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国際特許分類[H03B5/30]の内容

国際特許分類[H03B5/30]の下位に属する分類

圧電気振動子であるもの (2,069)
磁わい振動子であるもの (1)
周波数決定素子がブリッジ回路を経て,信号が伝送される閉リングに結合されているもの

国際特許分類[H03B5/30]に分類される特許

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【課題】 従来構造よりデバイスサイズが小型で、Q値が高く、周波数温度特性に優れたSAWデバイスで、且つ、横高次モードスプリアスレベルを抑制することができるSAWデバイスを提供する。
【解決手段】 回転Yカット水晶基板のカット角θを結晶Z軸より反時計方向に−64.0°<θ<−49.3°の範囲に設定した水晶基板1と、該水晶基板1上に形成されたAl又はAlを主成分とする合金からなるIDT2とを備え、弾性表面波の伝搬方向を結晶X軸に対して直交方向、励振される弾性表面波を水晶基板1の表面付近を伝搬するSH波とし、弾性表面波の波長λで基準化した電極膜厚H/λを0.04<H/λ<0.12に設定した弾性表面波デバイスにおいてIDT2にダミー電極11を設けるようにした。 (もっと読む)


【課題】製造コストを上昇させずに、簡単な構成で電極に不良が生じるのを未然に防ぐこ
とをができる振動片、振動子、発振器及び携帯電話装置を提供すること。
【解決手段】基部電極部140dが形成されている基部140と、この基部から突出して
形成される少なくとも1本の振動細棒120と、この振動細棒の表面130c及び/又は
裏面に形成されている溝電極部120dを有する溝部120aと、前記振動細棒の前記溝
部が形成されていない前記振動細棒の側面120bに形成されている側面電極部120e
と、前記基部電極部と前記溝電極部とを接続する溝電極用接続電極部142と、前記基部
電極部と前記側面電極部とを接続する側面電極用接続電極部141と、を有する振動片で
あって、前記振動細棒の表面及び/又は裏面には、前記側面電極用接続電極部と前記溝部
電極部及び/又は前記溝電極用接続電極部とが、短絡しないための接続電極配置部Dが形
成されていることで振動片100を構成する。 (もっと読む)


【課題】
小型・薄型化することに適し、SAW素子片への応力の伝播を抑制することができ、ICを実装する場合には、このICに物理的な負荷をかけること無くSAW素子片を実装することができるSAWデバイスを提供する。
【解決手段】
上記課題を解決するためのSAWデバイス110は、ベース116の底部にIC128を実装し、前記IC128の上部にSAW素子片112を実装するSAWデバイス110であって、前記IC128の上部空間に掛け渡され、板面に開口部122aを形成したTAB基板122を備え、前記SAW素子片112は、励振電極112aを前記開口部122aに対向させた状態で実装し、前記励振電極112aがベース116の上部開口部側を向くように配置する構成としたことを特徴とするものである。 (もっと読む)


【課題】 集積回路とSAW振動子とを半導体基板上に一体化した場合においても、チップ面積の増大を抑制しつつ、SAW振動子に直流電圧がかからないように集積回路とSAW振動子とを接続する。
【解決手段】 集積回路12から引き出されたパッド電極15a、15bを半導体チップ11に形成するとともに、半導体チップ11上には、パッド電極15a、15bにかかるように配置された薄膜圧電体13を積層し、薄膜圧電体13上には、IDT電極14a、14bからそれぞれ引き出されたパッド電極16a、16bをそれぞれ形成し、パッド電極16a、16bは、薄膜圧電体13を介してパッド電極15a、15bとそれぞれ対向するように配置する。 (もっと読む)


【課題】 実装面積の増大を抑制しつつ、周波数可変発振器に用いられる可変容量素子の大容量化を図る。
【解決手段】 周波数可変発振器には、帰還回路B11が形成された半導体チップ11が設けられるとともに、SAW振動子W11および可変容量コンデンサC11は半導体チップ11上に積層され、SAW振動子W11を構成する薄膜圧電体層14を用いることで、可変容量コンデンサC11を形成する。 (もっと読む)


【課題】 ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛膜とニオブ酸カリウム膜とが積層された圧電体膜積層体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る圧電体膜積層体100は、サファイア基板11と、サファイア基板11の上に形成されたニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛膜12と、ニオブ酸カリウム膜13と、を含む。 (もっと読む)


【課題】 電圧制御型発振器を構成することなく、温度変化による発振周波数変動の補償精度を向上させる。
【解決手段】 発振周波数f1+Δf1、f2+Δf2が互いに異なるSAW発振器S1、S2を温度補償型発振器に設けるとともに、SAW発振器S1、S2からそれぞれ出力された発振周波数f1+Δf1、f2+Δf2の信号を混合する混合器B1を設け、発振周波数f1+Δf1、f2+Δf2の信号を混合器B1に入力し、これらの発振周波数f1+Δf1、f2+Δf2の和(f1+Δf1+f2+Δf2)の信号と、これらの発振周波数f1+Δf1、f2+Δf2の差分((f1+Δf1)−(f2+Δf2))の信号を生成し、発振周波数f1+Δf1、f2+Δf2の差分((f1+Δf1)−(f2+Δf2))の信号を発振器出力としてローパスフィルタB2にて抽出する。 (もっと読む)


微小電気機械システム(MEMS)を基礎にした電気振動信号を生成するための電子デバイスを開示する。電子デバイスは、一般に基板(104)と、この基板(104)に対して移動可能な可動素子(102)と、アクチュエータ手段と、センサとを備える。アクチュエータ手段は、可動素子(102)の振動を誘導するために使用し、2個の誘導素子、すなわち基板(104)に固定して設けた第1誘導素子および可動素子(102)に固定して設けた第2誘導素子を備える。誘導された可動素子(102)の振動はセンサを用いて検知し、電気振動信号に変換する。この信号は増幅して少なくとも部分的にアクチュエータ手段の電力として使用することができ、これにより安定した共振周波数および一定の振幅を有する振動信号を得ることができる。異なるコンポーネントをチップ上に高度に集積することができる。
(もっと読む)


【課題】 ニオブ酸カリウムの薄膜を有するニオブ酸カリウム堆積体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係るニオブ酸カリウム堆積体100は、
R面サファイア基板11と、
R面サファイア基板11の上方に形成された、金属酸化物からなるバッファ層12と、
バッファ層12の上方に形成されたニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層13と、
ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層13の上方に形成された、ニオブ酸カリウム層14またはニオブ酸カリウム固溶体層と、
を含む。 (もっと読む)


【課題】 弾性表面波の生成に用いられる材料を変更することなく、弾性表面波装置の通過特性を向上させる。
【解決手段】 圧電体1の裏面に裏面電極2を形成するとともに、圧電体1上に弾性表面波Wを励振するIDT電極3を形成し、IDT電極3と裏面電極2との間に直流バイアス電源D1を接続し、圧電体1の深さ方向に電界Eを印加しながら、弾性表面波Wを圧電体1に励振させる。 (もっと読む)


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