【課題】 簡易な回路によりＭＥＭＳ振動子の温度補償を行い、かつ出力するクロックにジッタを有さない緩やかな補償処理を行い、基準周波数の基準値に対する変動範囲を上記デジタル処理と同等とするＭＥＭＳ発振器を提供する。
【解決手段】 本発明のＭＥＭＳ発振器は、ＭＥＭＳ振動子と、温度を測定し、該温度に比例する検出電圧を出力する温度測定部と、ＭＥＭＳ振動子の共振周波数の温度変化に対し、該温度変化と逆の共振周波数の変化を与えるバイアス電圧を、前記検出電圧に対応して前記ＭＥＭＳ振動子に与えるバイアス電圧制御回路とを有する。 （もっと読む）

【課題】電子装置の製造工程を効率的に実施し、製造コストを低減する。
【解決手段】本発明の電子装置１００は、基板１と、基板１上に形成された機能構造体（ＭＥＭＳ構造体）３Ｘと、機能構造体３Ｘが配置された空洞部Ｓを画成する被覆構造とが備えられる電子装置であって、前記被覆構造が、基板１上に設けられ、且つ空洞部Ｓを囲む層間絶縁層４，６と、下部包囲壁３Ｙ及び配線層５，７とからなる側壁１０Ｙと、空洞部Ｓの上方を覆うと共に、空洞部Ｓに貫通する開口７ａを有し耐食性層を含む積層構造からなる第１被覆層７Ｙと、開口７ａを閉鎖する第２被覆層９と、を備えている。耐食性層は、ＴｉＮ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔまたはそれぞれの合金より構成される。 （もっと読む）

【課題】発振回路に可変容量ダイオードや、コイルを不要とし、発振回路のＩＣ化を容易にするＳＡＷ発振回路とそれを用いた電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】ＳＡＷ共振子２と、ＳＡＷ共振子２の出力側に接続されて帰還増幅器として機能し利得を可変可能な第１の増幅器３と、ＳＡＷ共振子２の出力側に接続されて帰還増幅器として機能し利得を可変可能とすると共に、第１の増幅器３に入力される信号とは位相が１８０°異なるＳＡＷ共振子２の出力信号が入力される第２の増幅器４と、第１の増幅器３の出力信号を移相する移相器５と、移相器５が出力信号と第２の増幅器４の出力信号とを加算演算する演算器として加算器６とを、備え、加算器６の出力信号をＳＡＷ共振子２にフィードバックすると共に発振信号として出力するようにした。 （もっと読む）

【課題】 小型化が可能であり、複数の共振周波数を得ることができること。
【解決手段】 Ｘ方向に延びるように形成され、Ｘ方向に直交するＹ方向に振動する振動片３４と、振動片３４の両端を支持する振動子アイランド３３ａ，３３ｂとを有する振動子３２と、振動片３４に対して所定距離を空けた状態で振動片３４を間に挟むように配置され、電圧が印加された時に静電引力を発生させて振動片３４を振動させる電極部３１ａ，３１ｂと、を備え、さらに、振動片３４の上方（Ｚ軸方向）に薄膜５０を備える発振子１００を提供する。 （もっと読む）

【課題】不要な周波数での発振を防ぐと共に、期待周波数での安定した発振を実現する。
【解決手段】発振回路１００は、発振素子１１０と、反転増幅器１２０と、状態保持回路１３０を備える。発振素子１１０と反転増幅器１２０の入出力が互いに接続されて発振ループを構成する。状態保持回路１３０は、反転増幅器１２０の出力に同期して、反転増幅器１２０の出力論理を所定期間固定し、この期間内に反転増幅器１２０の出力状態を保持する。この所定期間は、期待発振周波数に対応する周期の半分より短く設定されている。 （もっと読む）

【課題】制御部による分周器の制御に起因したノイズの発生を抑え、受信特性の良好な受信機を実現可能なシンセサイザを提供することを目的とする。
【解決手段】制御部７は、温度を検出する温度検出部８の出力信号に基づいて第２の分周器６へ適当な整数分周数Ｍや分数分周数Ｎの制御信号を送り、第２の分周器６の分周比を変化させる。つまり、第２の分周器６は、分周数Ｍが入力される整数部分と、分周数Ｎが入力される分数部分により構成される。制御部７は、温度を検出する温度検出部８の温度信号に基づいて第２分周器６の分周比を不均一な時間間隔で変化させる。これにより、第２分周器６の制御に伴い特定周波数に多数発生するノイズを抑圧することができ、シンセサイザの位相雑音を低減することができる。 （もっと読む）

可変周波数ωで動作できる電気共振器デバイスであって、少なくとも、音響共振器と、共振器に並列に結合され、虚数部が


ただしC₁≧0、に等しい調整可能な複素インピーダンスを有する第1の電気回路と、前記共振器および前記第1の電気回路に並列に結合され、虚数部が


ただしC₂<0、に等しい複素インピーダンスを有する第2の電気回路とを含み、ωが前記デバイスの動作周波数であることを特徴とする。
（もっと読む）

【課題】弾性表面波素子片をフェースダウン接合により接合し、駆動可能な状態で周波数調整することが可能な弾性表面波デバイスを提供する。
【解決手段】パッケージ３０の凹部の凹底部分に接続された支持部４０上には、支持部の接続端子４５ｂおよびそれと対をなす接続端子に、中継基板２０の一端側に設けられた第２の電極端子２５ａ，２５ｂが接合部材４８を介して接合され、中継基板２０が、第１の電極端子２２ａ，２２ｂが設けられた他端側を突出させた状態で支持部４０上に片持ち支持されている。中継基板２０の他端側に設けられた第１の電極端子２２ａ，２２ｂには、ＳＡＷ共振子１０の外部接続電極１９ａ，１９ｂが接合部材４７を介してフェースダウン接合により接合され、ＳＡＷ共振子１０は、ＩＤＴ電極１２などが形成された主面１４を、パッケージ３０の凹底面と対向しない方向で上側に向け、パッケージ３０に接触しない態様で片持ち支持されている。 （もっと読む）

【課題】ＳＡＷ素子をパッケージの内部実装面に接合するときに、接着剤が、ＩＤＴに対向する圧電基板の裏面に流出することを防止したＳＡＷデバイスと、そのＳＡＷデバイスを用いて小型化したＳＡＷモジュールを提供する。
【解決手段】ＳＡＷ共振子１は、パッケージ２の内部実装面に、圧電基板３の表面上に反射器４ａ、４ｂとＩＤＴ５とパッド電極６とからなる電極パターンを形成したＳＡＷ共振素子７を、接着剤８を用いて片持ち状態で接合している。そして、ＳＡＷ共振子１は、パッケージ２の開口部を蓋部材９により気密封止した構造である。ＳＡＷ共振素子７は、圧電基板３の裏面のＩＤＴ５が形成されている全領域に対向する面に、エッチング、或いは機械加工により所定の深さで凹部１１を形成し、圧電基板３の基端部の厚肉部１２ａを片持ち状態にてパッケージ２の実装面に接着剤８を用いて接着接合した構造である。 （もっと読む）

【課題】プロセスを簡素化し低コスト化を実現するとともに、さらに、システムを簡素化
しノイズ対策を可能にするＭＥＭＳレゾネータ及びＭＥＭＳレゾネータの製造方法を提供
する。
【解決手段】ＭＥＭＳレゾネータの製造方法は、基板１０上に形成された半導体デバイス
とＭＥＭＳ構造体部４とを有するＭＥＭＳレゾネータ２の製造方法であって、半導体デバ
イスは、上部電極３０と下部電極２６とを有するＯＮＯキャパシタ部６と、ＣＭＯＳ回路
部８と、を含み、ＯＮＯキャパシタ部６の下部電極２６を、第１シリコン層２６を用いて
、形成する。ＭＥＭＳ構造体部４の下部構造体１６とＯＮＯキャパシタ部６の上部電極３
０とを、第２シリコン層５２を用いて、形成する。及び、ＭＥＭＳ構造体部４の上部構造
体１８とＣＭＯＳ回路部８のゲート電極３４とを、第３シリコン層５４を用いて、形成す
る。 （もっと読む）