変換器（１）は、縦方向に長さ（ｌ）で延びる導電性共振器要素（２０）を含む。共振器要素（２０）は、弾性変形が長さの変化分（ｄｌ）を含むように、導電性アクチェータ（３０）によって弾性的に変形することができる。共振器要素（２０）は、電気的に第１のコンタクト領域（２５）および第２のコンタクト領域（２６）に接続され、それによって回路が構成される。この回路では、共振器要素（２０）が、長さ（ｌ＋ｄｌ）の関数であるオーミック抵抗値（Ｒ）を有する抵抗を構成する。変換器（１）は、抵抗値（Ｒ）の関数である電気信号を供給するために、回路に電気的に接続された測定ポイント（２８）をさらに含む。
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【課題】 論理演算により高精度に温度補償を行える温度補償回路を備えた温度補償発振回路を提供する。
【解決手段】 温度補償回路を備えた温度補償発振回路は、圧電振動子１２の周囲温度を測定し、当該測定結果をディジタル信号で出力する温度検出部２２と、前記ディジタル信号を論理演算し、当該演算結果を前記圧電振動子１２の周波数温度特性を補償する補償信号として出力する変換処理部２８と、所定の周波数で発振する前記圧電振動子１２と、前記補償信号に応じて素子値を変化させて前記圧電振動子１２の発振周波数を調整する周波数調整手段とを備えた構成である。 （もっと読む）

【課題】水晶基板を用いたＳＡＷデバイスにおいて、容量比γを小さくし、周波数制御性を高めたＳＡＷデバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】圧電基板１は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｚ軸より反時計方向に−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°にした水晶平板であり、励振する弾性表面波はＳＨ波である。また、ＩＤＴ２及びグレーティング反射器３ａ、３ｂはＡｌ又はＡｌを主成分とする合金からなり、弾性表面波の波長λで基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２に設定する。そして、前記ＩＤＴを構成する電極指のライン占有率ｍｒを電極指幅／（電極指幅＋電極指間スペース）とした時に、前記ライン占有率ｍｒを０．５３≦ｍｒ≦０．６５、又は０．５５≦ｍｒ≦０．６８に設定する。 （もっと読む）

本発明は、２つのワンポート表面波共振器を周波数規定エレメントとして含む発振器に関するものである。本発明の基礎とする課題は、音響表面波共振器を周波数規定エレメントとして含む公知の形式の発振器を改善し、それぞれの温度で調整される発振器周波数のパラメータ｜Ｓ２１｜が僅かしか温度に依存しないようにすることである。本発明による発振器は、所定の温度を基準にして、２つのワンポート表面波共振器（２，３；１２，１３；４２，４３）の同期周波数の一次の温度係数が異なる符合を有するか、またはゼロであり、２つのワンポート表面波共振器の同期周波数の二次の温度係数が同じ符合を有する。２つのワンポート表面波共振器からなる回路は双極子または四極子である。変換器相互のアパーチャ比および櫛の歯数比は、発振器の使用温度領域において温度が発振器周波数に及ぼす影響が最小であるように選択されている。
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【課題】回路要素の配置も考慮に入れることで、発振器自体の小型化並びに該発振器を実装した電子機器の小型化をさらに促進させる。
【解決手段】発振器１０は、複数の誘電体層が積層されて構成された誘電体基板３０に、少なくとも位相器１２と、電力分配器１８とを有する発振器であって、誘電体基板３０内に、位相器１２のカプラ２０を構成する複数の電極が形成された第１の形成領域Ａ１と、位相器１２の反射回路２２を構成する複数の電極が形成された第２の形成領域Ａ２と、電力分配器１８を構成する複数の電極が形成された第３の形成領域Ａ３とを有し、第１の形成領域Ａ１、第２の形成領域Ａ２及び第３の形成領域Ａ３が、それぞれ平面的に分離した位置に配置されている （もっと読む）

【目的】
水晶振動子の位相特性に影響されず、またQ値が低く、直列抵抗の大きな水晶振動子を用いても安定な発振周波数を得ることができる発振器を提供する。
【構成】
コイルとコンデンサからなる共振回路で発振する発振回路の発振ループに発振周波数に等しい共振周波数の共振器を介挿した構成とする。また、コイルとコンデンサからなる共振回路で発振するエミッタ接地のコルピッツ発振回路の分割コンデンサの直列接続点とエミッタとの間に水晶振動子を介挿した構成とする。 （もっと読む）

【課題】 記憶部の記憶容量を小さくしても高精度に温度補償が行える温度補償回路を備えた発振回路を提供する。
【解決手段】 発振器１０は、圧電振動子１２の周囲温度の測定結果をディジタル信号で出力する温度検出部２２と、前記ディジタル信号を論理演算して動作温度範囲を複数の領域に分割し、前記圧電振動子の周波数温度特性の接線の傾きが零になる温度を含む前記領域では複数の前記ディジタル信号の入力値に対して１のアドレス値を出力し、他の前記領域では１の前記ディジタル信号の入力値に対して１のアドレス値を出力する変換論理回路３０と、予め前記アドレス値と周波数調整素子の調整値とを対応付けたものを記憶し、前記記憶に基づいて入力した前記アドレス値に応じた前記調整値を出力する記憶部２８と、所定の周波数で発振する圧電振動子１２と、前記調整値に応じて素子値が調整される周波数調整素子とを備えた発振回路１４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板のＩＣ形成層に積層して弾性表面波素子を備えた弾性表面波装置において、ＩＣと弾性表面波素子の間の素子分離をし、ノイズの発生を防止する弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板１０と、半導体基板１０に形成されたＩＣ形成層１１と、ＩＣ形成層１１に積層された反射層２０と、反射層２０上に形成された圧電薄膜層３０と、圧電薄膜層３０上に形成された弾性表面波素子３１とを備え、反射層２０で弾性表面波素子３１から励振される弾性波を反射させるために、反射層２０の厚さｄ１を、弾性波が反射層２０を伝搬するときの波長の１／４の厚さに形成する。 （もっと読む）

【課題】 良好な圧電特性を有する圧電体膜を提供する。
【解決手段】 本発明に係る圧電体膜は，
ペロブスカイト型の圧電体膜であって、
擬立方晶（１００）に優先配向しており、
モノクリニック構造（図のＭで示される領域）を有し、
分極軸方向は、擬立方晶＜１１１＞方向と，擬立方晶＜１００＞方向との間である。 （もっと読む）

【課題】 反射形アナログ移相器の制御電圧に対する周波数可変幅の直線性を確保しつつ、部品点数の削減を図る。
【解決手段】 第２ポートＰ２にそれぞれ接続される付加制御部４ｂのキャパシタＣ５と３ｄＢ９０°ハイブリッドカプラ４ａのキャパシタＣ４とを共有化するとともに、第３ポートＰ３にそれぞれ接続される付加制御部４ｂのキャパシタＣ７と３ｄＢ９０°ハイブリッドカプラ４ａのキャパシタＣ２とを共有化することにより、３ｄＢ９０°ハイブリッドカプラ４ａの第２ポートＰ２および第３ポートＰ３にそれぞれ接続される付加制御部４ｂのキャパシタＣ５、Ｃ７を除去し、付加制御部４ｂのキャパシタＣ５、Ｃ７を除去した時の３ｄＢ９０°ハイブリッドカプラのキャパシタＣ４、Ｃ２の容量は、付加制御部４ｂのキャパシタＣ５、Ｃ７を除去する前の容量の１．４倍とする。 （もっと読む）