/停止を制御できるようにして、複数の発振器の中から最適な発振器一台のみを発振させる。 （もっと読む）

【課題】 位相雑音特性を改善すると共に周波数可変幅を広くすることができる低雑音電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】 振動素子とコンデンサ２がトランジスタ１のコレクタＣとエミッタＥとの間に直列に接続され、コレクタＣとエミッタＥとの間にコンデンサ３，４が直列に接続され、コンデンサ３，４の間の電位がトランジスタ１のベースＢに印加され、コレクタＣとコンデンサ４との間に１ポート回路６が設けられ、コンデンサ３，４に並列に補正用コンデンサ５を接続し、１ポート回路６が、容量を小さく設定できる可変キャパシタと、インダクタンスの値を大きく設定できるインダクタとを備えてインピーダンスの値を比較的大きく設定する同調回路である低雑音電圧制御発振器である。 （もっと読む）

【課題】低位相雑音の電圧制御発振器を実現する。
【解決手段】バラクタ２および制御電圧端子３を含む可変共振器を備えた電圧制御発振器であって、当該可変共振器に対して、並列に、長くとも高調波信号の波長の１／４の奇数倍に高調波信号の波長の１／１６を加算した長さであり、短くとも高調波信号の波長の１／４の奇数倍に高調波信号の波長の１／１６を減算した長さを有する先端開放スタブ５を接続している。この構成により、基本波周波数においては、基本波信号は先端開放スタブ５およびバラクタ２の両者へ伝播するため、高いＱ値を実現でき、一方、高調波周波数において、先端開放スタブ５は短絡負荷を有し、高調波信号は全て先端開放スタブ５へと伝播するため、高調波信号による制御電圧Ｖｔの変動が抑制される。 （もっと読む）

【課題】発振周波数の調整および制御を容易に行ない、かつ生産コストの増大を防ぐことが可能な誘電体発振器、低雑音ダウンコンバータおよびアンテナ装置を提供する。
【解決手段】誘電体発振器１０１は、第１のマイクロストリップライン６１に接続された制御電極と、第２のマイクロストリップライン６２に接続された導通電極とを有するトランジスタＴＲと、第１および第２のマイクロストリップライン６１，６２を磁気的に結合する誘電体共振器ＤＲと、第１のマイクロストリップライン６１に結合され、発振周波数を制御するための制御電圧が供給される第１の可変容量素子Ｄ１と、少なくとも第１のマイクロストリップライン６１によって形成され、第１の可変容量素子Ｄ１と第１のマイクロストリップライン６１との間の直流電圧の伝達を遮断する直流遮断部とを備える。 （もっと読む）

【課題】分配器を用いることなく、位相同期した多数の発振信号を供給すること。
【解決手段】発振信号の位相差が９０度である４位相の同一周波数の発振信号を出力する位相同期発振器アレイである。複数の閉線路２１〜２３から成る複数のリング共振器と、閉線路の全長を１／４分割した位置に設けられた４つのポート２１ａ〜２１ｄのうち隣接する２つのポート２１ｂ、２１ｃと、この閉線路２１に隣接する閉線路２２の隣接する２つのポート２２ａ、２２ｄ間を、それぞれ、負性抵抗として、接続する差動発振器３１ａ、３１ｂと、少なくとも何れか１方の端部に配置される閉線路２１において、その閉線路の４つのポートのうち、差動発振器が接続されていない２つのポート２１ａ、２１ｄに対して、９０度の位相差を有した信号を励振する励振装置３０とを有する。 （もっと読む）

【課題】偶数次の高調波と基本波の電力比を大きくすることができる高周波発振源を得ることを目的とする。
【解決手段】発振周波数の基本波ｆ₀で発振動作を行う発振回路１の出力端子のインピーダンスが発振周波数の基本波ｆ₀でショートであり、出力回路２の入力端子のインピーダンスが発振周波数の基本波ｆ₀でショートであるように構成する。これにより、出力回路２から出力される２倍波２ｆ₀と基本波ｆ₀の電力比を大きくすることができる効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】温度信号の製造バラツキが小さく、高精度の温度信号を生成可能な電子回路を提供すること。
【解決手段】本発明は、ピンチオフ状態にせしめられる第１ＦＥＴ（ＦＥＴ１）と、第１ＦＥＴのソース端子Ｓ１に接続されてなる温度信号Ｖｔｅｍｐを出力する温度信号出力端子と、を具備する電子回路である。本発明によれば、ピンチオフ状態のＦＥＴのソース端子から出力される温度信号を用いることにより。製造ばらつきの小さい温度信号を得ることができる。
である。 （もっと読む）