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国際特許分類[H03B5/30]の内容

国際特許分類[H03B5/30]の下位に属する分類

圧電気振動子であるもの (2,069)
磁わい振動子であるもの (1)
周波数決定素子がブリッジ回路を経て,信号が伝送される閉リングに結合されているもの

国際特許分類[H03B5/30]に分類される特許

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【課題】出力信号の周波数のふらつきを抑制した発振回路を提供すること。
【解決手段】空隙を隔てて配置された第1電極11及び第2電極12を有するMEMS振動子10と、第1入力端子221及び第1出力端子222を有し、利得が1よりも大きい利得部22と、第2入力端子241及び第2出力端子242を有し、利得が1よりも小さい利得制限部24と、を含む増幅部20と、第1出力端子222と接続される出力端子30と、を含み、第1電極11と第1入力端子221とが接続され、第1出力端子222と第2入力端子241とが接続され、第2出力端子242と第2電極12とが接続される。 (もっと読む)


【課題】パッケージに封止された後においても発振周波数を調整できる発振器を提供すること。
【解決手段】それぞれ第1端子及び第2端子を有し、それぞれ共振周波数が異なる複数のMEMS振動子11〜14と、入力端子21及び出力端子22を有する増幅回路20と、複数のMEMS振動子11〜14のうちの1つの第1端子と入力端子21とを接続し、第2端子と出力端子22とを接続することによって、複数のMEMS振動子11〜14のうちの1つと増幅回路20とを接続する接続回路30と、接続回路30の状態を切り替えるための切替信号を受け付ける信号受付端子40と、接続回路30に対して、増幅回路20と接続されるMEMS振動子を切替信号に基づいて切り替えさせる切替回路50とを含む。また、MEMS振動子11〜14は、空洞の内部に収容されており、信号受付端子40は、空洞の外部に設けられている。 (もっと読む)


【課題】PLL回路を有する発振器であって、小型化を図ることができる発振器を提供する。
【解決手段】発振器100は、基板110の上方に配置された第1MEMS振動子12を含み第1発振信号を出力する基準発振回路と、基板110の上方に配置された第2MEMS振動子52を含み制御信号で発振周波数が制御され第2発振信号を出力する電圧制御発振回路と、前記第2発振信号を分周して分周信号を出力する分周回路と、前記分周信号と前記第1発振信号との位相差に基づいた前記制御信号を出力する位相比較回路と、を含み、第1MEMS振動子12および第2MEMS振動子52の各々は、第1電極と、第2電極と、を有し、第2電極は、第1電極と対向配置された可動部を有し、基板の平面視において第1MEMS振動子12の可動部の面積は、第2MEMS振動子52の可動部の面積よりも大きい。 (もっと読む)


【課題】出力が大きく、かつ高い周波数で駆動するMEMS振動子を提供する。
【解決手段】本発明に係るMEMS振動子100は、基板10の表面11に固定された第1電極20と、第1電極20の第1面21と対向する第2面31を備えた梁部34、および梁部34を支持し基板10の表面11に固定された支持部32を有する第2電極30と、を含み、梁部34は、梁部34の第1面21の垂線Q方向の長さTが、梁部34の先端35に向かうにつれて単調に減少する第1部分36を有する。 (もっと読む)


【課題】大きなインダクタンスをもつインダクタ素子を実現する音響半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、素子部と、第1端子と、を備えた音響半導体装置が提供される。前記素子部は、半導体結晶を含み音響定在波が励起可能な音響共振部を含む。前記第1端子は、前記素子部と電気的に接続される。前記第1端子を介して、前記音響定在波と同期する電気的信号を前記音響共振部から出力する、及び、前記音響定在波と同期する電気的信号を前記音響共振部に入力する、の少なくもいずれかを実施可能である。 (もっと読む)


【課題】小型化を図った圧電デバイス、及びこれを用いた圧力センサー、加速度センサー、ジャイロセンサー等のセンサーデバイスを提供することを目的としている。
【解決手段】本発明の圧電デバイス10は、圧電基板の振動部を励振させる励振電極12eと、当該励振電極12eに接続された接続電極と、を有する圧電振動素子と、前記振動部の周縁部の上に配置され、前記圧電基板よりも外形が小さな集積回路と、を備え、前記集積回路と、前記接続電極とをバンプを用いて電気的に接続させたことを特徴とする (もっと読む)


【課題】発振器における小型化の推進、生産性の向上を図ることが可能で、周波数可変幅のばらつきを抑制できるSAW素子、このSAW素子を備えた発振器及び電子機器の提供。
【解決手段】SAW素子1は、水晶基板10と、水晶基板10の主面11に形成されたIDT電極20と、水晶基板10の主面11に形成され、IDT電極20と隣り合う反射器30,31と、水晶基板10の主面11に形成されると共に、一端がIDT電極20と接続されたスパイラルインダクター40と、を備え、スパイラルインダクター40は、水晶基板10に必要な周波数可変感度を得るための定数を有していることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】MEMS振動子を用いて、発振周波数のばらつきを抑制した発振回路を提供すること。
【解決手段】それぞれ第1端子及び第2端子を有し、それぞれ共振周波数が異なる複数のMEMS振動子11〜14と、入力端子21及び出力端子22を有する増幅回路(反転増幅回路20)と、複数のMEMS振動子11〜14のうちの1つの第1端子と入力端子21とを接続し、第2端子と出力端子22とを接続することによって、複数のMEMS振動子11〜14のうちの1つと増幅回路(反転増幅回路20)とを接続する接続回路30と、を含む。 (もっと読む)


【課題】 反射素子の反射特性を用いて高周波化、周波数安定化を図ることができる圧電発振器を提供する。
【解決手段】 電界効果型のトランジスタ1のゲートに共振回路3が接続され、ドレインに出力端子7が接続されると共に、電源電圧Vが印加され、ソースに反射素子として圧電共振器6が接続され、共振回路3の共振周波数と反射素子の圧電共振器6の発振周波数とを略同じにした圧電発振器であり、共振回路3とゲートとの間に第1のマッチング回路2と、ドレインと出力端子8との間に第2のマッチング回路7と、ソースと反射素子との間に第3のマッチング回路5を設けるようにしてもよいものである。 (もっと読む)


【課題】消費電流を増大させることなしに高速起動可能なMEMS発振器の提供。
【解決手段】ドライバアンプと、LC共振回路を備える第1共振器と、MEMS共振器を備える第2共振器と、接続および開放を切り換え可能なスイッチ回路と、スイッチ回路を制御するスイッチ制御部と、を有するMEMS発振器であって、ドライバアンプ、第1共振器、および、スイッチ回路は、ドライバアンプの出力信号の少なくとも一部をドライバアンプへ帰還させる第1閉ループ回路を形成し、ドライバアンプ、および、第2共振器は、第1閉ループ回路とは別の、ドライバアンプの出力信号の少なくとも一部をドライバアンプへ帰還させる第2閉ループ回路を形成し、スイッチ制御部は、MEMS発振器の起動期間の少なくとも一部においてスイッチ回路を接続し、所定の条件が満たされる場合に、スイッチ回路を開放する、MEMS発振器。 (もっと読む)


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