【課題】 １つのＳＡＷ素子で周波数の異なる複数の弾性表面波を励起させることができるＳＡＷ素子を提供する。
【解決手段】 上記課題を達成するためのＳＡＷ素子は、１つの圧電基板１２の一主面に複数対並設され、パターン電極によって構成された反射器１４と、各対をなす前記反射器１４間のそれぞれに設けられた相互に独立した一対の櫛歯状電極から成り、各対間の前記櫛歯状電極の電極指が対応して形成された櫛歯状電極トランスデューサ１６と、を有し、前記櫛歯状電極トランスデューサ１６には各々に独立した一対の高周波信号入出力端子を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 複数の周波数帯での通信を１つの送信機、又は受信機で選択的に切り替えて行うことができる送受信機を提供する。
【解決手段】 上記課題を達成するための送信機は、送信信号を出力するための発振器２０と、前記発振器からの出力信号を電波として放出するためのアンテナ４４とを備える送信機である。前記発振器２０は、１つの圧電基板の一主面に、並列配置した複数のＩＤＴを有するＳＡＷ素子と、前記弾性表面波素子に配設された複数のＩＤＴと並列接続した増幅器と、前記増幅器と前記ＩＤＴとの間に設けられ、前記増幅器と前記複数のＩＤＴの中から選択されたものとを並列に接続する接続切替回路と、を備える発振装置２０ａと、入力された信号に従って前記接続切替回路の接続切り替え制御を行うモード切替制御部２６と、前記発振装置からの出力信号を、入力された出力制御信号に従って振幅変調するための出力制御部４０とを有することを特徴とする。また、受信機は、前記発振装置を局部発振器に備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 １つの発振装置にて、周波数の異なる複数の高周波信号を出力することができる発信装置を提供する。
【解決手段】 上記課題を達成するための発振装置は、１つの圧電基板の一主面に、パターン電極によって構成される複数の対を成す反射器と、２つの櫛歯状電極の対から構成され、前記対を成す反射器の間毎に配設され、個々の櫛歯状電極の電極指が同一線上となるように、近接させて並列配置した櫛歯状電極トランスデューサと、を有する弾性表面波素子１０と、前記弾性表面波素子に配設された複数の櫛歯状電極トランスデューサ１６ａの１つと並列接続した増幅器２２と、前記増幅器と前記弾性表面波素子に配設された他の複数の櫛歯状電極トランスデューサとの間に設けられ、前記他の複数の櫛歯状電極トランスデューサから選択された連続する任意の数を前記増幅器に並列接続可能な接続切替回路と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 表面弾性波（ＳＡＷ）素子を用いた可変遅延型発振器のチップサイズが小さくなると寄生容量などを介して発振起動時の出力駆動回路の出力側のノイズがその入力側や発振ループに取り込まれ、異常発振するおそれがあるので、その異常発振を抑えること。
【解決手段】 ＳＡＷ素子と入力信号に基づいて位相を変える可変位相回路とを含む発振ループと、この発振ループの１接点を出力として外部回路を駆動するための出力駆動回路とにより可変遅延型発振器を構成し、前記出力駆動回路としてヒステリシスコンパレータを用いる。あるいは動作制御回路により電源電圧を監視し、前記電源電圧が予め設定した設定電圧以上になったときに当該出力駆動回路に動作可能レベルの電圧を供給するようにする。 （もっと読む）

【課題】 良好な圧電特性を有する圧電素子を提供する。
【解決手段】 本発明に係る圧電素子１は，
基板２と、
基板２の上方に形成されたバッファ層５と、
バッファ層５の上方に形成された、ペロブスカイト型構造を有する圧電体層６と、を含み、
バッファ層５は、導電性を有し，ｃ軸（００１）に優先配向しているビスマス系層状ペロブスカイト構造化合物からなる。 （もっと読む）

【課題】 実装面積の増大を抑制しつつ、小型化され温度変化による発振周波数変動を低減させることが可能な、ＳＡＷ発振器を提供する。
【解決手段】 半導体基板２１に回路形成領域２２と、半導体基板２１の表裏に弾性表面波装置Ｗ１，Ｗ２をそれぞれ備え、弾性表面波装置Ｗ１，Ｗ２は温度に対する周波数特性がそれぞれ異なり、弾性表面波装置Ｗ１，Ｗ２からの出力に基づいて、弾性表面波装置Ｗ１，Ｗ２が組み込まれた発振器の発振周波数を補正する発振周波数補正部としての温度補償回路を回路形成領域２２に構成する。 （もっと読む）

縦モード共振器は、基板と、基板に対してつり下げられたバーを備える。バーは、バーの厚みを横切る電界の印加に応答して、長手方向に自由に膨張及び収縮するようにつり下げられる。バーの膨張と収縮により、バーの基本周波数にほぼ等しい周波数を有する電界に応答して共振が生じる。 （もっと読む）

【課題】 良好な圧電特性を有する圧電素子を提供する。
【解決手段】 本発明に係る圧電素子１は，基板２と、基板２の上方に形成されたバッファ層５と、バッファ層５の上方に形成された、ペロブスカイト型構造を有する圧電体層６と、を含み、バッファ層５は、ｃ軸（００１）に優先配向しているＹＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_７−δからなり、δは，０≦δ≦０．６の範囲である。 （もっと読む）

【課題】 小型化および低消費電力化を促進しつつ、外気温の変化に対する周波数安定性を向上させる。
【解決手段】 半導体チップ４には、弾性表面波装置１１、弾性表面波装置１１が組み込まれた発振ループを構成する発振回路１２および弾性表面波装置１１を含む発振回路１２の温度を制御する温度制御回路１３が設けられ、発振回路１２の定常動作時において、発振回路１２からの発熱量と容器１から放出される放熱量とが使用温度範囲内で平衡するように構成された容器１に半導体チップ４を封入するとともに、外気温が下がった時に、発振回路１２が発生する発熱量の不足分が補われるようにヒータ１３ｃを動作させることで、発振回路１２の温度を一定に保つようにする。 （もっと読む）

【課題】 部品点数を削減して回路規模を小型化することを可能にするクロック発振器を提供する。
【解決手段】 トランジスタＱ１のコレクタとエミッタとの間に流れる直流電流Ｉ１が低周波信号で変調されているため、クロック発振回路２ではノードＷ４に低周波信号で変調された電圧、つまり、低周波発振回路３の発振信号に応じて変化する直流電圧が発生する。可変容量ダイオードＶＤのアノードは、この変調された電圧が生じる点に接続される。可変容量ダイオードＶＤのアノードに外部から低周波信号が印加されていないにも関わらず、信号ＲＦに低周波発振回路３の信号で変調をかけることができる。よって、可変容量ダイオードＶＤに低周波信号を入力するための結合コンデンサが不要になり、部品点数を削減することができる。 （もっと読む）