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国際特許分類[H03B5/30]の内容

国際特許分類[H03B5/30]の下位に属する分類

圧電気振動子であるもの (2,069)
磁わい振動子であるもの (1)
周波数決定素子がブリッジ回路を経て,信号が伝送される閉リングに結合されているもの

国際特許分類[H03B5/30]に分類される特許

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タイミング発振器ならびにこれに関連する方法および装置が記述される。タイミング発振器は、主要素と、該主要素に結合された副要素とを持った機械的共振構造を備えることが可能である。タイミング発振器は、時間およびデータの同期目的のために、コンピュータおよび携帯電話機を含む多数の装置においてタイミング発振器が有効に使用されることを可能にする、非常に高い周波数で低い位相雑音を持った安定した信号を生成することができる。タイミング発振器によって生成される信号は、駆動回路および補償回路を使用して調節されることができる。
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【課題】ラム波の伝搬方向に垂直方向の振動漏れを抑圧するラム波型共振子を提供する。
【解決手段】ラム波型共振子1は、複数の電極指片それぞれを接続するバスバー電極の幅をWb、前記電極指片と前記バスバー電極との間の距離をWgと表したとき、Wgをx軸、幅Wbをy軸とする直交座標において、WgとWbとが共に、円の方程式(x−10)2+(y+12.7)2=192で表される円弧とWg≧1λ、Wb≧1λで囲まれる範囲と、座標(Wg,Wb)で表した場合に、J21、J22、J23、J24、J25、J26、J27、J28、J29、J30、J31、J32、J33、J34、J35、J36、J37、J38、J21で表される各座標を記載順序に直線で結び、前記直線で囲まれる範囲と、のいずれかにある。このことにより、水晶基板10の横方向外端部で発生する変位を抑制できる。 (もっと読む)


【課題】部品点数を少なくして製造コストを低減でき、低消費電力でジッタの影響を受け難い高性能のSAWセンサを提供する。
【解決手段】SAWセンサ11はSAWセンサ素子12とそれからの信号を処理するための集積回路13とを有する。SAWセンサ素子12は、片持ちに支持される圧電基板14が固定端側の厚板部16aと自由端側の厚板部16bとそれらの間の薄板部16cとを有する。薄板部には検出用SAW共振子17が、固定端側の厚板部には基準用SAW共振子18が、自由端側の厚板部16bには第1及び第2クロック用SAW共振子19,20が形成される。集積回路は、検出用及び基準用SAW共振子にそれぞれ接続した検出用及び検出用発振回路21,22と、第1及び第2クロック用SAW共振子19,20にそれぞれ接続した第1及び第2クロック用発振回路23,24と、それらに接続した周波数混合器29,32及び周波数検波部31とを有する。 (もっと読む)


【課題】微小な周波数調整が可能な電圧制御型発振器を提供する。
【解決手段】増幅器12と、前記増幅器12に対して帰還回路を構成する弾性表面波素子14と、前記帰還回路中に挿入され前記帰還回路内の位相を可変させる移相器16と、前記帰還回路中に挿入され前記帰還回路内の電力を分配して前記帰還回路外に出力する等分配器18と、を有する電圧制御型発振器であって、前記移相器16を構成するハイブリッドカプラ16aとバリキャップD1、D2との間に、オープンスタブSh5、Sh6がキャパシタとして接続されてなる。 (もっと読む)


【課題】小型、薄型の実現と、パッケージングが容易で、しかも、高信頼性を有する弾性表面波素子の製造方法を提供する。
【解決手段】弾性表面波素子10の製造方法は、半導体基板20の表面に櫛歯形状のIDT電極60が形成される弾性表面波素子10の製造方法であって、半導体基板20の能動面側表面に絶縁層21〜23を形成する工程と、絶縁層23の表面全体に基台層30を形成する工程と、基台層30の表面を平坦化処理する工程と、平坦化処理された基台層30の表面に圧電体51を形成する工程と、圧電体51の表面にIDT電極60を形成する工程と、基台層30の表面周縁部に、基台層30の表面からIDT電極60の表面までの高さよりも高く、圧電体51及びIDT電極60を取り囲むバンク41を形成する工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】加工後に周波数を調整できる単位共振子、単位共振子の調整方法、共振器、発振器、送受信回路を提供する。
【解決手段】基板と、固有の共振周波数で共振する振動部3と、振動部3において共振時に節領域となる位置を、振動部3の一方の側及び他方の側から支える支持部4a,4bと、支持部4a,4bを基板に固定する固定部5と、振動部3と支持部4a,4bとの接続部に印加される圧力を制御する圧力制御機構とを有する構成とする。 (もっと読む)


【課題】高い静電印加電圧を必要とすることなく、共振特性に優れたレゾネータを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置1は、圧電体層と圧電体層上に設けられた電極とを少なくとも含む多層薄膜による可動ダイアフラム部4が複数、半導体基板上に形成され、電極は、互いに異なる極性の電荷を発生する一対の電極(第1上部電極5、第2上部電極6)であり、複数の可動ダイアフラム部4のうちの任意の隣接する2つの可動ダイアフラム部4において、一方の可動ダイアフラム部4の一方の上部電極5と他方の可動ダイアフラム部4の他方の上部電極6とが電気的に接続され、隣接する2つの可動ダイアフラム部4において、電気的に接続された双方の上部電極5,6に同じ極性の電荷が発生するように複数の可動ダイアフラム部4が共振する。 (もっと読む)


【課題】安定した動作が可能な電圧制御型SAW発振器を提供する。
【課題の解決手段】電圧制御型SAW発振器は、SAW発振子を有する発振回路と、この発振回路に前記制御電圧を供給する温度補償電圧発生部とを備えてなり、温度補償電圧発生部は、SAW発振子の周囲温度を検出する温度検出部201と、この温度検出部201の出力電圧に応じた出力電流を生成する反転増幅回路202及び非反転増幅回路203と、これら増幅回路202,203の各出力電流から二乗特性で変化する電流を生成する一対の関数発生回路204,205と、これら各関数発生回路204,205で生成された電流を加算する加算部208と、この加算された二乗特性で変化する電流を上に凸の電圧に変換する電流―電圧変換回路209と、この変換された電圧から、弾性表面波発振子の周波数温度特性を示す二次関数と線対称な、下に凸の二乗特性で変化する制御電圧を生成する反転増幅回路210とからなる。 (もっと読む)


【課題】電極指の線幅が変動した場合における周波数変動量の差を少なくし、量産化に適した弾性表面波デバイスを提供する。
【解決手段】少なくともRayleigh型弾性表面波を励振させるための電極パターン14としてのIDT16を備え、前記弾性表面波のストップバンドの上限モードを励振させる弾性表面波デバイス10であって、IDT16を形成するための圧電基板12として、(φ,θ,ψ)で示すオイラー角表示で(0°,95°≦θ≦155°,33°≦|ψ|≦46°)のカット角で切り出された水晶基板を採用し、IDT16を構成する櫛歯状電極18(18a,18b)の電極指間に電極指間溝(溝28)を形成することで、溝28で挟まれた水晶部分を電極指台座30とし、電極指台座30の上面に電極指22が位置する構成としたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】整合回路を内蔵した小型の圧電発振器または送信機を提供する。
【解決手段】ICチップ40とSAW共振子10とがパッケージ29内に気密に収容されたSAW発振器1であって、SAW共振子10は、圧電基板11及び圧電基板11の表面に形成されたIDT電極12を有し、ICチップ40は、SAW共振子10を発振させる発振回路が形成されるとともに一方の主面43側に突部46が形成され、突部46の上面46aにSAW共振子10が接着剤97を介して固定され、突部46は、ICチップ40の一方の主面43側に形成された第1の絶縁膜42と、第1の絶縁膜42上に形成され、発振回路に接続される伸張コイル60と、第1の絶縁膜42上に形成され、伸張コイル60を覆う第2の絶縁膜50と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


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